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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UF4006HR1G | - | ![]() | 2354 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF4006 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | CDBMT140-HF | 0,4300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | CDBMT140 | Schottky | SOD-123H | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 120pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | FS26 | 0,2600 | ![]() | 7844 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 300 Na @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 94pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | MBR40035CT | 98.8155 | ![]() | 9670 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR40035 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1058 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 200a | 700 mv @ 200 a | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | Jantx1n914ur/tr | 6.1047 | ![]() | 3223 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/116 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1n914ur/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1,2 V @ 50 Ma | 5 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | SS520C-HF | 0,2124 | ![]() | 7051 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SS520 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 850 mv @ 5 a | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 400pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | FRF10A20 | 0,6300 | ![]() | 4076 | 0,00000000 | Kyocera Avx | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Padrão | TO-220 Presos concluídos | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | - | 200 v | 10a | 980 mV @ 5 A | 35 ns | 20 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | MBR2545CT | - | ![]() | 8459 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | MBR2545 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | MBR2545CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 30a | 820 mV @ 30 A | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | VS-C4ZU6006FP-M3 | 2.7600 | ![]() | 3952 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-3PF | C4ZU6006 | Padrão | TO-3PF | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-C4ZU6006FP-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 par cátodo comum | 600 v | 30a | 1,97 V @ 50 A | 70 ns | 50 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | D1481N65TXPSA1 | - | ![]() | 9177 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | DO-200AC, K-Puk | D1481N65 | Padrão | - | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 6500 v | 1,8 V @ 2500 A | 50 mA a 6500 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 2200A | - | ||||||
![]() | 1N249 | 74.5200 | ![]() | 6001 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | DO-5 (DO-203AB) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N249 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,19 V @ 90 A | 5 µs | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 10a | - | ||||||
![]() | MBRF30H60CTHE3/45 | - | ![]() | 5835 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF30 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 680 mV @ 15 A | 60 µA A 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | MMBD4448DW-7 | - | ![]() | 8391 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBD4448DW | Padrão | SOT-363 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 75 v | 250mA | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 2,5 µA A 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | SB260 | 0.1051 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Schottky | DO-15 (DO-204AC) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-SB260TR | 8541.10.0000 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 500 µA A 60 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||
![]() | VS-MBRD330TRL-M3 | 0,2764 | ![]() | 1760 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD330 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSMBRD330TRLM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 600 mv @ 3 a | 200 µA a 20 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 189pf @ 5V, 1MHz | ||||
![]() | NRVHP120SFT3G | 0,5000 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | NRVHP120 | Padrão | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 25 ns | 500 Na @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | RL104-N-2-4-AP | - | ![]() | 1645 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | RL104 | Padrão | A-405 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | RL104-N-2-4-APMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SE07PG-M3/84A | 0,0696 | ![]() | 8526 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | SE07 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,05 V @ 700 mA | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 700mA | 5pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | PDS3200-13 | 1.5800 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | PDS3200 | Schottky | Powerdi ™ 5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 780 mV @ 3 a | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | SF3004PTHC0G | - | ![]() | 8636 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SF3004 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 15 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | 175pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBR2X080A045 | 53.8500 | ![]() | 158 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X080 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1301 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 45 v | 80a | 700 mV @ 80 A | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | V15p8-m3/86a | 0,8500 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V15p8 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 660 mV @ 15 A | 1,2 mA a 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 4.6a | - | |||||
![]() | SS120 | 0,4900 | ![]() | 2242 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 1 a | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 31pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | Es 1f | - | ![]() | 9487 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Axial | Es 1 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1500 v | 2 V @ 500 mA | 1,5 µs | 10 µA A 1500 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | - | |||||
![]() | Nsb8kthe3/81 | - | ![]() | 3297 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | NSB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 8 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 55pf @ 4V, 1MHz | |||||
RS1BL M2G | - | ![]() | 5396 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1b | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||
Rmpg06jhe3_a/73 | - | ![]() | 8865 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | MPG06, axial | Rmpg06 | Padrão | MPG06 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6.6pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | VS-1ENH02-M3/85A | 0,0743 | ![]() | 9054 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | 1ENH02 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 920 mV @ 1 a | 28 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | SD175SA30B.T2 | 1.1781 | ![]() | 1558 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SD175 | Schottky | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0040 | 490 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 490 mV @ 30 A | 4 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | 2200pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | SMMBD2837LT1 | 0,0200 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 |
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