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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
UGB12JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB12Jthe3/45 -
RFQ
 ECAD 7390 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab UGB12 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,75 V @ 12 A 50 ns 30 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a -
SS35HT-TP Micro Commercial Co SS35HT-TP -
RFQ
 ECAD 4216 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123T SS35 Schottky SOD-123HT download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 3 a 200 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 160pf @ 4V, 1MHz
UF4004-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4004-E3/73 0,5000
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial UF4004 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
EGP50G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50G-E3/54 -
RFQ
 ECAD 3245 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial EGP50 Padrão GP20 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.400 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 5 A 50 ns 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a 75pf @ 4V, 1MHz
IDD05SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD05SG60CXTMA2 1.9507
RFQ
 ECAD 6564 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IDD05SG60 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 600 v 2,3 V @ 5 A 0 ns 30 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 110pf @ 1V, 1MHz
CGRB204-G Comchip Technology CGRB204-G 0.1008
RFQ
 ECAD 8030 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB CGRB204 Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 2 A 5 µA A 400 V 150 ° C (Máximo) 2a -
S3DB-13-F Diodes Incorporated S3DB-13-F 0,4900
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 ECAD 154 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB S3d Padrão SMB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,15 V @ 3 A 10 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 40pf @ 4V, 1MHz
GFA00GK-L08H-PRD onsemi GFA00GK-L08H-PRD -
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 ECAD 6645 0,00000000 Onsemi - Volume Obsoleto - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 488-GFA00GK-L08H-PRD Obsoleto 1
MURS160B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MURS160B 0,4800
RFQ
 ECAD 3874 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,25 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 14pf @ 4V, 1MHz
BYM10-600HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM10-600HE3/97 -
RFQ
 ECAD 6967 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) BYM10 Padrão DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado BYM10-600HE3_A/i Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
MBR5U60SQ-TP Micro Commercial Co MBR5U60SQ-TP 1.0600
RFQ
 ECAD 9004 0,00000000 Micro Commercial Co. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Schottky To-277 download 1 (ilimito) 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 640 mV @ 5 A 100 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 415pf @ 4V, 1MHz
DSS60-0045B IXYS DSS60-0045B -
RFQ
 ECAD 2959 0,00000000 Ixys - Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 DSS60 Schottky TO-247AD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado DSS600045B Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 600 mV @ 60 A 10 mA a 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 60a -
ER302_R2_00001 Panjit International Inc. ER302_R2_00001 0,1296
RFQ
 ECAD 4349 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial ER302 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-ER302_R2_00001CT Ear99 8541.10.0080 60.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 3 a 35 ns 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 35pf @ 4V, 1MHz
SR004 Taiwan Semiconductor Corporation SR004 0,0712
RFQ
 ECAD 8389 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SR004 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV a 500 mA 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
SB5H90-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB5H90-E3/73 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SB5H90 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 800 mV @ 5 A 200 µA A 90 V 175 ° C (max) 5a -
VS-125NQ015PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-125NQ015pbf 19.5000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 Half-Pak 125NQ015 Schottky D-67 Half-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 15 v 430 mV @ 120 A 40 mA a 15 V 120a 7700pf @ 5V, 1MHz
SIDC09D60F6X1SA4 Infineon Technologies SIDC09D60F6X1SA4 -
RFQ
 ECAD 4272 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem na Superfície Morrer SIDC09D60 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,6 V @ 30 A 27 µA A 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 30a -
GP15DHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Gp15dhe3/54 -
RFQ
 ECAD 1848 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Gp15 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1,5 A 3,5 µs 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1.5a -
SS2P2L-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P2L-E3/85A -
RFQ
 ECAD 1132 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-220AA SS2P2 Schottky DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 mv @ 2 a 200 µA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
1N5818-AP Micro Commercial Co 1N5818-AP 0,0464
RFQ
 ECAD 4545 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N5818 Schottky DO-41 download 353-1N5818-AP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 10 ns 1 mA a 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
S1PKHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1PKHM3/85A 0,0754
RFQ
 ECAD 7647 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-220AA S1p Padrão DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 6pf @ 4V, 1MHz
MB110F_R1_00001 Panjit International Inc. MB110F_R1_00001 0,0840
RFQ
 ECAD 3937 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-221aa, SMB plat do MB110 Schottky SMBF download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 501.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 50 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 50pf @ 4V, 1MHz
MB29_R1_00001 Panjit International Inc. MB29_R1_00001 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB MB29 Schottky SMB (DO-214AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 800 mv @ 2 a 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a -
BAS16WS-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS16WS-HE3-08 0,2300
RFQ
 ECAD 4761 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 Bas16 Padrão SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 75 v 1,25 V @ 150 Ma 6 ns 1 µA A 75 V -55 ° C ~ 150 ° C. 250mA 2pf @ 0V, 1MHz
GR2J Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Gr2j 0,2800
RFQ
 ECAD 9666 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 2 A 250 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
JAN1N5822US Microchip Technology JAN1N5822US 70.2600
RFQ
 ECAD 8559 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/620 Volume Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, b Schottky B, Sq-Melf - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 3 a -65 ° C ~ 150 ° C. 3a -
V1FM10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1fm10-m3/i 0,0592
RFQ
 ECAD 7231 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB V1fm10 Schottky DO-219AB (SMF) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 112-V1FM10-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 770 mV @ 1 a 50 µA A 100 V -40 ° C ~ 175 ° C. 1a 95pf @ 4V, 1MHz
1N2133AR GeneSiC Semiconductor 1n2133ar 8.9025
RFQ
 ECAD 9934 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1n2133ar Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N2133Argn Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,1 V @ 60 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 60a -
SS34A Yangjie Technology SS34A 0,0400
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-SS34atr Ear99 5.000
RGP10GHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GHM3/73 -
RFQ
 ECAD 7660 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial RGP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
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