SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
SD125SB45B.T1 SMC Diode Solutions SD125SB45B.T1 1.1206
RFQ
ECAD 6071 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Bandeja Ativo Montagem na Superfície Morrer SD125 Schottky Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0040 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 640 mV @ 15 A 400 µA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a 800pf @ 5V, 1MHz
ES2GHE3-LTP Micro Commercial Co Es2ghe3-ltp 0,0964
RFQ
ECAD 1744 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Es2g Padrão DO-214AC (SMA) download 353-ES2GHE3-LTP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 2 A 35 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 25pf @ 4V, 1MHz
CDBJSC51200-G Comchip Technology CDBJSC51200-G -
RFQ
ECAD 7085 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 CDBJSC51200 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-220-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 5 A 0 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 475pf @ 0V, 1MHz
MMBD717_R1_00001 Panjit International Inc. MMBD717_R1_00001 0,0270
RFQ
ECAD 8068 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD717 Schottky SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.252.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 20 v 370 mV @ 1 Ma 1 µA A 10 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 2.5pf @ 1V, 1MHz
HS3B V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3B V7G -
RFQ
ECAD 4781 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC HS3B Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1MHz
SRA5325T3G onsemi SRA5325T3G 0,0600
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ECAD 80 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 5.000
SB860 Diotec Semiconductor SB860 0,2499
RFQ
ECAD 22 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial Schottky DO-201 download ROHS3 Compatível Não Aplicável 2796-SB860TR 8541.10.0000 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 680 mV @ 8 a 500 µA A 60 V -50 ° C ~ 150 ° C. 8a -
CD5711V Microchip Technology CD5711V 1.8900
RFQ
ECAD 8016 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem na Superfície Morrer Schottky Morrer - Alcançar Não Afetado 150-CD5711V Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 50 v 1 V @ 15 mA 200 Na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C. 15m 2pf @ 0V, 1MHz
1N5281BE3/TR Microchip Technology 1N5281BE3/tr 3.3117
RFQ
ECAD 3400 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-1N5281BE3/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 mA 100 Na @ 152 V
EGL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34G-E3/98 0,4100
RFQ
ECAD 2431 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-213AA (Vidro) Egl34 Padrão DO-213AA (GL34) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,35 V @ 500 mA 50 ns 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500mA 7pf @ 4V, 1MHz
SBR5E60P5-13D Diodes Incorporated SBR5E60P5-13D 0,1740
RFQ
ECAD 8846 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 SBR5E60 Super Barreira Powerdi ™ 5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 60 v 520 mV @ 5 A 220 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
SS19LH Taiwan Semiconductor Corporation SS19LH 0,2235
RFQ
ECAD 9737 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 SS19 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SS19lHtr Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
BYD33MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD33mbulk 0,2100
RFQ
ECAD 5 0,00000000 EIC Semicondutor Inc. - Bolsa Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Avalanche DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2439-byd33mbulk 8541.10.0000 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1 a 300 ns 1 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1.3a -
JANTX1N3647.TR Semtech Corporation Jantx1n3647.tr -
RFQ
ECAD 6563 0,00000000 Semtech Corporation MIL-PRF-19500/279 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco Axial Padrão Axial download 600-JANTX1N3647.TR Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 3000 v 5 V @ 250 Ma 2,5 µs 1 µA A 3000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 600mA 8pf @ 5V, 1MHz
BZX84B36W Yangjie Technology BZX84B36W 0,0180
RFQ
ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-BZX84B36WTR Ear99 3.000
SS12LS Taiwan Semiconductor Corporation SS12LS 0,1418
RFQ
ECAD 1451 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123H SS12 Schottky Sod-123He download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SS12LSTR Ear99 8541.10.0080 20.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 450 mv @ 1 a 400 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1MHz
1N6660D Microchip Technology 1n6660d 183.2850
RFQ
ECAD 8216 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco TO-254-3, TO-254AA 1N6660 Schottky TO-254AA - Alcançar Não Afetado 150-1N6660D Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 45 v 15a 750 mv @ 15 a 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
MUR110SHR5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR110SHR5G -
RFQ
ECAD 4583 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Mur110 Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 875 mV @ 1 a 25 ns 2 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a -
SS215HR5G Taiwan Semiconductor Corporation SS215HR5G -
RFQ
ECAD 2997 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SS215 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 2 a 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
MBR1060CTS Yangjie Technology MBR1060CTS 0,2720
RFQ
ECAD 100 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco To-220-3 MBR106 Schottky TO-220AB - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-MBR1060CTSTR Ear99 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 10a 750 mv @ 5 a 200 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
CD3A20 Microchip Technology CD3A20 9.1500
RFQ
ECAD 1292 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Morrer Schottky Morrer download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-CD3A20 Ear99 8541.10.0040 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 3 a 100 µA a 20 V -65 ° C ~ 125 ° C. 3a -
1N662A TR Central Semiconductor Corp 1n662a tr -
RFQ
ECAD 7713 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204aa, do-7, axial Padrão Do-7 - 1514-1N662atr Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 80 v 1 V @ 100 Ma 300 ns 20 µA @ 75 V -65 ° C ~ 200 ° C. 150mA -
SB140 onsemi SB140 -
RFQ
ECAD 8923 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SB14 Schottky DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 500 µA A 40 V -60 ° C ~ 125 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
RB160QS-40T18R Rohm Semiconductor RB160QS-40T18R 0,4400
RFQ
ECAD 68 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo RB160 Schottky SMD1006 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 18.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 650 mV @ 1,5 A 20 µA A 40 V 150 ° C. 1.5a -
NRTS6100TFSTBG onsemi NRTS6100TFSTBG 0,2636
RFQ
ECAD 6400 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 8-POWERWDFN Schottky 8-WDFN (3,3x3.3) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 488-NRTS6100TFSTBGTR Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 680 mV @ 6 a 50 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 782pf @ 1V, 1MHz
1SS119-21TE-E Renesas Electronics America Inc 1ss119-21te-e 0,1000
RFQ
ECAD 35 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 1
BAV23CA Diotec Semiconductor BAV23CA 0,1700
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV23 Padrão SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 200 v 225mA 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FFSB1265A onsemi FFSB1265A 3.2122
RFQ
ECAD 7830 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FFSB1265 Sic (carboneto de Silíc) Schottky D²PAK-3 (TO-263-3) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,75 V @ 12 A 0 ns 200 µA A 650 V -65 ° C ~ 175 ° C. 14a 665pf @ 1V, 100kHz
SR20100H Taiwan Semiconductor Corporation SR20100H 0,6996
RFQ
ECAD 1207 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SR20100 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SR20100H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 900 mV @ 10 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-80-5049 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-5049 -
RFQ
ECAD 6781 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Última Vez compra 80-5049 - 112-VS-80-5049 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque