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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
VS-VSKD270-30PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-vskd270-30pbf 208.9800
RFQ
 ECAD 9192 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi 3-MAGN-A-PAK ™ Vskd270 Padrão Magn-a-Pak® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vsvskd27030pbf Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 3000 v 135a 50 mA A 3000 V -40 ° C ~ 150 ° C.
VT30L60CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT30L60CHM3/4W -
RFQ
 ECAD 7420 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 VT30L60 Schottky To-220-3 download Não Aplicável Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 600 mV @ 15 A 4 mA a 60 V -40 ° C ~ 150 ° C.
EGP10B-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10B-M3/54 -
RFQ
 ECAD 5406 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial EGP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 1 a 50 ns 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 22pf @ 4V, 1MHz
MUR4100 Yangjie Technology Mur4100 0,1100
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-MUR4100TB Ear99 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,85 V @ 4 a 75 ns 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 50pf @ 4V, 1MHz
CDSV3-20-G Comchip Technology CDSV3-20-G -
RFQ
 ECAD 1248 0,00000000 Tecnologia Comchip - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Padrão SOT-323 - 641-CDSV3-20-G Obsoleto 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 150 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 150 V 150 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
SSL22H Taiwan Semiconductor Corporation SSL22H 0,2793
RFQ
 ECAD 7386 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SSL22 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 410 mv @ 2 a 400 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a -
BYS10-25HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bys10-25he3_a/i 0,3700
RFQ
 ECAD 4301 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Bys10 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 25 v 500 mV @ 1 a 500 µA A 25 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.5a -
RFV8BM6SFHTL Rohm Semiconductor Rfv8bm6sfhtl 1.4300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 RFV8BM6 Padrão TO-252 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,8 V @ 8 A 45 ns 10 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 8a -
HER105G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER105G B0G -
RFQ
 ECAD 4917 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial HER105 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 50 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
RURD440S Harris Corporation RURD440S 0,4700
RFQ
 ECAD 900 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,5 V @ 4 A 60 ns -65 ° C ~ 175 ° C. 4a -
CD412299C Powerex Inc. CD412299C 41.9600
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo Pow-R-Blok ™ CD412299 Padrão Módlo Pow-R-Blok ™ download Rohs Compatível Não Aplicável 835-1197 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 2200 v 100a 1,65 V @ 330 A 12 mA a 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
SBL1030-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL1030-E3/45 -
RFQ
 ECAD 9080 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 SBL1030 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 600 mV @ 10 A 1 mA a 30 V -40 ° C ~ 125 ° C. 10a -
MUR410G onsemi MUR410G 0,6000
RFQ
 ECAD 4269 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Volume Ativo Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial MUR410 Padrão Axial download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 890 mV @ 4 a 35 ns 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a -
RS07G-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS07G-GS08 0,4100
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB RS07 Padrão DO-219AB (SMF) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,15 V @ 700 mA 150 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 9pf @ 4V, 1MHz
MC5616 Microsemi Corporation MC5616 -
RFQ
 ECAD 9683 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Ativo Através do buraco S, axial MC5616 Padrão S, axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 3000 v 6 V @ 100 Ma 300 ns 1 µA A 3000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 570mA -
US2G-TP Micro Commercial Co US2G-TP 0,4200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB US2G Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,4 V @ 2 A 50 ns 5 µA A 400 V -50 ° C ~ 150 ° C. 2a 28pf @ 4V, 1MHz
HFA30PA60C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA30PA60C -
RFQ
 ECAD 8922 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Hexfred® Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-3 HFA30 Padrão TO-247AC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 15a (DC) 1,7 V @ 15 A 60 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAV21,133 Nexperia USA Inc. BAV21.133 0,2000
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BAV21 Padrão ALF2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V 175 ° C (max) 250mA 5pf @ 0V, 1MHz
MBRAD860H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD860H 0,7200
RFQ
 ECAD 9288 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MBRAD860 Schottky Thindpak - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 750 mv @ 8 a 100 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 253pf @ 4V, 1MHz
BAS21AVD,165 Nexperia USA Inc. Bas21avd, 165 0,4800
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 Bas21 Padrão 6-TSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 3 Independente 200 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V 150 ° C (Máximo)
CD216A-B130LLF Bourns Inc. CD216A-B130LLF -
RFQ
 ECAD 6403 0,00000000 Bourns Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-216AA CD216A Schottky DO-216AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 380 mV @ 1 a 410 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 70pf @ 4V, 1MHz
S1MLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation S1MLHRTG -
RFQ
 ECAD 7093 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1ml Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
SE10DLJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE10DLJ-M3/i 0,5280
RFQ
 ECAD 9390 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante Padrão TO-263AC (SMPD) download Alcançar Não Afetado 112-SE10DLJ-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 10 A 280 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3.6a 70pf @ 4V, 1MHz
UH4PCCHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Uh4pcchm3_a/i 0,3816
RFQ
 ECAD 6744 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Uh4 Padrão TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,05 V @ 2 A 25 ns 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 21pf @ 4V, 1MHz
MMBD1502A onsemi MMBD1502A -
RFQ
 ECAD 6173 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD15 Padrão SOT-23-3 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 200 mA 50 ns 150 ° C (Máximo) 1a -
MURS340-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS340-E3/57T 0,6900
RFQ
 ECAD 6778 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC MURS340 Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,28 V @ 3 A 75 ns 10 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
PMEG4005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG4005esfyl 0,3900
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 0201 (0603 Mética) PMEG4005 Schottky DSN0603-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 9.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 880 mV @ 500 mA 1,28 ns 6,5 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 500mA 17pf @ 1V, 1MHz
1N2130R Microchip Technology 1N2130R 74.5200
RFQ
 ECAD 3493 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão DO-5 (DO-203AB) download Alcançar Não Afetado 150-1N2130R Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,25 V @ 200 A 25 µA A 150 V -65 ° C ~ 200 ° C. 70A -
RF071L4STE25 Rohm Semiconductor RF071L4STE25 0.1009
RFQ
 ECAD 4779 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos Montagem na Superfície DO-214AC, SMA RF071 Padrão PMDS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 700 mA 25 ns 10 µA A 400 V 150 ° C (Máximo) 1a -
UG4B-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG4B-M3/73 -
RFQ
 ECAD 4612 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial UG4 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 4 a 15 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 20pf @ 4V, 1MHz
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