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Diodos (2089)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
1N3673A GeneSiC Semiconductor 1N3673A 4.2345
RFQ
 ECAD 9171 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N3673 Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1109 Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a -
GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H 10.4700
RFQ
 ECAD 980 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD30MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,8 V @ 30 A 20 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 55a 1101pf @ 1V, 1MHz
MSRT150160AD GeneSiC Semiconductor MSRT150160AD 71.6012
RFQ
 ECAD 4590 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRT150 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 150a 1,1 V @ 150 A 10 µA A 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA40020RL GeneSiC Semiconductor Mbrta40020rl -
RFQ
 ECAD 9430 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 20 v 200a 580 mV @ 200 A 3 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FST12040 GeneSiC Semiconductor FST12040 70.4280
RFQ
 ECAD 2307 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi TO-249AB Schottky TO-249AB download Rohs Compatível 1 (ilimito) FST12040GN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 120A (DC) 650 mV @ 120 A 2 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S85QR GeneSiC Semiconductor S85QR 11.8980
RFQ
 ECAD 4824 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud S85Q Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1096 Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,1 V @ 85 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 85a -
MUR30010CTR GeneSiC Semiconductor MUR30010CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 3859 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR30010 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR30010CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 150a 1,3 V @ 100 A 90 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH12020 GeneSiC Semiconductor MBRH12020 60.0375
RFQ
 ECAD 5487 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 Schottky D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRH12020GN Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 650 mV @ 120 A 4 ma @ 20 V 120a -
MBR500150CTR GeneSiC Semiconductor MBR500150CTR -
RFQ
 ECAD 9003 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 150 v 250a 880 mV @ 250 A 3 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N1188 GeneSiC Semiconductor 1N1188 6.2320
RFQ
 ECAD 3913 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N1188 Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1045 Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 35 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a -
MBRH20045R GeneSiC Semiconductor MBRH20045R 75.0900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 MBRH20045 Schottky, reversa polaridada D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1061 Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 700 mv @ 200 a 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200a -
GBJ15M GeneSiC Semiconductor GBJ15M 0,7875
RFQ
 ECAD 8438 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ15 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ15M Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 7,5 A 5 µA A 1000 V 15 a Fase Única 1 kv
MBRH30030L GeneSiC Semiconductor MBRH30030L -
RFQ
 ECAD 6258 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 580 mV @ 300 A 3 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 300A -
MBR200200CTR GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 5931 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR200200 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 200 v 100a 920 mV @ 100 A 3 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N5829 GeneSiC Semiconductor 1N5829 14.0145
RFQ
 ECAD 1994 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N5829 Schottky Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N5829GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 580 mV @ 25 A 2 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 25a -
S300E GeneSiC Semiconductor S300E 63.8625
RFQ
 ECAD 8223 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S300 Padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S300ENGN Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,2 V @ 300 A 10 µA A 100 V -60 ° C ~ 200 ° C. 300A -
S12B GeneSiC Semiconductor S12b 6.3300
RFQ
 ECAD 82 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a -
S300BR GeneSiC Semiconductor S300BR 63.8625
RFQ
 ECAD 2398 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S300 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S300BRGN Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,2 V @ 300 A 10 µA A 100 V -60 ° C ~ 200 ° C. 300A -
1N3210 GeneSiC Semiconductor 1N3210 9.6500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AB, DO-5, Stud 1N3210 Padrão DO-203AB (DO-5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,5 V @ 15 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
MBRF600200R GeneSiC Semiconductor MBRF600200R -
RFQ
 ECAD 1013 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 200 v 300A 920 mV @ 300 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA20040 GeneSiC Semiconductor Murta20040 145.3229
RFQ
 ECAD 3322 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 100a 1,3 V @ 100 A 25 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR40080CT GeneSiC Semiconductor MBR40080CT 98.8155
RFQ
 ECAD 1784 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR40080 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR40080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 200a 840 mV @ 200 A 5 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF50020 GeneSiC Semiconductor MBRF50020 -
RFQ
 ECAD 8795 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 250a 750 mV @ 250 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBPC35010T GeneSiC Semiconductor KBPC35010T 2.0176
RFQ
 ECAD 8979 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, KBPC-T KBPC35010 Padrão KBPC-T download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 17,5 A 5 µA A 1000 V 35 a Fase Única 1 kv
MBRF400100 GeneSiC Semiconductor MBRF400100 -
RFQ
 ECAD 3350 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 200a 840 mV @ 200 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S16M GeneSiC Semiconductor S16M 4.5900
RFQ
 ECAD 4308 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) S16MGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 16 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 16a -
GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-220 -
RFQ
 ECAD 3082 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 GB02SLT12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-220-2 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 2 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 138pf @ 1V, 1MHz
GKN240/08 GeneSiC Semiconductor GKN240/08 59.0066
RFQ
 ECAD 1445 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud GKN240 Padrão DO-205AB (DO-9) - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,4 V @ 60 A 60 mA a 800 V -40 ° C ~ 180 ° C. 320a -
KBU6D GeneSiC Semiconductor KBU6D 1.7600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU6 Padrão KBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 A 10 µA A 200 V 6 a Fase Única 200 v
KBPC2502T GeneSiC Semiconductor KBPC2502T 2.2995
RFQ
 ECAD 3310 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, KBPC-T KBPC2502 Padrão KBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 12,5 A 5 µA A 200 V 25 a Fase Única 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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