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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SK4045CD2 | 0,7152 | ![]() | 4754 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-SK4045CD2 | 8541.10.0000 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 580 mV @ 25 A | 200 µA @ 45 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||
![]() | S3D08065G | 2.4500 | ![]() | 787 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | S3D08065 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-263-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,8 V @ 8 A | 0 ns | 51 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 23a | 661pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | Janhce1N5806 | 15.8100 | ![]() | 5685 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | Padrão | Morrer | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANHCE1N5806 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 10V, 1MHz | |||||
![]() | UPR10/TR13 | 1.3500 | ![]() | 3255 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-216AA | UPR10 | Padrão | DO-216 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 2 a | 25 ns | 2 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | - | ||||
![]() | 1N5062 | 0,0331 | ![]() | 440 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO15/DO204AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2796-1N5062tr | 8541.10.0000 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 2 A | 1,5 µs | 5 µA A 800 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||
![]() | DA221FHTL | 0,3800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | DA221 | Padrão | EMD3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 20 v | 100mA | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 15 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | HRB0502A-JTR-E | 0,2200 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | SK510CHM6G | - | ![]() | 2894 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK510 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | VS-16CTQ100SHM3 | 0,8712 | ![]() | 5638 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 16CTQ100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 8a | 720 mv @ 8 a | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | D970N04TXPSA1 | - | ![]() | 9842 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Do-200aa, a-puk | D970N0 | Padrão | - | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 970 mV @ 750 A | 20 mA a 400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 970A | - | ||||||
![]() | BYG20JHE3_A/H. | 0,5100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG20 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 1,5 A | 75 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | ||||
![]() | KYZ25A05 | 1.5769 | ![]() | 9378 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | CAIXA | Ativo | Presente Ajuste | Do-208aa | Padrão | DO-208 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-KYZ25A05 | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1.1 V @ 25 A | 100 µA a 50 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | |||||||
![]() | MF200K06F2 | 30.9063 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módulo F2 | Padrão | F2 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MF200K06F2 | Ear99 | 8 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 200a | 1,6 V @ 200 A | 140 ns | 500 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MBRF200150R | - | ![]() | 8632 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 150 v | 100a | 880 mV @ 100 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | SB250-E3/73 | - | ![]() | 9562 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SB250 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 680 mV @ 2 a | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||
![]() | VS-HFA15TB60-1-M3 | 1.3000 | ![]() | 791 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | HFA15 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 30 A | 60 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||
![]() | Jantx1N6643 | 6.5200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Volume | Ativo | Através do buraco | Axial | 1N6643 | Padrão | 05 Pacote de Plástico | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 125 v | 1,2 V @ 100 Ma | 6 ns | 50 Na @ 20 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | Bas40/dg/b3r | - | ![]() | 8139 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Bas40 | Schottky | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934069986215 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 1 V @ 40 Ma | 10 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 120mA | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | PMEG3030BEP-QX | 0,4900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 450 mv @ 3 a | 150 µA A 30 V | 150 ° C. | 3a | 500pf @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | BYV26EGPHE3/54 | - | ![]() | 7326 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | BYV26 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 2,5 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | NSR0340V2T1G | 0,3800 | ![]() | 5444 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | NSR0340 | Schottky | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 510 mV @ 200 mA | 5 ns | 6 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 250mA | 6pf @ 10V, 1MHz | ||||
![]() | VS-20ETF08STRR-M3 | 1.6055 | ![]() | 4544 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20ETF08 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,31 V @ 20 A | 400 ns | 100 µA A 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||||
US1BHM2G | - | ![]() | 9863 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | US1B | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | RF05VA1STR | 0,0983 | ![]() | 3724 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | RF05VA1 | Padrão | TUMD2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 980 mV @ 500 mA | 25 ns | 10 µA A 100 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||
![]() | Vs-vskj166/08pbf | 47.4400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Int-a-pak (3) | Vskj166 | Padrão | Int-a-pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 800 v | 82.5a | 20 mA a 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | CUS520, H3F | 0,2000 | ![]() | 707 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | CUS520 | Schottky | USC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 280 mV a 10 mA | 5 µA A 30 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 17pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | NSVR0240P2T5G | 0,6100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-923 | NSVR0240 | Schottky | SOD-923 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 600 mV a 200 mA | 5 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 7pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | 1N1124A | 38.3850 | ![]() | 6812 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1124 | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 2,2 V @ 10 A | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3.3a | - | ||||||
![]() | MBR2X050A080 | 43.6545 | ![]() | 5522 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 80 v | 50a | 840 mV @ 50 A | 1 mA a 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | 12TQ100 | 0,9400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | 12tq | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1655-1001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 840 mV @ 15 A | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | 500pf @ 5V, 1MHz |
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