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Diodos únicos (57622)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | US2AB-HF | 0,1035 |  | 6628 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | US2A | Padrão | SMB/DO-214AA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-US2AB-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||
 | SCS205KGHRC | - | | 4632 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | SCS205 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,6 V @ 5 A | 0 ns | 100 µA A 1200 V | 175 ° C (max) | 5a | 270pf @ 1V, 1MHz | ||
 | 1N4005-N-0-1-BP | - | | 2301 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4005 | Padrão | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1N4005-N-0-1-BPMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
 | VS-80PFR120W | 4.9319 | | 5313 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | 80pfr120 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs80pfr120w | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,4 V @ 220 A | -55 ° C ~ 180 ° C. | 80a | - | |||
 | PCDD1065G1_L2_00001 | 4.2700 | | 3 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | PCDD1065 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PCDD1065G1_L2_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 70 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 364pf @ 1V, 1MHz | |
| Jantx1n6941utk3as/tr | 506.5350 | | 9446 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 3 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Thinkey ™ 3 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N6941utk3as/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 50 A | 5 mA a 30 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150a | 7500pf @ 5V, 1MHz | ||||
 | Jantx1n5621us | 10.2450 | | 6482 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1N5621 | Padrão | D-5A | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,6 V @ 3 A | 150 ns | 500 Na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 12V, 1MHz | ||
 | HFA15TB60-1 | - | | 8181 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | HFA15 | Padrão | TO-262-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||
| Jan1n3913ar | - | | 1271 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/308 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 50 A | 150 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - | |||||
 | 1N5281BE3/tr | 3.3117 | | 3400 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N5281BE3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 152 V | ||||||||||
| VS-S232A | - | | 7592 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | S232A | - | 112-VS-S232A | 1 | ||||||||||||||||||
 | SDUR2040 | 0.4907 | | 6312 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Sdur2 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | SDUR2040SMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,51 V @ 20 A | 45 ns | 15 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | - | - | |
 | IDK02G120C5XTMA1 | 3.7900 | | 8160 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IDK02G120 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA263-2-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-IDK02G120C5XTMA1-448 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,65 V @ 2 A | 18 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 11.8a | 182pf @ 1V, 1MHz | ||
 | EGL34G-E3/98 | 0,4100 | | 2431 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | Egl34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | ||
 | SF33G A0G | - | | 7118 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF33 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||
 | F1b | 0,0210 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-F1BTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | Bat41wfilm | - | | 6919 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BAT41 | Schottky | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 200 mA | 100 Na @ 50 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | |||
| B3100B-13-F-2477 | - | | 6623 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | SMB | - | 31-B3100B-13-F-2477 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 670 mV @ 3 a | 200 µA a 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||
| VS-42HFR20 | 6.2830 | | 5132 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 42HFR20 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS42HFR20 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 125 A | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40A | - | |||
 | VS-MBRB1045PBF | - | | 9438 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB10 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs-MBRB1045pbfgi | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 600pf @ 5V, 1MHz | ||
 | SBR5E60P5-13D | 0,1740 | | 8846 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | SBR5E60 | Super Barreira | Powerdi ™ 5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 520 mV @ 5 A | 220 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||
| SBRT15M50AP5-7D | - | | 4200 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Trenchsbr | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | SBRT15 | Super Barreira | Powerdi ™ 5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | SBRT15M50AP5-7DDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 540 mV @ 15 A | 150 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||
 | NTE5920 | 12.7300 | | 24 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE5920 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,23 V @ 63 A | 12 mA a 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 20a | - | |||||
 | SS19LH | 0,2235 | | 9737 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | SS19 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SS19lHtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 800 mv @ 1 a | 50 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
| BYD33mbulk | 0,2100 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Avalanche | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-byd33mbulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 300 ns | 1 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.3a | - | ||||
 | V8pm45-m3/h | 0,6500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V8pm45 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 600 mV @ 8 a | 200 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 1450pf @ 4V, 1MHz | |||
 | Jantx1n3647.tr | - | | 6563 | 0,00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/279 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | 600-JANTX1N3647.TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 3000 v | 5 V @ 250 Ma | 2,5 µs | 1 µA A 3000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 600mA | 8pf @ 5V, 1MHz | |||||
| 1N2242 | 44.1600 | | 9670 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N2242 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 5a | - | |||||
| PCFFS30120AF | 15.2300 | | 6091 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | PCFFS30120 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Morrer | - | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-PCFFS30120AF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,75 V @ 30 A | 0 ns | 200 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 46a | 1740pf @ 1V, 100kHz | |
 | BZX84B36W | 0,0180 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX84B36WTR | Ear99 | 3.000 |
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