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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SS120JTA-E | 0,1700 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||
![]() | 1N4937G | 0,2200 | ![]() | 4048 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4937 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 150 ns | 2,5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | FMX-1106S | 1.8300 | ![]() | 61 | 0,00000000 | Sanken | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | TO-220F-2L | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FMX-1106S DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 5 A | 30 ns | 50 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
![]() | DZ600N16KB01HPSA1 | - | ![]() | 5310 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | DZ600N16 | Padrão | BG-PB501-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000091795 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1800 v | 40 mA @ 1800 V | 150 ° C (Máximo) | 735a | - | ||||
![]() | CD214A-FS1G | 0,1200 | ![]() | 1484 | 0,00000000 | Bourns Inc. | CD214A-FS1X | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | Padrão | 2-SMD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Uf1d-tp | 0,0783 | ![]() | 8341 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Uf1d | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | 353-UF1D-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA A 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Jantxv1n5554/tr | 11.5950 | ![]() | 5425 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-Jantxv1N5554/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA a 1 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||
![]() | UHB10FT-E3/8W | - | ![]() | 7360 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | UHB10 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,2 V @ 10 A | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | ||
![]() | Egl34che3_a/h | - | ![]() | 8592 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | Egl34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | Alcançar Não Afetado | Egl34che3_b/h | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | |||
MMSZ5237BQ | 0,0270 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MMSZ5237BQTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | SBT1845-3G | 0,6797 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-SBT1845-3G | 8541.10.0000 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 535 mV @ 18 a | 100 µA A 45 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 18a | - | |||||
![]() | MUR560D | 0,2150 | ![]() | 250 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MUR560DTR | Ear99 | 2.500 | ||||||||||||||||
![]() | RB521SM-60T2R | 0,2600 | ![]() | 108 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | RB521 | Schottky | EMD2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 60 v | 600 mV a 200 mA | 100 µA A 60 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | - | |||
![]() | PR3007-A52 | - | ![]() | 4676 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | 6-smd, sem chumbo | Padrão | 6-SMD | - | 31-PR3007-A52 | Obsoleto | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 3 A | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | DSS26U | 0,2400 | ![]() | 5139 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123fl | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | Ugf8athe3_a/p | - | ![]() | 8544 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-UGF8ATHE3_A/P. | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 8 A | 30 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | STTH4R02D | - | ![]() | 2841 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | STTH4R02 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-5281-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 4 A | 30 ns | 3 µA A 200 V | 175 ° C (max) | 4a | - | |
![]() | MBRAD15150H | 1.0200 | ![]() | 2868 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRAD15150 | Schottky | Thindpak | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 15 A | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 291pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | BZX584C3V9Q | 0,0270 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX584C3V9QTR | Ear99 | 8.000 | ||||||||||||||||
![]() | Vs-vs30edr16l | - | ![]() | 4425 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Vs30 | - | 112-VS-VS30EDR16L | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | FFSB0665B-F085 | 3.3600 | ![]() | 784 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FFSB0665 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D²PAK-2 (TO-263-2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 40 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 259pf @ 1V, 100kHz | ||
![]() | BA158GPHE3/73 | - | ![]() | 1529 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BA158 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | UF4006HA0G | - | ![]() | 5426 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF4006 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | RB751S-40FHTE61 | - | ![]() | 7867 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB751 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 846-RB751S-40FHTE61TR | Obsoleto | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | RB060MM-60TR | 0,4700 | ![]() | 37 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | RB060 | Schottky | PMDU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 610 mV @ 2 a | 50 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||
![]() | 1n249rc | 2.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N249RC | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||
![]() | BZX84C2V4Q | 0,0260 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX84C2V4QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | UX-A5B | - | ![]() | 3983 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1261-UX-A5B | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 4000 v | 8 V @ 350 mA | 150 ns | 10 µA A 4000 V | 120 ° C. | 350mA | - | |||
![]() | Es3cbf | 0,0640 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES3CBFTR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||
![]() | Vs-vs19edr20l | - | ![]() | 7501 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Vs19 | - | 112-VS-VS19EDR20L | 1 |
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