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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FESB8CT-E3/81 | 0,7496 | ![]() | 6481 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FESB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | FR16BR02 | 8.5020 | ![]() | 5034 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR16BR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 900 mV @ 16 a | 200 ns | 25 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||
![]() | Ar4pmhm3_a/h | 0,6699 | ![]() | 4078 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | AR4 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,9 V @ 4 A | 120 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.8a | 55pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MP738-E3/54 | - | ![]() | 7960 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MP738 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | - | 1a | - | |||||
![]() | VS-SD1553C25S20K | 340.6400 | ![]() | 7871 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Prenda | DO-200AC, K-Puk | SD1553 | Padrão | DO-200AC, K-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSSD1553C25S20K | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2500 v | 2,23 V @ 4000 A | 2 µs | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1825a | - | ||
![]() | Jantx1n6910utk2/tr | 451.8750 | ![]() | 5979 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Thinkey ™ 2 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTX1N6910UTK2/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 15 v | 520 mV @ 25 A | 1,2 mA a 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 2000pf @ 5V, 1MHz | ||||
![]() | MUR180-AP | - | ![]() | 4510 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MUR180 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,75 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1N4946GP-E3/54 | 0,5000 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4946 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | ER3K-TPS01 | 0,1734 | ![]() | 2956 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ER3K | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | 353-ER3K-TPS01 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBRF2045 | - | ![]() | 8446 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRF2045 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 750 mV @ 20 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||
![]() | SS1FH10-M3/H. | 0,4600 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS1FH10 | Schottky | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 1 a | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SS14HE3/61T | - | ![]() | 7151 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA a 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
![]() | Vs-mbrb745trrpbf | - | ![]() | 7889 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB7 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSMBRB745TRRPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 570 mV @ 7.5 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | ||
![]() | 1N4004GPE-M3/73 | - | ![]() | 5484 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4004 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-25F80M | 11.4300 | ![]() | 9211 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 25F80 | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 78 A | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | ||||
![]() | 1N2287 | 2.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2287 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||
![]() | QRT812D_R2_00001 | - | ![]() | 1705 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | QRT812 | Padrão | To-263 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,2 V @ 8 A | 45 ns | 3 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||
![]() | 1N1127 | 38.3850 | ![]() | 3156 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1127 | Padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,2 V @ 30 A | 10 µA A 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - | ||||
![]() | Hs1gl | 0,2228 | ![]() | 4035 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HS1GLTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SE70PJHM3_A/H. | 0,8500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SE70 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,05 V @ 7 A | 2,6 µs | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.9a | 76pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | DS35-08A | - | ![]() | 5996 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | DS35 | Padrão | DO-203AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,55 V @ 150 A | 4 mA a 800 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 49a | - | |||
![]() | CFRC305-G | 0,2233 | ![]() | 2944 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | CFRC305 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 5 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 3a | - | ||
![]() | APT30D120SG | 3.5850 | ![]() | 4253 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT30D120 | Padrão | D3 [s] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 2,5 V @ 30 A | 370 ns | 250 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | ||
![]() | HSM880GE3/TR13 | 1.5600 | ![]() | 1392 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-215AB, Asa de Gaivota SMC | HSM880 | Schottky | DO-215AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 780 mV @ 8 a | 500 µA A 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||
![]() | 1N5397G B0G | - | ![]() | 9958 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5397 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 1,5 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | CDBFR0230L-HF | - | ![]() | 9121 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 1005 (2512 Mética) | CDBFR0230 | Schottky | 1005/SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 500 mV @ 200 mA | 30 µA a 30 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 9pf @ 10V, 1MHz | |||
![]() | DSB5822 | - | ![]() | 1257 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | DSB5822 | Schottky | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 3 a | 100 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | AR3PKHM3/87A | - | ![]() | 7150 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | AR3 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,9 V @ 3 A | 120 ns | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.6a | 34pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SURS360DBT3G | - | ![]() | 2798 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | SURS360 | - | 488-SURS360DBT3G | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||
![]() | RB521S-40TE61 | - | ![]() | 4710 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | RB521 | Schottky | EMD2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 540 mV @ 200 mA | 90 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | - |
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