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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SD175SB45B.T1 | 2.5267 | ![]() | 8436 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SD175 | Schottky | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0040 | 49 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 640 mV @ 30 A | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 1600pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | BYS10-45-E3/TR | 0,4300 | ![]() | 70 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Bys10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | |||||
![]() | SF56G-BP | 0,1580 | ![]() | 2923 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF56 | Padrão | Do-201d | download | 353-SF56G-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,27 V @ 5 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | HTZ170C2.8K | - | ![]() | 6977 | 0,00000000 | Ixys | HTZ170C | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | HTZ170 | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 2800 v | 10a | 1,9 V @ 40 A | 500 µA @ 2800 V | ||||||
![]() | BY459X-1500S, 127 | - | ![]() | 2238 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | By45 | Padrão | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934052990127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1500 v | 1,35 V @ 6,5 A | 220 ns | 250 µA @ 1300 V | 150 ° C (Máximo) | 10a | - | |||
![]() | R42130 | 102.2400 | ![]() | 8780 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-R42130 | 1 | ||||||||||||||||||||
S2KFSH | 0,0683 | ![]() | 2711 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S2KFSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 28.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 2 A | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | 3A60HB0G | - | ![]() | 7414 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 3A60 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 3 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 27pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | DSK16 | 0,0955 | ![]() | 117 | 0,00000000 | Mdd | SOD-123fl | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 12.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 300 µA A 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | S2dhe3-ltp | 0,0783 | ![]() | 5445 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S2d | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | 353-S2DHE3-LTP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 2 A | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | FMET-22015 | - | ![]() | 2507 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | FMET-22 | Schottky | TO-220F | download | Rohs Compatível | 1261-FMET-22015 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 20a | 980 mV @ 10 A | 100 µA A 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | Jantxv1n4148ubca/tr | 33.7953 | ![]() | 1573 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/116 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1N4148 | Padrão | Ub | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N4148UBCA/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 75 v | 200Ma | 1,2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | ||||
![]() | Hs1b | 0,1900 | ![]() | 5392 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||
![]() | S3MC | 0,2155 | ![]() | 417 | 0,00000000 | Mdd | SMC | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-214AB, SMC | Padrão | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | 1000 v | 1 V @ 3 A | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | BAW56LT3 | - | ![]() | 1021 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAW56 | Padrão | SOT-23-3 (TO-236) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 70 v | 200Ma (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2,5 µA A 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | BAS3005A-02VE6327 | 0,0400 | ![]() | 4118 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | Schottky | PG-SC79-2-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 500 mA | 300 µA A 30 V | 150 ° C. | 500mA | 10pf @ 5V, 1MHz | ||||||
![]() | 1ss355l-tp | 0,0426 | ![]() | 2459 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 1SS355 | Padrão | SOD-323fl | download | 353-1SS355L-TP | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | 3pf @ 6V, 1MHz | ||||||
![]() | Jan1n4148ur-1/tr | 1.1970 | ![]() | 4733 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/241 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N4148UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 800 mV a 10 mA | 20 ns | 25 Na @ 20 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 2.8pf @ 1.5V, 1MHz | |||||
![]() | 1N2022R | 2.5000 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2022R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 250 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 250 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||||
Jantx1n6638/tr | 5.2402 | ![]() | 1441 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Polaridada reversa padrão | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1n6638/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 134 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,1 V @ 200 mA | 4,5 ns | 500 Na @ 125 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300mA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||
BZX84C6V8WQ | 0,0280 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX84C6V8WQTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | BYV32EB-300PJ | 0,6237 | ![]() | 7112 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYV32 | Padrão | D2PAK | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 20a | 1,25 V @ 10 A | 35 ns | 20 µA A 300 V | 175 ° C (max) | |||||
![]() | IDV03S60CXKSA1 | - | ![]() | 4936 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | IDV03S60 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Pacote pg-paa220-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 1,9 V @ 3 A | 0 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 90pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | TS4148 RWG | - | ![]() | 4528 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | 1005 (2512 Mética) | Padrão | 1005 | - | 1801-TS4148RWG | Obsoleto | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1 V @ 50 Ma | 25 µA A 75 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | Gr2ba | 0,0360 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-gr2batr | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||||
![]() | Dma200x1600na | 30.1800 | ![]() | 8859 | 0,00000000 | Ixys | Dma200x1600na | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | DMA200 | Padrão | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 238-DMA200X1600na | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 1600 v | 100a | 1,24 V @ 100 A | 200 µA A 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | VS-S1357 | - | ![]() | 3930 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1357 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 20ctq040 | 1.0900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | 20ctq | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 20a | 800 mV @ 20 A | 1 mA a 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | 1N6657 | 242.5050 | ![]() | 8755 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/616 | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | 1N6657 | Padrão | To-254 | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | 150pf @ 10V, 1MHz | |||||
![]() | DPG10I600APA | 1.6092 | ![]() | 5086 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | - | - | DPG10 | - | - | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-DPG10I600APA | 50 | - | - | - | - |
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