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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRT12080 | 75.1110 | ![]() | 5417 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT12080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 60a | 880 mV @ 60 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MBRTA80040 | - | ![]() | 3010 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 400A | 720 mV @ 400 A | 1 mA a 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
MBR8045 | 24.8600 | ![]() | 3214 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 650 mV @ 80 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 80a | - | |||||||||||
![]() | MBRF20045 | - | ![]() | 8356 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 100a | 700 mV @ 100 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | Uft7360m | - | ![]() | 3893 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D61-3M | Padrão | D61-3M | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 70A | 1,7 V @ 35 A | 90 ns | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | MBR2X160A120 | 59.6700 | ![]() | 2436 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X160 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 120 v | 160a | 880 mV @ 160 A | 3 ma @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MUR5040 | 17.4870 | ![]() | 9660 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR5040GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 50 A | 75 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - | ||||||||
GBL06 | 0,4230 | ![]() | 1043 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | Padrão | Gbl | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 4 A | 5 µA A 600 V | 4 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||
![]() | MBR20080CT | 90.1380 | ![]() | 7252 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR20080 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR20080CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 200a (DC) | 840 mV @ 100 A | 5 mA a 20 V | |||||||||
![]() | Gbu6m | 0,5385 | ![]() | 9765 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | GBU6MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 6 A | 5 µA A 1000 V | 6 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||
![]() | FST10030 | 65.6445 | ![]() | 2996 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FST10030GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 100a | 650 mV @ 100 A | 2 mA a 20 V | ||||||||||
![]() | FR6MR05 | 5.3355 | ![]() | 4214 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR6MR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,4 V @ 6 A | 500 ns | 25 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | ||||||||
GB05MPS17-247 | - | ![]() | 6000 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | GB05MPS17 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-1342 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1700 v | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 6 µA A 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 25a | 334pf @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | GBU10M | 1.6300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU10 | Padrão | GBU | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | GBU10MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 10 A | 5 µA A 1000 V | 10 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||
![]() | MBRH20060R | 70.0545 | ![]() | 4676 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | D-67 | MBRH20060 | Schottky, reversa polaridada | D-67 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRH20060RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 200 a | 5 mA a 20 V | 200a | - | |||||||||
![]() | MUR10010CTR | 75.1110 | ![]() | 2570 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MUR10010 | Padrão | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR10010CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 100 v | 50a | 1,3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | MBRF30035R | - | ![]() | 7433 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | MBRF3003 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 35 v | 150a | 700 mV @ 150 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | MBRF200200 | - | ![]() | 2768 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 100a | 920 mV @ 100 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | GBU15D | 0,6120 | ![]() | 9784 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU15 | Padrão | GBU | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | GBU15DGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA A 200 V | 15 a | Fase Única | 200 v | |||||||||
![]() | MBR50030CTR | - | ![]() | 2432 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR50030CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 30 v | 250a | 750 mV @ 250 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | FR6G05 | 4.9020 | ![]() | 6711 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR6G05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 6 A | 500 ns | 25 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | ||||||||
![]() | S150Q | 35.5695 | ![]() | 6310 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | S150 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S150QGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,2 V @ 150 A | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | ||||||||
![]() | 1N1189 | 7.4730 | ![]() | 1109 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1189 | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1n1189gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 35 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - | ||||||||
![]() | MBR300150CTR | 94.5030 | ![]() | 1189 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR300150 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 150 v | 150a | 880 mV @ 150 A | 3 ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MBRT60045RL | - | ![]() | 6544 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 45 v | 300A | 600 mV @ 300 A | 5 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | FR70JR05 | 17.7855 | ![]() | 4229 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR70JR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 70 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 70A | - | ||||||||
![]() | M3P75A-140 | - | ![]() | 7969 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo 5-SMD | Padrão | 5-SMD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,15 V @ 75 A | 10 µA A 1400 V | 75 a | Três fase | 1,4 kV | ||||||||||||
![]() | FR20AR02 | 9.3555 | ![]() | 8191 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR20AR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 20 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 20a | - | ||||||||
![]() | MBRF30060 | - | ![]() | 2330 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | MBRF3006 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 150a | 750 mV @ 150 A | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | MURF10005R | - | ![]() | 9420 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Padrão | To-244 | - | 1 (ilimito) | MURF10005RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 50 v | 50a | 1,3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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