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Diodos (2089)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
MURF30010R GeneSiC Semiconductor MURF30010R -
RFQ
 ECAD 3095 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Padrão To-244 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 150a 1 V @ 150 A 25 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA60060R GeneSiC Semiconductor Murta60060r 188.1435
RFQ
 ECAD 1786 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Murta60060 Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Murta60060rgn Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 600 v 300A 1,7 V @ 300 A 280 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBJ15M GeneSiC Semiconductor GBJ15M 0,7875
RFQ
 ECAD 8438 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ15 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ15M Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 7,5 A 5 µA A 1000 V 15 a Fase Única 1 kv
MSRTA600140A GeneSiC Semiconductor MSRTA600140A 109.2000
RFQ
 ECAD 6648 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Módulo 3-SMD MSRTA600140 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1400 v 600A (DC) 1,2 V @ 600 A 25 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF300150 GeneSiC Semiconductor MBRF300150 -
RFQ
 ECAD 6350 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB MBRF3001 Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 150a 880 mV @ 150 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3673AR GeneSiC Semiconductor 1n3673ar 6.3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1n3673ar Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1055 Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a -
MUR2510R GeneSiC Semiconductor MUR2510R 10.1910
RFQ
 ECAD 5180 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Mur2510 Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1016 Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 25 A 75 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 25a -
KBPC3502T GeneSiC Semiconductor KBPC3502T 2.4720
RFQ
 ECAD 9006 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, KBPC-T KBPC3502 Padrão KBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17,5 A 5 µA A 200 V 35 a Fase Única 200 v
S400Y GeneSiC Semiconductor S400Y 92.3505
RFQ
 ECAD 7620 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S400 Padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S400YGN Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,2 V @ 400 A 10 µA a 50 V -60 ° C ~ 200 ° C. 400A -
S6Q GeneSiC Semiconductor S6Q 3.8625
RFQ
 ECAD 6053 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S6qgn Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,1 V @ 6 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
GBPC3501T GeneSiC Semiconductor GBPC3501T 2.8650
RFQ
 ECAD 9862 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, GBPC GBPC3501 Padrão GBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17,5 A 5 µA A 100 V 35 a Fase Única 100 v
GBPC5001T GeneSiC Semiconductor GBPC5001T 4.0155
RFQ
 ECAD 5349 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, GBPC GBPC5001 Padrão GBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA A 100 V 50 a Fase Única 100 v
GBPC5006T GeneSiC Semiconductor GBPC5006T 4.0155
RFQ
 ECAD 2194 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, GBPC GBPC5006 Padrão GBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA A 600 V 50 a Fase Única 600 v
GBU15G GeneSiC Semiconductor GBU15G 0,6120
RFQ
 ECAD 8458 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU15 Padrão GBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Gbu15ggn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA A 400 V 15 a Fase Única 400 v
GBU6J GeneSiC Semiconductor Gbu6j 1.5300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU6 Padrão GBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 A 5 µA A 600 V 6 a Fase Única 600 v
GBU8M GeneSiC Semiconductor Gbu8m 1.5700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU8 Padrão GBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Gbu8mgn Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 8 A 5 µA A 1000 V 8 a Fase Única 1 kv
KBJ25005G GeneSiC Semiconductor KBJ25005G 0,8955
RFQ
 ECAD 2490 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBJ KBJ25005 Padrão KBJ download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 250 1,05 V @ 12,5 A 10 µA a 50 V 25 a Fase Única 50 v
KBJ2504G GeneSiC Semiconductor KBJ2504G 0,8955
RFQ
 ECAD 6148 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBJ KBJ2504 Padrão KBJ download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBJ2504GGN Ear99 8541.10.0080 250 1,05 V @ 12,5 A 10 µA A 400 V 25 a Fase Única 400 v
KBJ408G GeneSiC Semiconductor KBJ408G 0,5160
RFQ
 ECAD 4271 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBJ KBJ408 Padrão KBJ download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBJ408GGN Ear99 8541.10.0080 250 1,1 V @ 4 A 5 µA A 800 V 4 a Fase Única 800 v
KBP206 GeneSiC Semiconductor KBP206 0,3750
RFQ
 ECAD 4816 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBP Padrão KBP download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBP206GN Ear99 8541.10.0080 2.000 1,1 V @ 2 A 10 µA A 600 V 2 a Fase Única 600 v
KBPC3504T GeneSiC Semiconductor KBPC3504T 2.4720
RFQ
 ECAD 9671 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, KBPC-T KBPC3504 Padrão KBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17,5 A 10 µA A 400 V 35 a Fase Única 400 v
KBU1010 GeneSiC Semiconductor KBU1010 0,8205
RFQ
 ECAD 3018 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu Padrão KBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBU1010GN Ear99 8541.10.0080 400 1,05 V @ 10 A 10 µA A 1000 V 10 a Fase Única 1 kv
MBRH200100 GeneSiC Semiconductor MBRH200100 70.0545
RFQ
 ECAD 7235 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 Schottky D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRH200100GN Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 840 mV @ 200 A 5 mA a 20 V 200a -
BR305 GeneSiC Semiconductor BR305 0,5700
RFQ
 ECAD 2931 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-3 Padrão BR-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR305GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1,5 A 10 µA a 50 V 3 a Fase Única 50 v
BR36 GeneSiC Semiconductor BR36 0,4750
RFQ
 ECAD 1675 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-3 Padrão BR-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR36GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1,5 A 10 µA A 600 V 3 a Fase Única 600 v
BR605 GeneSiC Semiconductor BR605 0,7425
RFQ
 ECAD 4873 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-6 Padrão BR-6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR605GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA a 50 V 6 a Fase Única 50 v
BR64 GeneSiC Semiconductor BR64 0,7425
RFQ
 ECAD 5531 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-6 Padrão BR-6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR64GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA A 400 V 6 a Fase Única 400 v
DB101G GeneSiC Semiconductor DB101G 0,1980
RFQ
 ECAD 7578 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB101 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) DB101GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 A 5 µA a 50 V 1 a Fase Única 50 v
GBPC3508W GeneSiC Semiconductor GBPC3508W 4.6200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC3508 Padrão GBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1295 Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17,5 A 5 µA A 800 V 35 a Fase Única 800 v
GBPC3510W GeneSiC Semiconductor GBPC3510W 4.6200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC3510 Padrão GBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1296 Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17,5 A 5 µA A 1000 V 35 a Fase Única 1 kv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

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