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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N1183R | 6.2320 | ![]() | 7189 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N1183R | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N1183RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | |||||||
| MURH7020 | 49.5120 | ![]() | 5054 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | D-67 | padrão | D-67 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1 V a 70 A | 75ns | 25 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 70A | - | |||||||||
![]() | MURT20040R | 104.4930 | ![]() | 8659 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MURT20040 | padrão | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MURT20040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 400 V | 100A | 1,35 V a 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | ||||||
| SD4145R | 14.3280 | ![]() | 5296 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | SD4145 | Schottky, inversão de polaridade | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 680 mV a 30 A | 1,5 mA a 35 V | -55°C ~ 150°C | 30A | - | |||||||||
| KBPC3510T | 2.4750 | ![]() | 6256 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Terminal de controle de qualidade | 4 quadrados, KBPC-T | KBPC3510 | padrão | KBPC-T | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 17,5 A | 5 µA a 1000 V | 35A | Monofásico | 1kV | ||||||||||
| S85QR | 11.8980 | ![]() | 4824 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | S85Q | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1096 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,1 V a 85 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 180°C | 85A | - | ||||||||
![]() | MBR30080CTR | 94.5030 | ![]() | 7792 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MBR30080 | Schottky | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR30080CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 80 V | 150A | 840 mV a 150 A | 8 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | MBRT30060R | 107.3070 | ![]() | 1357 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MBRT30060 | Schottky | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBRT30060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 60 V | 150A | 800 mV a 150 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | FR6D05 | 8.1330 | ![]() | 7538 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | FR6D05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,4 V a 6 A | 500 ns | 25 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 16A | - | |||||||
![]() | FST10020 | 65.6445 | ![]() | 9552 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | FST10020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 20 V | 100A | 650 mV a 100 A | 2 mA a 20 V | |||||||||
![]() | MBRTA50030R | - | ![]() | 3671 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 30 V | 250A | 700 mV a 250 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | MUR2X100A04 | 52.2000 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MUR2X100 | padrão | SOT-227 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1313 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 400 V | 100A | 1,3 V a 100 A | 90 ns | 25 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | ||||||
| 1N8035-GA | - | ![]() | 8792 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | TO-276AA | 1N8035 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-276 | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 15 A | 0 ns | 5 µA a 650 V | -55°C ~ 250°C | 14,6A | 1107pF @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | 1N2128AR | 8.9025 | ![]() | 1559 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N2128AR | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N2128ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 60 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 200°C | 60A | - | |||||||
![]() | 1N3289A | 33.5805 | ![]() | 1299 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | 1N3289 | padrão | DO-205AA (DO-8) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N3289AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,5 V a 100 A | 24 mA a 200 V | -40°C ~ 200°C | 100A | - | |||||||
![]() | MBR12040CT | 68.8455 | ![]() | 6776 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MBR12040 | Schottky | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1024 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 40 V | 120A (CC) | 650 mV a 120 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | 1N3765 | 6.2320 | ![]() | 5017 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N3765 | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N3765GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 700 V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | |||||||
![]() | FST16060 | 75.1110 | ![]() | 7797 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | FST16060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 60 V | 160A (CC) | 800 mV a 160 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | FR70G05 | 17.5905 | ![]() | 3917 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | FR70G05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,4 V a 70 A | 500 ns | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 70A | - | |||||||
![]() | S70MR | 9.8985 | ![]() | 5098 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | S70M | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S70MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,1 V a 70 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 180°C | 70A | - | |||||||
![]() | MBRTA80060 | - | ![]() | 4220 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 60 V | 400A | 780 mV a 400 A | 1 mA a 60 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | MBRTA80020RL | - | ![]() | 5746 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 20 V | 400A | 580 mV a 400 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | MSRT100160AD | 54.0272 | ![]() | 2247 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MSRT100 | padrão | Três Torres | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 1600V | 100A | 1,1 V a 100 A | 10 µA a 1600 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | KBU8D | 0,7425 | ![]() | 6103 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBU | KBU8 | padrão | KBU | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | KBU8DGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 8 A | 10 µA a 200 V | 8A | Monofásico | 200 V | ||||||||
![]() | GBPC15010T | 1.8979 | ![]() | 8514 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Terminal de controle de qualidade | 4 quadrados, GBPC-T | GBPC15010 | padrão | GBPC-T | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V a 7,5 A | 5 µA a 1000 V | 15A | Monofásico | 1kV | |||||||||
![]() | MBRH24030 | 76.4925 | ![]() | 9685 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | D-67 | Schottky | D-67 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 720 mV a 240 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 240A | - | |||||||||
![]() | MURTA20020R | 145.3229 | ![]() | 4700 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MURTA20020 | padrão | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 200 V | 100A | 1,3 V a 100 A | 25 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MBRF120100R | - | ![]() | 3387 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 100V | 60A | 840 mV a 60 A | 1 mA a 100 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | MBR120200CT | - | ![]() | 9679 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Torre Gêmea | Schottky | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 60A | 920 mV a 60 A | 1 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
| GBL02 | 2.9400 | ![]() | 3877 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBL | padrão | GBL | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 4 A | 5 µA a 200 V | 4A | Monofásico | 200 V |

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