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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SD060SE45B.T2 | 0,1652 | ![]() | 1014 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SD060 | Schottky | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0040 | 3.240 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 510 mv @ 3 a | 300 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 180pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | BZT52C3V3SQ | 0,0270 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZT52C3V3SQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | V10pm15hm3/i | 0,3201 | ![]() | 4704 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V10pm15 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,08 V @ 10 A | 200 µA A 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 680pf @ 4V, 1MHz | |||||
MUR550APF | - | ![]() | 4983 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Mur55 | Padrão | Axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 520 v | 1,15 V @ 5 A | 95 ns | 5 µA @ 520 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | EG01CV | - | ![]() | 4877 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | EG01 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | EG01CV DK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 3,3 V @ 500 mA | 100 ns | 50 µA A 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | - | ||||
BY252GP-E3/54 | - | ![]() | 8454 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | By252 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 3 A | 3 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | MUR4L40 A0G | - | ![]() | 2285 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | MUR4L40 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||||
Mpg06dhe3_a/54 | 0.1049 | ![]() | 1333 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | MPG06, axial | MPG06 | Padrão | MPG06 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 600 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | HER207G-TP | 0,0618 | ![]() | 6206 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | HER207 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBRAD1045DH | 0,9400 | ![]() | 1099 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRAD1045 | Schottky | Thindpak | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 700 mv @ 5 a | 100 µA A 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | FFD04H60S | - | ![]() | 9844 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FFD04H60 | Padrão | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,1 V @ 4 A | 60 ns | 100 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - | ||||
![]() | RGL41B-E3/97 | 0,1284 | ![]() | 7916 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | RGL41 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | V2pm15hm3/h | 0,3800 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | MicroSMP | V2pm15 | Schottky | MicroSMP (DO-219AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 50 µA A 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | Jantx1N5711ur-1 | 11.7800 | ![]() | 5327 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | 1N5711 | Schottky | DO-213AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 33mA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||
SS13LSH | 0,0712 | ![]() | 4141 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | SS13 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SS13LSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 400 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | 1n6677ur-1/tr | 9.4950 | ![]() | 2991 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N6677ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 500 mV @ 200 mA | 5 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | 50pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | UF158G_R2_00001 | 0,0567 | ![]() | 2102 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | UF158 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1,5 A | 100 ns | 1 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SR103-TP | - | ![]() | 6110 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR103 | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 353-SR103-TPTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | |||||||||||||
![]() | BAS40LP-7-79 | - | ![]() | 3752 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 0402 (1006 Mética) | Bas40 | Schottky | X1-DFN1006-2 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-BAS40LP-7-79TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 Na @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 2.3pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | SS1H15LSH | 0,1278 | ![]() | 5565 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | SS1H15 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SS1H15LSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 850 mV @ 1 a | 1 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
1N6630US/TR | 22.0800 | ![]() | 5359 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, e | Padrão | D-5b | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N6630US/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 900 v | 1,7 V @ 3 A | 50 ns | 4 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.4a | - | ||||||
![]() | UFR3140E3 | 65.8800 | ![]() | 1557 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | DO-4 (DO-203AA) | - | Alcançar Não Afetado | 150-UFR3140E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 30 A | 50 ns | 15 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 115pf @ 10V, 1MHz | ||||||
CDBU0520 | 0,4300 | ![]() | 189 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | CDBU0520 | Schottky | 0603/SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µA a 20 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | 100pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | MBRB41H100CT-1G | - | ![]() | 4345 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MBRB41 | Schottky | I2pak (to-262) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 800 mV @ 20 A | 10 µA A 100 V | 175 ° C (max) | |||||
![]() | IDK08G65C5XTMA1 | - | ![]() | 6574 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IDK08G65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A263-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,8 V @ 8 A | 0 ns | 1,4 mA a 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 250pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | EGP50G-E3/54 | - | ![]() | 3245 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | EGP50 | Padrão | GP20 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 5 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 75pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | IDD05SG60CXTMA2 | 1.9507 | ![]() | 6564 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IDD05SG60 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 2,3 V @ 5 A | 0 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 110pf @ 1V, 1MHz | ||||
SB5H90-E3/73 | 0,6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SB5H90 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 800 mV @ 5 A | 200 µA A 90 V | 175 ° C (max) | 5a | - | ||||||
![]() | SK83C R7G | - | ![]() | 3784 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK83 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 8 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | 1ss133m r0g | 0,1300 | ![]() | 71 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | 1SS133 | Padrão | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 90 v | 1,2 V @ 150 mA | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 175 ° C (max) | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz |
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