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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UF5405 | 0,1295 | ![]() | 120 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Padrão | DO-201 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-UF5405TR | 8541.10.0000 | 1.700 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 5 µA A 500 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | Fs2afl-tp | 0,0560 | ![]() | 7741 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Fs2a | Padrão | DO-221AC (SMA-FL) | download | 353-FS2AFL-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Es3ghe3/9at | - | ![]() | 9473 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ES3 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Uft800j | 0,7084 | ![]() | 8711 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-UUuft800J | 8541.10.0000 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,75 V @ 8 A | 35 ns | 5 µA A 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||
![]() | S1B-AQ | 0,0355 | ![]() | 8407 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | SMA/DO-214AC | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 2796-S1B-AQTR | 8541.10.0000 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA A 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | Egl1b | 0,0537 | ![]() | 92 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA, Mini-Melf | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-EGL1BTR | 8541.10.0000 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | BZT52C5V6SQ | 0,0220 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZT52C5V6SQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | RB521AS-30T2R | - | ![]() | 4518 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | RB521 | Schottky | Vml2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 200 mA | 30 µA a 10 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | - | |||
![]() | VS-72HFR20 | 8.4227 | ![]() | 6996 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 72HFR20 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS72HFR20 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,35 V @ 220 A | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70A | - | |||
![]() | Pu2dmh m3g | 0,5100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, Chumbo Plano | Pu2d | Padrão | Micro SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 2 A | 36 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 18pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | G5S12005C | 7.4500 | ![]() | 8658 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252 | download | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20.95a | 424pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | Bay71 | - | ![]() | 8356 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Bay71 | Padrão | DO-35 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 100 Na @ 35 V | 175 ° C (max) | 200Ma | 2pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | US8MC-HF | 0.2501 | ![]() | 7498 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | US8M | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-US8MC-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 55pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SK16B | 0,1063 | ![]() | 1175 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK16 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 1 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | SS32Q | 0,1410 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS32QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | 1N3968 | 62.1150 | ![]() | 4339 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | DO-5 (DO-203AB) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N3968 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,25 V @ 200 A | 25 µA A 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70A | - | |||||
![]() | 1N4937-E3/73 | 0,3000 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4937 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Bas70lt1g | 0,2200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 15 mA | 10 µA A 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 70mA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | MBRB4030 | - | ![]() | 9810 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB4030 | Schottky | D²pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 40 A | 350 µA A 30 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 40A | - | |||
![]() | PDS5100HQ-13D | 1.0000 | ![]() | 8600 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | Schottky | Powerdi ™ 5 | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 710 mV @ 5 A | 3,5 µA a 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | ||||||
![]() | VF20120SG-M3/4W | 0,5224 | ![]() | 8369 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | VF20120 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,33 V @ 20 A | 250 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||
![]() | SK22 | 0,0669 | ![]() | 3543 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK22 | Schottky | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mv @ 2 a | 500 µA A 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | |||
![]() | TSSD20L200SW | 0,8805 | ![]() | 8704 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSSD20 | Schottky | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSSD20L200SWTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 20 A | 20 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 880pf @ 4V, 1MHz | |||
Jantx1N5617 | 5.1200 | ![]() | 7011 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Volume | Ativo | Através do buraco | A, axial | 1N5617 | Padrão | A, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,6 V @ 3 A | 150 ns | 500 Na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 35pf @ 12V, 1MHz | |||
![]() | Es1bhm3_a/h | 0.1049 | ![]() | 2853 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-ES1BHM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 920 mV @ 1 a | 25 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |
![]() | BA159GH | 0,0589 | ![]() | 3977 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BA159 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | RGP20J-E3/73 | - | ![]() | 4266 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | RGP20 | Padrão | GP20 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 2 A | 250 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||
![]() | SRA1660 C0G | - | ![]() | 3055 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-2 | SRA1660 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mV @ 16 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||
![]() | Jantxv1n5811us | 12.3150 | ![]() | 2382 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 1N5811 | Padrão | B, Sq-Melf | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10V, 1MHz | ||
![]() | R4240TS | 59.8350 | ![]() | 6782 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | R4240 | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 200 A | 50 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 125a | - |
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