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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
1N457A/TR Microchip Technology 1n457a/tr 3.9600
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 ECAD 9155 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Polaridada reversa padrão DO-35 (DO-204AH) download Alcançar Não Afetado 150-1N457a/tr Ear99 8541.10.0070 239 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 70 v 1 V @ 100 Ma 1 µA A 70 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA -
SS520F-HF Comchip Technology SS520F-HF 0,1512
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 ECAD 9175 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SS520 Schottky SMAF download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 850 mv @ 5 a 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 300pf @ 4V, 1MHz
GF1DHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Gf1dhe3/67a -
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 ECAD 5369 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214BA GF1 Padrão DO-214BA (GF1) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 2 µs 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
1N4936G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936G 0,0577
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 ECAD 4387 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4936 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 1 A 200 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
SDT8A120P5Q-7D Diodes Incorporated Sdt8a120p5q-7d -
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 ECAD 2971 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 840 mV @ 8 a 300 µA A 120 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
HS1DLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation Hs1dlw rvg 0,1278
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 ECAD 6942 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123W Hs1d Padrão SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 16pf @ 4V, 1MHz
GAS06520D Global Power Technology Co. Ltd GAS06520D -
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 ECAD 8628 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 - Fornecedor indefinido 4436-GAS06520D 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 79.5a 1390pf @ 0V, 1MHz
VS-10ETF02STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF02STRL-M3 0,9682
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 ECAD 5059 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 10etf02 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,2 V @ 10 A 200 ns 100 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 10a -
SSL14 Taiwan Semiconductor Corporation SSL14 0.1311
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 ECAD 4884 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SSL14 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 390 mV @ 1 a 200 µA a 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
RS1KLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1klhmhg -
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 ECAD 1064 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rs1k Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 800 mA 500 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 10pf @ 4V, 1MHz
MUR110 onsemi Mur110 -
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 ECAD 3872 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Volume Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial MUR11 Padrão Axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 875 mV @ 1 a 35 ns 2 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
SBAS20LT1G onsemi SBAS20LT1G 0,3500
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 ECAD 5 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBAS20 Padrão SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 200 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
FSV10120V onsemi FSV10120V 1.0100
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 ECAD 1 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN FSV10120 Schottky TO-277-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 800 mv @ 10 a 16,7 ns 25 µA A 120 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 608pf @ 4V, 1MHz
RB540VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB540VM-40TE-17 0,3800
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 ECAD 3 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F RB540 Schottky Umd2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 710 mV @ 100 Ma 15 µA A 40 V 150 ° C. 200Ma -
BY229B-800-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229B-800-E3/81 -
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 ECAD 5867 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab BY229 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,85 V @ 20 A 145 ns 10 µA a 800 V -40 ° C ~ 150 ° C. 8a -
MUR115GP-AP Micro Commercial Co MUR115GP-AP 0,0736
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 ECAD 8102 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial MUR115 Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 970 mV @ 1 a 45 ns 5 µA A 150 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
VS-SD403C08S10C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD403C08S10C 60.4217
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 ECAD 7220 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Última Vez compra Prenda Do-200aa, a-puk SD403 Padrão Do-200aa, a-puk download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 12 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,83 V @ 1350 A 1 µs 35 mA a 800 V 430A -
GS1K SMC Diode Solutions GS1K 0,0275
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 ECAD 4666 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA GS1 Padrão SMA (DO-214AC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 1 A 2,5 µs 5 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
AG01AV Sanken AG01AV -
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 ECAD 1972 0,00000000 Sanken - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Axial AG01 Padrão Axial download Rohs Compatível 1 (ilimito) AG01AV DK Ear99 8541.10.0070 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,8 V @ 600 mA 100 ns 100 µA A 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 500mA -
IDP04E120 Infineon Technologies IDP04E120 -
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 ECAD 7974 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 IDP04 Padrão PG-PARA220-2-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2,15 V @ 4 A 115 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 11.2a -
MBRF2060 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2060 -
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 ECAD 9240 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBRF2060 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 820 mV @ 20 A 200 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a -
1N4448WXHE3-TP Micro Commercial Co 1N4448WXHE3-TP 0,2700
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 ECAD 6 0,00000000 Micro Commercial Co. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1N4148 Padrão SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 353-1N4448WXHE3-TPTR Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 75 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 2,5 µA A 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 250mA 4pf @ 0V, 1MHz
STPSC10065D STMicroelectronics STPSC10065D 3.6600
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 ECAD 890 0,00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 STPSC10065 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-17624 Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,45 V @ 10 A 0 ns 130 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C. 10a 670pf @ 0V, 1MHz
1N4007GPEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPEHE3/73 -
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 ECAD 5004 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4007 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado IN4007GPEHE3/73 Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 1 A 2 µs 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
SET010423 Semtech Corporation SET010423 -
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 ECAD 1706 0,00000000 Semtech Corporation - Volume Descontinuado no sic Chassi, montagem em pântano Módlo Set01 Padrão - download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,6 V @ 9 A 50 ns 10 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
SFT11GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation Sft11gha1g -
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 ECAD 4629 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Descontinuado no sic Através do buraco T-18, axial SFT11 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
1N2230 Microchip Technology 1N2230 44.1600
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 ECAD 8801 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão DO-4 (DO-203AA) download Alcançar Não Afetado 150-1N2230 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 30 A 10 µA A 200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 5a -
VS-MURB1520-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURR1520-1-M3 1.0400
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 ECAD 9443 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MURB1520 Padrão TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,05 V @ 15 A 35 ns 10 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
HS2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2JA R3G 0,6400
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 ECAD 20 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA HS2J Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1,5 A 75 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 30pf @ 4V, 1MHz
PMEG2015EPK,315 Nexperia USA Inc. PMEG2015EPK, 315 0,4900
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 ECAD 6496 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-xdfn PMEG2015 Schottky DFN1608D-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 8.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 420 mV @ 1.5 A 5 ns 350 µA A 10 V 150 ° C (Máximo) 1.5a 120pf @ 1V, 1MHz
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