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Diodos (2089)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
GBJ30J GeneSiC Semiconductor GBJ30J 1.1205
RFQ
 ECAD 4294 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ30 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ30J Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 15 A 5 µA A 600 V 30 a Fase Única 600 v
M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor M3P100A-80 -
RFQ
 ECAD 3281 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Módulo 5-SMD Padrão 5-SMD - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 1,15 V @ 100 A 10 mA a 800 V 100 a Três fase 800 v
GBJ20D GeneSiC Semiconductor GBJ20D 0,9120
RFQ
 ECAD 6810 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ20 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ20D Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 10 A 5 µA A 200 V 20 a Fase Única 200 v
KBU8K GeneSiC Semiconductor KBU8K 0,7425
RFQ
 ECAD 6174 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU8 Padrão KBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBU8KGN Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 A 10 µA a 800 V 8 a Fase Única 800 v
SD51 GeneSiC Semiconductor SD51 19.1580
RFQ
 ECAD 2759 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud SD51 Schottky Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) SD51GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 660 mV @ 60 A 5 mA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 60a -
GBPC5004W GeneSiC Semiconductor GBPC5004W 4.0155
RFQ
 ECAD 6179 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC5004 Padrão GBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA A 400 V 50 a Fase Única 400 v
GBPC25005W GeneSiC Semiconductor GBPC25005W 2.5335
RFQ
 ECAD 5871 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC25005 Padrão GBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) GBPC25005WGS Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA a 50 V 25 a Fase Única 50 v
GBJ6D GeneSiC Semiconductor GBJ6D 0,6645
RFQ
 ECAD 1569 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ6 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ6D Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 3 A 5 µA A 200 V 6 a Fase Única 200 v
M3P75A-60 GeneSiC Semiconductor M3P75A-60 -
RFQ
 ECAD 6517 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto - Montagem do chassi Módulo 5-SMD Padrão 5-SMD - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 10 µA A 600 V 75 a Três fase 600 v
GBPC1508T GeneSiC Semiconductor GBPC1508T 2.4180
RFQ
 ECAD 8094 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, GBPC GBPC1508 Padrão GBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 800 V 15 a Fase Única 800 v
S150JR GeneSiC Semiconductor S150JR 35.5695
RFQ
 ECAD 1323 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano Do-205AA, DO-8, Stud S150 Polaridada reversa padrão Do-205AA (DO-8) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S150JRGN Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 150 A 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
KBP204 GeneSiC Semiconductor KBP204 0,3750
RFQ
 ECAD 8785 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBP Padrão KBP download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBP204GN Ear99 8541.10.0080 2.000 1,1 V @ 2 A 10 µA a 50 V 2 a Fase Única 400 v
KBPC3502T GeneSiC Semiconductor KBPC3502T 2.4720
RFQ
 ECAD 9006 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, KBPC-T KBPC3502 Padrão KBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17,5 A 5 µA A 200 V 35 a Fase Única 200 v
KBPC50005T GeneSiC Semiconductor KBPC50005T 2.5875
RFQ
 ECAD 9886 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, KBPC-T KBPC50005 Padrão KBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA a 50 V 50 a Fase Única 50 v
GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J -
RFQ
 ECAD 1326 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Ativo GD05MPS - 1242-GD05MPS17J Ear99 8541.10.0080 1
GBPC1510T GeneSiC Semiconductor GBPC1510T 2.4180
RFQ
 ECAD 2180 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC GBPC1510 Padrão GBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 1000 V 15 a Fase Única 1 kv
KBPC5010T GeneSiC Semiconductor KBPC5010T 4.2700
RFQ
 ECAD 331 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, KBPC-T KBPC5010 Padrão KBPC-T download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA A 1000 V 50 a Fase Única 1 kv
MSRTA200120D GeneSiC Semiconductor MSRTA200120D 142.3575
RFQ
 ECAD 5712 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo MSRTA200 Padrão - download ROHS3 Compatível 1242-MSRTA200120D Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1200 v 200a 1,1 V @ 200 A 10 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S70JR GeneSiC Semiconductor S70JR 9.8985
RFQ
 ECAD 6030 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud S70J Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S70JRGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 70 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 70A -
MSRT25060A GeneSiC Semiconductor MSRT25060A 54.2296
RFQ
 ECAD 1769 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRT25060 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 250a (DC) 1,2 V @ 250 A 15 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N1206AR GeneSiC Semiconductor 1N1206AR 4.2345
RFQ
 ECAD 6866 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N1206AR Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1012 Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a -
KBU8M GeneSiC Semiconductor KBU8M 1.8200
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU8 Padrão KBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 A 10 µA A 1000 V 8 a Fase Única 1 kv
S400Y GeneSiC Semiconductor S400Y 92.3505
RFQ
 ECAD 7620 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S400 Padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S400YGN Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,2 V @ 400 A 10 µA a 50 V -60 ° C ~ 200 ° C. 400A -
GBL02 GeneSiC Semiconductor GBL02 2.9400
RFQ
 ECAD 3877 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl Padrão Gbl download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 A 5 µA A 200 V 4 a Fase Única 200 v
MSRT200100D GeneSiC Semiconductor MSRT200100D 110.1030
RFQ
 ECAD 9867 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRT200 Padrão Três Torre download ROHS3 Compatível 1242-MSRT200100D Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1000 v 200a 1,2 V @ 200 A 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X050A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A180 43.6545
RFQ
 ECAD 6918 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc MBR2X050 Schottky SOT-227 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 52 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 180 v 50a 920 mV @ 50 A 3 ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C.
S12K GeneSiC Semiconductor S12K 4.2345
RFQ
 ECAD 2809 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S12KGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a -
MUR20040CT GeneSiC Semiconductor MUR20040CT 101.6625
RFQ
 ECAD 6926 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR20040 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR20040CTGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 100a 1,3 V @ 50 A 90 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DB104G GeneSiC Semiconductor DB104G 0,1980
RFQ
 ECAD 2293 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB104 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) DB104GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 A 10 µA A 400 V 1 a Fase Única 400 v
DB152G GeneSiC Semiconductor DB152G 0,2325
RFQ
 ECAD 4573 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB152 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) DB152GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1,5 A 5 µA A 100 V 1.5 a Fase Única 100 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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