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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5393GP-E3/54 | 0,6300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5393 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,4 V @ 1,5 A | 2 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N4004L-T | - | ![]() | 6330 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4004 | Padrão | DO-41 | download | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | IN4004L-T | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Mur6060p | 1.4910 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tubo | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MUR6060P | Ear99 | 360 | ||||||||||||||||
![]() | ES1PCHM3/84A | 0,1673 | ![]() | 7242 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | ES1 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 920 mV @ 1 a | 25 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MUH1PDHM3/89A | - | ![]() | 2974 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | MicroSMP | MUH1 | Padrão | MicroSMP (DO-219AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 1 A | 40 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | E1ff | 0,0230 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-E1FFTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | VS-E4TU2006FP-N3 | 1.0700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | E4TU2006 | Padrão | Pacote completo parágrafo 220-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,63 V @ 20 A | 61 ns | 15 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | - | ||
![]() | Mura115T3 | - | ![]() | 2390 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Mura115 | Padrão | SMA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||
![]() | MBRB7H45HE3/81 | - | ![]() | 5887 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB7 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 630 mV @ 7.5 A | 50 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | - | |||
![]() | PMEG3002esfcyl | 0,0300 | ![]() | 63 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | PMEG3002 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | UFM16PL-TP | 0.1020 | ![]() | 8424 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | UFM16 | Padrão | SOD-123fl | download | 353-UFM16PL-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 10 µA a 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SB150-B | - | ![]() | 8974 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Schottky | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | Jantxv1n6858ur-1/tr | - | ![]() | 5405 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N6858UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 650 mV @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75mA | 4.5pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | BYW85-TAP | 0,5445 | ![]() | 8050 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Sod-64, axial | BYW85 | Avalanche | SOD-64 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1 V @ 3 A | 7,5 µs | 1 µA A 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1n5397bulk | 0,1800 | ![]() | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5397bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 A @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | S5D R7G | - | ![]() | 4270 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S5d | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 5 A | 1,5 µs | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | BAS52-02VH6327 | - | ![]() | 6815 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | Schottky | PG-SC79-2-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 600 mV a 200 mA | 10 µA A 45 V | 150 ° C. | 750mA | 5pf @ 10V, 1MHz | ||||
SSL14HR3G | - | ![]() | 4546 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SSL14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 390 mV @ 1 a | 200 µA a 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||
Jantxv1n5419us | 15.9150 | ![]() | 6938 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, e | 1N5419 | Padrão | D-5b | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,5 V @ 9 A | 250 ns | 1 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||
![]() | BZT52C39SQ | 0,0270 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZT52C39SQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | SRAF1040HC0G | - | ![]() | 1255 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SRAF1040 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 10 A | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 10a | - | |||
![]() | SBT1030 | 0,4829 | ![]() | 2205 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-SBT1030 | 8541.10.0000 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 10 A | 300 µA A 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||
![]() | ES1CWF-HF | 0,0690 | ![]() | 7745 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | ES1C | Padrão | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-ES1CWF-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SF5400-TR | 0,5346 | ![]() | 3530 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Sod-64, axial | SF5400 | Padrão | SOD-64 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||
![]() | UGB8BT-E3/81 | - | ![]() | 6268 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | UGB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 8 A | 30 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | HER308G | 0,3800 | ![]() | 1729 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d (DO-27) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 2,5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N4148UB | 26.4150 | ![]() | 4091 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1N4148 | Padrão | Ub | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1,2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | DTH8L06DNC-13 | 0,7300 | ![]() | 1094 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Padrão | TO-252 (TIPO WX) | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 8 A | 70 ns | 8 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | HER506GP-TP | 0,1520 | ![]() | 7448 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | HER506 | Padrão | Do-201d | download | 353-HER506GP-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 5 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBR7545 | 10.6670 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-MBR7545 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | - | 75a | - |
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