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Retificadores (74344)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-88-7317 | - |  | 4489 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 88-7317 | - | 112-VS-88-7317 | 1 | ||||||||||||||||||||
| SIDC14D60C8X1SA2 | - | | 2402 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SIDC14D60 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,9 V @ 50 A | 27 µA A 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 50a | - | |||||
 | 1N4934GP-AP | - | | 5657 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4934 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
 | ES3CB | 0,0640 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES3CBTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | PMEG100T20ELR-QX | 0,4800 | | 5 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | PMEG100 | Schottky | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 2 a | 12 ns | 1,25 µA A 100 V | 175 ° C. | 2a | 200pf @ 1V, 1MHz | ||||
 | 1N5407GP-AP | - | | 2275 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | 1N5407 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 3 A | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | Hs2jbf | 0,0600 | | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-221aa, SMB plat do | Padrão | SMBF | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-HS2JBFTR | Ear99 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||
 | MBR1240MFST1G | 1.0800 | | 4 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | MBR1240 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 680 mV @ 12 A | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||||
| S5310 | 158.8200 | | 3638 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-S5310 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Bas321/8115 | 0,0200 | | 17 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
 | 1SS400G9JTE61 | - | | 9203 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 846-1SS400G9JTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
 | Murl860 | 0,3610 | | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tubo | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MURL860 | Ear99 | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | CDLL2810E3/TR | 3.1200 | | 4601 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-CDLL2810E3/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 35 mA | 100 Na @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||
 | S40B | 10.3200 | | 88 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 40 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40A | - | |||||||
 | V7n103-m3/i | 0,5600 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | V7N103 | Schottky | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 660 mV @ 6 a | 330 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2.2a | 860pf @ 4V, 1MHz | |||||||
 | Puup6bh | 1.1100 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 940 mV @ 6 a | 25 ns | 2 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 96pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | MBRBL30100CT | 0,4960 | | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Schottky | D2PAK | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBRBL30100CTTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 720 mV @ 15 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
 | VS-60CTQ035-N3 | - | | 7120 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | 60ctq035 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs60ctq035n3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 30a | 560 mV @ 30 A | 2 mA a 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
 | BZT52C22Q | 0,0220 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZT52C22QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | ES5F | 0,1050 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES5FTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
| DD171N16KKHPSA1 | 160.0375 | | 6321 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | DD171N16 | - | ROHS3 Compatível | 8 | ||||||||||||||||||||
 | NTE6068 | 18.4700 | | 26 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6068 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,25 V @ 20 mA | 2 mA a 800 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 70A | - | |||||||
 | UF158G_R2_00001 | 0,0567 | | 2102 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | UF158 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1,5 A | 100 ns | 1 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||
 | HER101G A0G | - | | 1828 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | HER101 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
 | IDW10S120FKSA1 | - | | 8353 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | IDW10S120 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA247-3-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 10 A | 0 ns | 240 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 580pf @ 1V, 1MHz | |||||
| VS-80-7650 | - | | 6404 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7650 | - | 112-VS-80-7650 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | RS3KC-HF | 0,1426 | | 6814 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | RS3K | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-RS3KC-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 3 A | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||
 | MBRB41H100CT-1G | - | | 4345 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MBRB41 | Schottky | I2pak (to-262) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 800 mV @ 20 A | 10 µA A 100 V | 175 ° C (max) | |||||
 | VS-20CTQ150SHM3 | 1.2000 | | 9849 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20CTQ150 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 880 mV @ 10 A | 25 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
 | MBR4045WT | - | | 9438 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | MBR4045 | Schottky | To-247-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 700 mV @ 20 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. |
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