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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISOPAC0612 | - | ![]() | 1120 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | - | - | ISOPAC | Padrão | - | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |||||
![]() | Jan1n5807urs | 17.4750 | ![]() | 4098 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 1N5807 | Padrão | B, Sq-Melf | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10V, 1MHz | ||||
![]() | RF05VA1STR | 0,0983 | ![]() | 3724 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | RF05VA1 | Padrão | TUMD2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 980 mV @ 500 mA | 25 ns | 10 µA A 100 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||
![]() | 1N5060 | - | ![]() | 7367 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO15/DO204AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2796-1N5060TR | 8541.10.0000 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 2 A | 1,5 µs | 5 µA A 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||
![]() | V15pm6hm3/h | 0,9200 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V15pm6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 15 A | 1,2 mA a 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 15a | 2300pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | R50340TS | 158.8200 | ![]() | 8544 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-R50340TS | 1 | ||||||||||||||||||||
JANS1N5802/TR | 33.4650 | ![]() | 8036 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | A, axial | Padrão | A, axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N5802/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | |||||||
20TQ035 | - | ![]() | 1911 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 20TQ035 | Schottky | TO-220AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 570 mV @ 20 A | 2,7 mA a 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 1400pf @ 5V, 1MHz | ||||||
![]() | DAP222M3T5G | 0,2500 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-723 | DAP222 | Padrão | SOT-723 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 80 v | 100mA (DC) | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||
![]() | MBRS16100 Mng | - | ![]() | 9597 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS16100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mV @ 16 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||||
MMBD4448HW-7 | 0,4700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Padrão | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 100 Na @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 250mA | 3,5pf @ 6V, 1MHz | ||||||
![]() | RB162M-30TR | 0,0834 | ![]() | 1806 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | SOD-123F | RB162 | Schottky | PMDU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 520 mv @ 1 a | 100 µA A 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | - | |||||
![]() | RGP10KEHE3/91 | - | ![]() | 4987 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | RGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
SB520-E3/54 | 0,6200 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SB520 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 480 mV @ 5 A | 500 µA A 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||
![]() | S5J R7G | - | ![]() | 1763 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S5J | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 5 A | 1,5 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Bas21qaz | 0,3600 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 3-XDFN PAD EXPOSTO | Bas21 | Padrão | DFN1010D-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 250 v | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 330mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | S2D-CT | 0.2017 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S2d | Padrão | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-S2D-CT | 8541.10.0000 | 15 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 2 A | 1,5 µs | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | SR20100PT C0G | - | ![]() | 4717 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SR20100 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 550 mV @ 10 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||
![]() | VI30120SG-M3/4W | 0,7273 | ![]() | 7850 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI30120 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,28 V @ 30 A | 500 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||||
![]() | RB095T-60 | 0,7143 | ![]() | 7872 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RB095 | Schottky | TO-220FN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | RB095T60 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 3a | 580 mV @ 3 a | 300 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | ||||
![]() | SBG1630CT-T | - | ![]() | 4174 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBG1630CT | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 16a | 550 mV @ 8 a | 1 mA a 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||||
![]() | VS-40HF60 | 8.2200 | ![]() | 74 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 40HF60 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 125 A | 9 mA a 600 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40A | - | |||||
![]() | MS104/TR12 | - | ![]() | 2741 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MS104 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 690 mV @ 1 a | 100 µA A 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | S2Y-CT | 0,7673 | ![]() | 150 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-S2Y-CT | 8541.10.0000 | 15 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2000 v | 1,15 V @ 2 A | 1,5 µs | 5 µA @ 2 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||
![]() | SR105HA0G | - | ![]() | 1392 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR105 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | AL01V | - | ![]() | 2548 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | AL01 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | AL01V DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | SD4145 | 63.5250 | ![]() | 3848 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | SD4145 | Schottky | DO-4 (DO-203AA) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | SD4145ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 680 mV @ 30 A | 1,5 mA a 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | |||||
![]() | Cs3j-e3/i | 0,3600 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | CS3 | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 3 A | 2,8 µs | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 26pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | S4K | 0,2021 | ![]() | 5602 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S4K | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,5 µs | 100 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | UPS140E3/TR7 | 0,5000 | ![]() | 2525 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-216AA | UPS140 | Schottky | Powermite 1 (DO216-AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 450 mv @ 1 a | 400 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 70pf @ 5V, 1MHz |
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