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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
D400N16BXPSA1 Infineon Technologies D400N16BXPSA1 -
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 ECAD 4624 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem do Pino Do-205AA, DO-8, Stud D400N Padrão - download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 40 mA a 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C. 450a -
HFA70NC60CSL Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA70NC60CSL -
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 ECAD 7672 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Hexfred® Volume Obsoleto Montagem na Superfície D-61-8-SL HFA70 Padrão D-61-8-SL download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *HFA70NC60CSL Ear99 8541.10.0080 20 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 56a (DC) 1,5 V @ 35 A 110 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
UFR7015 Microchip Technology UFR7015 91.9200
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 ECAD 4200 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AB, DO-5, Stud UFR7015 Padrão Do-5 download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2266-UFR7015 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 975 mV @ 70 A 50 ns 25 µA A 150 V -65 ° C ~ 175 ° C. 70A 300pf @ 10V, 1MHz
VS-80SQ040 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80SQ040 -
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 ECAD 3831 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204ar, axial 80SQ040 Schottky Do-204ar download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 300 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 530 mV @ 8 a 2 mA a 40 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
UG06AHA1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06AHA1G -
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 ECAD 5079 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco T-18, axial UG06 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 600 mA 15 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 600mA 9pf @ 4V, 1MHz
UGB8BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8BT-E3/45 -
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 ECAD 4858 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab UGB8 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
MBR20200CTF-E1 Diodes Incorporated MBR20200CTF-E1 -
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 ECAD 8987 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Schottky TO-220F-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 900 mV @ 10 A 50 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
VS-MBR40L15CWPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR40L15CWPBF -
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 ECAD 6182 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-3 MBR40 Schottky TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 15 v 20a 420 mV @ 20 A 10 mA a 15 V -55 ° C ~ 125 ° C.
NTSB40120CT-1G onsemi NTSB40120CT-1G 1.9200
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 ECAD 380 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA NTSB40120 Schottky I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 20a 910 mV @ 20 A 500 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C.
RJS6004TDPP-EJ#T2 Renesas Electronics America Inc RJS6004TDPP-EJ#T2 -
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 ECAD 3260 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky TO-220FP-2L download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,8 V @ 10 A 15 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
BAW56 onsemi BAW56 -
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 ECAD 7183 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW56 Padrão SOT-23-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 85 v 200Ma 1,25 V @ 150 Ma 6 ns 2,5 µA A 70 V 150 ° C (Máximo)
JANS1N3595A-1 Microchip Technology JANS1N3595A-1 -
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 ECAD 6812 0,00000000 Microchip Technology - Volume Descontinuado no sic Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 125 v 1 V @ 200 mA 3 µs 2 Na @ 125 V -65 ° C ~ 175 ° C. 150mA -
S5D R6G Taiwan Semiconductor Corporation S5d r6g -
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 ECAD 3545 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-S5DR6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,15 V @ 5 A 1,5 µs 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 60pf @ 4V, 1MHz
ES3C R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3C R6 -
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 ECAD 6958 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-ES3CR6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 3 a 35 ns 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 45pf @ 4V, 1MHz
VS-15CTQ035STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ035STRL-M3 0,6730
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 ECAD 3350 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 15ctq035 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 7.5a 550 mV @ 7,5 A 800 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SF24G Yangjie Technology SF24G 0,0430
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 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-15 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-SF24GTB Ear99 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 2 a 35 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 60pf @ 4V, 1MHz
FEP16GT/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16GT/45 -
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 ECAD 1169 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Através do buraco To-220-3 FEP16 Padrão To-220-3 download Rohs Não Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 16a 1,3 V @ 8 A 50 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
RGP10M onsemi Rgp10m 0,4600
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 ECAD 3328 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial RGP10 Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
HS1ML MTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1ML MTG -
RFQ
 ECAD 5813 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB HS1M Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
MSASC150H45LV/TR Microchip Technology MSASC150H45LV/TR 274.2750
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 ECAD 2766 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Thinkey ™ 3 Schottky Thinkey ™ 3 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-MSASC150H45LV/TR Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 600 mV @ 150 A 10 mA a 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 150a -
BAV23-QR Nexperia USA Inc. BAV23-QR 0,0687
RFQ
 ECAD 9761 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-253-4, TO-253AA BAV23 Padrão SOT-143B download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1727-BAV23-QRTR Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 200 v 225mA 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V 150 ° C.
MBR20040CTR GeneSiC Semiconductor MBR20040CTR 90.1380
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 ECAD 1535 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR20040 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR20040CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 40 v 200a (DC) 650 mV @ 100 A 5 mA a 20 V
R6010625XXYA Powerex Inc. R6010625XXYA -
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 ECAD 2723 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud R6010625 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 11 µs 50 mA a 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 250a -
SIGC121T120R2CSYX1SA1 Infineon Technologies SIGC121T120R2CSYX1SA1 -
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 ECAD 1659 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto SIGC121T120 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1
AS1FG-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS1FG-M3/H. 0,4400
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 ECAD 18 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Avalanche DO-219AB (SMF) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,15 V @ 1,5 A 1,3 µs 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.5a 8.8pf @ 4V, 1MHz
1N3175R Microchip Technology 1N3175R 216.8850
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 ECAD 9423 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud 1N3175 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 1N3175RMS Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,25 V @ 240 A 75 µA A 1200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 240a -
FDLL457A onsemi FDLL457A 0,3900
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 ECAD 535 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 FDLL457 Padrão SOD-80 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 2.500 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 70 v 1 V @ 10 Ma 25 Na @ 60 V 175 ° C (max) 200Ma 6pf @ 0V, 1MHz
MPP4RA60-TE8L3 KYOCERA AVX MPP4RA60-TE8L3 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Kyocera Avx - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F MPP4 Padrão SOD-123fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,32 V @ 400 mA 40 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 400mA -
G5S06506AT Global Power Technology Co. Ltd G5S06506AT -
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 ECAD 5460 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC - Fornecedor indefinido 4436-G5S06506AT 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 6 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24.5a 395pf @ 0V, 1MHz
GL34M-TP Micro Commercial Co GL34M-TP -
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 ECAD 3428 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 GL34M Padrão Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 2.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 500 mA 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500mA -
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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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