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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
BAT46WJ/ZLF Nexperia USA Inc. Bat46wj/zlf -
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 ECAD 5784 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 934070446135 Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mV @ 250 Ma 5,9 ns 9 µA A 100 V 150 ° C (Máximo) 250mA 39pf @ 0V, 1MHz
VS-SD303C08S10C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD303C08S10C 59.2050
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 ECAD 9787 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Última Vez compra Prenda Do-200aa, a-puk SD303 Padrão Do-200aa, a-puk download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 12 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 2,26 V @ 1100 A 1 µs 35 mA a 800 V 350a -
MURS360T3H onsemi MURS360T3H -
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 ECAD 8270 0,00000000 Onsemi - Bandeja Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AB, SMC MURS36 Padrão SMC - ROHS3 Compatível Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,28 V @ 4 a 75 ns 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a -
SSA34HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ssa34he3_a/i 0,5000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SSA34 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 490 mV @ 3 a 200 µA a 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a -
1N5404 MDD 1N5404 1.2520
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 ECAD 1 0,00000000 Mdd DO-27 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão DO-27 (DO-201D) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 - 400 v 1,2 V @ 3 A -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 30pf @ 4V, 1MHz
IDV30E60C Infineon Technologies IDV30E60C -
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 ECAD 4131 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 IDV30E60 Padrão Pacote pg-paa220-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2.05 V @ 30 A 130 ns 40 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 21a -
1N5817 BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5817 BK PBFREE 0,0517
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 ECAD 5848 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Schottky DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 450 mv @ 1 a 1 mA a 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a -
10A07-BP Micro Commercial Co 10A07-bp 0,1623
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 ECAD 5348 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Não é para desenhos para Novos Através do buraco R-6, axial 10A07 Padrão R-6 download 353-10A07-BP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 10 A 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 150pf @ 4V, 1MHz
1N1201A Solid State Inc. 1N1201A 1.9500
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 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N1201A Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,2 V @ 30 A 10 µA A 150 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a -
6A60GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A60GHA0G -
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 ECAD 4951 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco R-6, axial 6A60 Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 700 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 6 A 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 60pf @ 4V, 1MHz
BYT52M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT52M-TAP 0,7400
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 ECAD 1022 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Sod-57, axial BYT52 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1 a 200 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.4a -
MBRM140T3G onsemi MBRM140T3G 0,4500
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 ECAD 2551 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-216AA MBRM140 Schottky Powermite download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 12.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
VS-6CWQ10FNTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ10FNTRRPBF -
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 ECAD 7517 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 6CWQ10 Schottky D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 3.5a 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C.
CLS03(TE16L,PCD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, PCD, Q) -
RFQ
 ECAD 5355 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLS03 Schottky L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 580 mV @ 10 A 1 mA a 60 V -40 ° C ~ 125 ° C. 10a 345pf @ 10V, 1MHz
MBR4090PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR4090PTHC0G -
RFQ
 ECAD 3325 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 MBR4090 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 90 v 40A 500 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C.
US1M-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1M-M3/5AT 0,4100
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA US1M Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,7 V @ 1 A 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
GR2KA Yangjie Technology Gr2ka 0,0360
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-gr2katr Ear99 5.000
NRVBM120ET3G onsemi NRVBM120ET3G -
RFQ
 ECAD 4714 0,00000000 Onsemi PowerMite® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-216AA NRVBM120 Schottky Powermite download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 12.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 595 mV @ 2 a 500 Na @ 5 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a -
1N3262 Solid State Inc. 1N3262 21.0000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud Padrão Do-9 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N3262 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,3 V @ 300 A 75 µA A 150 V -65 ° C ~ 190 ° C. 275a -
FEP6DT-5410HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP6DT-5410HE3/45 -
RFQ
 ECAD 8868 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 FEP6 Padrão To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 6a 975 mV @ 3 a 35 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSASC150W45LS/TR Microchip Technology MSASC150W45LS/TR -
RFQ
 ECAD 6427 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Thinkey ™ 3 Schottky, reversa polaridada Thinkey ™ 3 - Alcançar Não Afetado 150-MSASC150W45LS/TR Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 760 mV @ 150 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 150a -
VS-VSKD250-16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-vskd250-16pbf 174.6900
RFQ
 ECAD 5775 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi 3-MAGN-A-PAK ™ Vskd250 Padrão Magn-a-Pak® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vsvskd25016pbf Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1600 v 125a 50 mA a 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
SCS212AGHRC Rohm Semiconductor SCS212AGHRC 6.8300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 SCS212 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,55 V @ 12 A 0 ns 240 µA A 600 V 175 ° C (max) 12a 438pf @ 1V, 1MHz
S1G-JR2 Taiwan Semiconductor Corporation S1G-JR2 -
RFQ
 ECAD 3231 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 1,5 µs 1 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 12pf @ 4V, 1MHz
DSP45-16AR IXYS DSP45-16AR 11.2100
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Ixys - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 DSP45 Padrão Isoplus247 ™ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 43a 1,23 V @ 40 A 3 ma @ 1600 V -40 ° C ~ 175 ° C.
EGL34DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egl34dhe3_a/h -
RFQ
 ECAD 8386 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-213AA (Vidro) Egl34 Padrão DO-213AA (GL34) download Alcançar Não Afetado Egl34dhe3_b/h Ear99 8541.10.0070 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,25 V @ 500 mA 50 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500mA 7pf @ 4V, 1MHz
SR810 Taiwan Semiconductor Corporation SR810 0,2361
RFQ
 ECAD 5202 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR810 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 920 mV @ 8 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
GP15M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP15M-E3/54 0,6300
RFQ
 ECAD 6114 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Gp15 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 1,5 A 3,5 µs 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1.5a -
BYW55-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW55-TR 0,6400
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Sod-57, axial BYW55 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a -
SE10PJ-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE10PJ-M3/84A 0,4500
RFQ
 ECAD 570 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-220AA SE10 Padrão DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,05 V @ 1 A 780 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a -
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