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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SD125SB45B.T1 | 1.1206 | ![]() | 6071 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SD125 | Schottky | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0040 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 640 mV @ 15 A | 400 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | 800pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | Es2ghe3-ltp | 0,0964 | ![]() | 1744 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Es2g | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | 353-ES2GHE3-LTP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | CDBJSC51200-G | - | ![]() | 7085 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | CDBJSC51200 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-220-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 100 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 475pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | MMBD717_R1_00001 | 0,0270 | ![]() | 8068 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD717 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.252.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 20 v | 370 mV @ 1 Ma | 1 µA A 10 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 2.5pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | HS3B V7G | - | ![]() | 4781 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | HS3B | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 50 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SRA5325T3G | 0,0600 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | |||||||||||||||||
![]() | SB860 | 0,2499 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Schottky | DO-201 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-SB860TR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 680 mV @ 8 a | 500 µA A 60 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||||
![]() | CD5711V | 1.8900 | ![]() | 8016 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | Schottky | Morrer | - | Alcançar Não Afetado | 150-CD5711V | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 15m | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||
1N5281BE3/tr | 3.3117 | ![]() | 3400 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N5281BE3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 152 V | |||||||||||||
![]() | EGL34G-E3/98 | 0,4100 | ![]() | 2431 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | Egl34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SBR5E60P5-13D | 0,1740 | ![]() | 8846 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | SBR5E60 | Super Barreira | Powerdi ™ 5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 520 mV @ 5 A | 220 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | SS19LH | 0,2235 | ![]() | 9737 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | SS19 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SS19lHtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 800 mv @ 1 a | 50 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | BYD33mbulk | 0,2100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Avalanche | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-byd33mbulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 300 ns | 1 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.3a | - | ||||||
![]() | Jantx1n3647.tr | - | ![]() | 6563 | 0,00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/279 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | 600-JANTX1N3647.TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 3000 v | 5 V @ 250 Ma | 2,5 µs | 1 µA A 3000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 600mA | 8pf @ 5V, 1MHz | |||||||
BZX84B36W | 0,0180 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX84B36WTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||
SS12LS | 0,1418 | ![]() | 1451 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | SS12 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SS12LSTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 1 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | 1n6660d | 183.2850 | ![]() | 8216 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA | 1N6660 | Schottky | TO-254AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N6660D | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 45 v | 15a | 750 mv @ 15 a | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MUR110SHR5G | - | ![]() | 4583 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Mur110 | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 2 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | SS215HR5G | - | ![]() | 2997 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS215 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||
![]() | MBR1060CTS | 0,2720 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR106 | Schottky | TO-220AB | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBR1060CTSTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 750 mv @ 5 a | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | CD3A20 | 9.1500 | ![]() | 1292 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | Schottky | Morrer | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-CD3A20 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 3 a | 100 µA a 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||
![]() | 1n662a tr | - | ![]() | 7713 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204aa, do-7, axial | Padrão | Do-7 | - | 1514-1N662atr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1 V @ 100 Ma | 300 ns | 20 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150mA | - | |||||||
![]() | SB140 | - | ![]() | 8923 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SB14 | Schottky | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -60 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | RB160QS-40T18R | 0,4400 | ![]() | 68 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | RB160 | Schottky | SMD1006 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 18.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 650 mV @ 1,5 A | 20 µA A 40 V | 150 ° C. | 1.5a | - | |||||
![]() | NRTS6100TFSTBG | 0,2636 | ![]() | 6400 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | Schottky | 8-WDFN (3,3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NRTS6100TFSTBGTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 680 mV @ 6 a | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 782pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | 1ss119-21te-e | 0,1000 | ![]() | 35 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BAV23CA | 0,1700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV23 | Padrão | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 225mA | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | FFSB1265A | 3.2122 | ![]() | 7830 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FFSB1265 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D²PAK-3 (TO-263-3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,75 V @ 12 A | 0 ns | 200 µA A 650 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 14a | 665pf @ 1V, 100kHz | ||||
![]() | SR20100H | 0,6996 | ![]() | 1207 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SR20100 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SR20100H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 900 mV @ 10 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | VS-80-5049 | - | ![]() | 6781 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-5049 | - | 112-VS-80-5049 | 1 |
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