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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
SR2200 Yangjie Technology SR2200 0,0570
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Fita E CAIXA (TB) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-SR2200TB Ear99 3.000
BAS29,215 Nexperia USA Inc. Bas29.215 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas29 Avalanche TO-236AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 1 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 90 V 150 ° C (Máximo) 250mA 35pf @ 0V, 1MHz
SBRT10U50SP5-13D Diodes Incorporated SBRT10U50SP5-13D 0,7100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 SBRT10 Super Barreira Powerdi ™ 5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 450 mV @ 10 A 300 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
GS1J Yangjie Technology GS1J 0,0200
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (HSMA) - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-GS1JTR Ear99 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
PD3S130H-7 Diodes Incorporated PD3S130H-7 0,4400
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 ECAD 17 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi ™ 323 PD3S130 Schottky Powerdi ™ 323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 470 mV @ 1 a 100 µA A 30 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 40pf @ 10V, 1MHz
VS-1N3210R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3210R -
RFQ
 ECAD 1292 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N3210 Polaridada reversa padrão DO-203AB (DO-5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,5 V @ 15 A 10 mA a 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
1N3162R Powerex Inc. 1N3162R -
RFQ
 ECAD 2826 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo 1N3162 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1
EGP31A-E3/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP31A-E3/C. 0,8118
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 ECAD 7599 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial EGP31 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.400 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 3 a 50 ns 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 117pf @ 4V, 1MHz
MB26_R1_00001 Panjit International Inc. MB26_R1_00001 0,4600
RFQ
 ECAD 775 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB MB26 Schottky SMB (DO-214AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 740 mV @ 2 a 50 µA A 60 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a -
UF1D-TP Micro Commercial Co Uf1d-tp 0,0783
RFQ
 ECAD 8341 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Uf1d Padrão DO-214AA (SMB) download 353-UF1D-TP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA A 200 V -50 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
V8PAM10SHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8pam10shm3/i 0,5000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221BC, SMA PLL PLAT PAD Schottky DO-221BC (SMPA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 840 mV @ 8 a 180 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C. 2.8a 600pf @ 4V, 1MHz
UGF8ATHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugf8athe3_a/p -
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 ECAD 8544 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 112-UGF8ATHE3_A/P. Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 45pf @ 4V, 1MHz
PE2DBH Taiwan Semiconductor Corporation Pe2dbh 0,4200
RFQ
 ECAD 1915 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB PE2D Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 900 mV @ 2 a 20 ns 2 µA a 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 30pf @ 4V, 1MHz
BA158GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA158GPHE3/73 -
RFQ
 ECAD 1529 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BA158 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 1 a 250 ns 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
SS315 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SS315 R7 -
RFQ
 ECAD 7096 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SS315R7TR Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 3 a 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
1N4370A/TR Microchip Technology 1n4370a/tr 3.4363
RFQ
 ECAD 6557 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-1N4370A/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 mA 100 µA @ 1 V
NSVBAS70LT1 onsemi NSVBAS70LT1 0,1000
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Onsemi - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky SOT-23-3 (TO-236) download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-NSVBAS70LT1-488 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 70 v 1 V @ 15 mA 10 µA A 70 V -55 ° C ~ 150 ° C. 70mA 2pf @ 0V, 1MHz
JANTXV1N5554/TR Microchip Technology Jantxv1n5554/tr 11.5950
RFQ
 ECAD 5425 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/420 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco B, axial Padrão B, axial download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-Jantxv1N5554/tr Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 9 A 2 µs 1 µA a 1 V -65 ° C ~ 175 ° C. 5a -
SBT1845-3G Diotec Semiconductor SBT1845-3G 0,6797
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível Não Aplicável 2796-SBT1845-3G 8541.10.0000 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 535 mV @ 18 a 100 µA A 45 V -50 ° C ~ 150 ° C. 18a -
S1D Fairchild Semiconductor S1D 1.0000
RFQ
 ECAD 8487 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC, SMA download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 1,5 µs 5 µA A 200 V -50 ° C ~ 150 ° C. 1a -
DFLS1150-7 Diodes Incorporated DFLS1150-7 0,5300
RFQ
 ECAD 94 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi®123 DFLS1150 Schottky Powerdi ™ 123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 820 mv @ 1 a 2 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 28pf @ 5V, 1MHz
SS16 MDD SS16 0,0855
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Mdd SMA Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Schottky SMA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.39.0001 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 300 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1MHz
MMBD4148-7-G Diodes Incorporated MMBD4148-7-G -
RFQ
 ECAD 9491 0,00000000 Diodos Incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MMBD4148-7-GDI Ear99 8541.10.0070 3.000
UG06AH Taiwan Semiconductor Corporation UG06AH 0.1016
RFQ
 ECAD 2313 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T-18, axial UG06 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 600 mA 15 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 600mA 9pf @ 4V, 1MHz
DSS25-0045A IXYS DSS25-0045A -
RFQ
 ECAD 5867 0,00000000 Ixys - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 DSS25 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 690 mV @ 25 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C. 25a -
VS-12FR120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FR120 7.8500
RFQ
 ECAD 461 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 12FR120 Polaridada reversa padrão Do-203aa (DO-4) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,26 V @ 38 A 12 mA a 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a -
NSVR0240P2T5G onsemi NSVR0240P2T5G 0,6100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-923 NSVR0240 Schottky SOD-923 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 600 mV a 200 mA 5 µA A 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 7pf @ 1V, 1MHz
1N5400 NTE Electronics, Inc 1N5400 0,1400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 2368-1N5400 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,2 V @ 3 A 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 30pf @ 4V, 1MHz
JAN1N6765R Microchip Technology Jan1n6765r -
RFQ
 ECAD 8179 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) Padrão To-254 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,05 V @ 12 A 35 ns 10 µA A 200 V - 12a 300pf @ 5V, 1MHz
1N4454-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4454-TAP 0,0530
RFQ
 ECAD 6273 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N4454 Padrão DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 50.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 150mA -
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