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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1n458a | 0,2000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 2368-1N458a | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1 V @ 100 Ma | 25 µA A 125 V | 175 ° C (max) | 500mA | - | |||||
![]() | SL12-M3/61T | 0,0860 | ![]() | 4831 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SL12 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 445 mV @ 1 a | 200 µA a 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1.5a | - | |||
![]() | VS-1N1190RA | - | ![]() | 7330 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1190 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 126 A | 2,5 mA a 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||
![]() | Fr205 | - | ![]() | 5788 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Fr20 | Padrão | DO-15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 2 A | 250 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | HVL2010BRP | - | ![]() | 5740 | 0,00000000 | Onsemi | * | Bandeja | Ativo | - | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-HVL2010BRP | 1 | ||||||||||||||||
![]() | S210F | 0,0350 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-S210FTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | AS1FG-M3/H. | 0,4400 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Avalanche | DO-219AB (SMF) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,15 V @ 1,5 A | 1,3 µs | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 8.8pf @ 4V, 1MHz | ||||
MPP4RA60-TE8L3 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Kyocera Avx | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | MPP4 | Padrão | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,32 V @ 400 mA | 40 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 400mA | - | ||||
![]() | SBR3060 | 51.2250 | ![]() | 1415 | 0,00000000 | Microchip Technology | SBR306 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | SBR3060 | Schottky | DO-4 (DO-203AA) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 680 mV @ 30 A | 1,5 mA a 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | ||||
![]() | SS56C-HF | 0,2046 | ![]() | 5974 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SS56 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 5 a | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 400pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Vs-e5th3006thn3 | 2.2800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Vs-e5 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-E5TH3006THN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,6 V @ 30 A | 46 ns | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | |
![]() | CS240610 | - | ![]() | 9662 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo Pow-R-Blok ™ | Padrão | Módlo Pow-R-Blok ™ | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 100 A | 800 ns | 20 mA a 600 V | 100a | - | ||||
![]() | SRA1660 | - | ![]() | 7430 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRA1660 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mV @ 16 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||
![]() | SB32AFC_R1_00001 | 0,0780 | ![]() | 5079 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | SB32 | Schottky | SMAF-C | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 201.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 3 a | 100 µA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 485pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | Jan1n6076 | 19.0950 | ![]() | 8906 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/503 | Volume | Ativo | Através do buraco | E, axial | 1N6076 | Padrão | E-pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,76 V @ 18,8 A | 30 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 155 ° C. | 1.3a | - | ||
![]() | Ues1302e3/tr | 24.5400 | ![]() | 3773 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-UES1302E3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 925 mV @ 6 a | 30 ns | 5 µA A 100 V | 175 ° C. | 6a | - | |||
![]() | VBT2045BP-M3/8W | 0,7145 | ![]() | 3172 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT2045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 660 mV @ 20 A | 2 mA a 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||
![]() | DFLR1200-7-G | - | ![]() | 6826 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | DFLR1200 | - | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | DFLR1200-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | HVD131KRF-E | 0,0900 | ![]() | 196 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Obsoleto | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | |||||||||||||||
![]() | S2G-CT | 0,3449 | ![]() | 96 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S2G | Padrão | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-S2G-CT | 8541.10.0000 | 15 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,15 V @ 2 A | 1,5 µs | 5 µA A 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||
![]() | MMBD914LT3G | 0,1200 | ![]() | 606 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD914 | Padrão | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | Ru 4c | - | ![]() | 6849 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Axial | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,6 V @ 3 A | 400 ns | 10 µA A 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | ||||
![]() | FDLL457A | 0,3900 | ![]() | 535 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | FDLL457 | Padrão | SOD-80 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 10 Ma | 25 Na @ 60 V | 175 ° C (max) | 200Ma | 6pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | MBRF16H35HE3/45 | - | ![]() | 5514 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | MBRF16 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 660 mV @ 16 a | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||
![]() | ES2D-TP | - | ![]() | 3356 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES2D | Padrão | DO-214AC (HSMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 2 a | 50 ns | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||
![]() | RL256GP-TP | 0,0986 | ![]() | 3858 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | R-3, axial | RL256 | Padrão | R-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 2,5 A | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||
FR1004-AP | - | ![]() | 5709 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | R-6, axial | FR1004 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 10 A | 150 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||||
![]() | 1N6642U | 6.7800 | ![]() | 5910 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, d | 1N6642 | Padrão | D-5D | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 800 mV a 10 mA | 5 ns | 500 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | - | ||
![]() | VS-3EJH02-M3/6B | 0,5000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | 3EJH02 | Padrão | DO-221AC (Slimsma) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 930 mV @ 3 a | 30 ns | 2 µA a 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||
US1K R3G | - | ![]() | 5356 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | US1K | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz |
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