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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4007fl | 0,1400 | ![]() | 413 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | 1N400 | Padrão | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SBR6030LE3 | 123.0900 | ![]() | 5427 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-SBR6030LE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 480 mV @ 60 A | 5 mA a 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | ||||
![]() | DGP20HE3/54 | - | ![]() | 8508 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | DGP20 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1500 v | 1,1 V @ 2 A | 20 µs | 5 µA A 1500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||
![]() | VS-S1396 | - | ![]() | 9239 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1396 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CD0.5A20 | 3.1200 | ![]() | 6438 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | Schottky | Morrer | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-CD0.5A20 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 20 v | 500 mV @ 100 Ma | 10 µA a 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | 50pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | BAV102 | 0,0602 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA, Mini-Melf | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2796-BAV102TR | 8541.10.0000 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 150 v | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 5 µA A 150 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | - | |||
![]() | SS1060XFL_R1_00001 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | SS1060 | Schottky | SOD-123fl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-SS1060XFL_R1_00001CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 540 mV @ 1 a | 30 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||
![]() | FR102G | - | ![]() | 7380 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-FR102GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SS13-M3/5AT | 0,0891 | ![]() | 7076 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS13 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA a 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
![]() | VS-80-7583 | - | ![]() | 8549 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7583 | - | 112-VS-80-7583 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Fes6d | - | ![]() | 4553 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Padrão | TO-277-3 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 6 A | 25 ns | 2 µA a 200 V | 6a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | BYC20X-600P127 | 0,7600 | ![]() | 35 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||
NS8GT-E3/45 | 0,9000 | ![]() | 430 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | NS8 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||
![]() | SS22LH | 0,3210 | ![]() | 8147 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | SS22 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SS22LHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | |||
![]() | BYP35A1 | 1.0878 | ![]() | 8173 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-208aa | Padrão | DO-208 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-BYP35A1TR | 8541.10.0000 | 12.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 35 A | 1,5 µs | 100 µA A 100 V | -50 ° C ~ 200 ° C. | 35a | - | ||||
![]() | UF600B | 0,3406 | ![]() | 3661 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | P600, axial | Padrão | P600 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-UF600BTR | 8541.10.0000 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA A 100 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | ||||
![]() | JANS1N5809 | 47.1800 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | 1N5809 | Padrão | B, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10V, 1MHz | ||
![]() | GP15B-E3/73 | - | ![]() | 2470 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Gp15 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1,5 A | 3,5 µs | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | - | ||
![]() | B0530WS | 0,0240 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-B0530WSTR | Ear99 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV a 500 mA | 300 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500mA | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||
APT75DQ60SG | 4.0650 | ![]() | 1459 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT75DQ60 | Padrão | D3PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-APT75DQ60SG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2,5 V @ 75 A | 31 ns | 25 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 75a | - | ||||
![]() | H1BFS | 0,0210 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-H1BFSTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
HER604GP-AP | - | ![]() | 9463 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | HER604 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,1 V @ 6 A | 50 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | PCDP1065GB_T0_00601 | 6.2000 | ![]() | 8956 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | PCDP1065 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PCDP1065GB_T0_00601 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 650 v | 1,6 V @ 10 A | 100 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 446pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | B240A-13-F-2477 | - | ![]() | 3221 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA | - | 31-B240A-13-F-2477 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 2 a | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 40V, 1MHz | ||||||||
![]() | BAT54J/ZL115 | - | ![]() | 2100 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | BAT54 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | 1N5553 | 1.0700 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2383-1N5553 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 3 A | 4 µs | 1 µA A 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 3a | 90pf @ 12V, 1MHz | |||
![]() | RB068L150DDTE25 | 0,5900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | RB068 | Schottky | PMDS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RB068L150DDTE25TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 810 mv @ 2 a | 3 µA A 150 V | 150 ° C. | 2a | - | ||
![]() | PR2001G-T | - | ![]() | 6527 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SS16 | 0,0170 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (HSMA) | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS16tr | Ear99 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | S8KCHR7G | - | ![]() | 8569 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S8KC | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 985 mV @ 8 a | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 48pf @ 4V, 1MHz |
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