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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N3740 | - | ![]() | 7052 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | - | - | - | - | - | Rohs Compatível | 1N3740-PX | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - | - | - | - | ||||||||
![]() | 1N2230 | 44.1600 | ![]() | 8801 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N2230 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | NTE156A | 0,6400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Padrão | DO-27 | download | ROHS3 Compatível | 2368-nte156a | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 3 A | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | MBRS3201T3G | 0,9600 | ![]() | 5475 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | MBRS3201 | Schottky | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 840 mV @ 3 a | 35 ns | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||
![]() | R4000F | 0,1300 | ![]() | 7007 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-r4000ftr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 4000 v | 6,5 V @ 200 Ma | 500 ns | 5 µA @ 4000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 30pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | HS2MAF-T | 0.1207 | ![]() | 2136 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Padrão | SMAF | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HS2MAF-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||
BYW29-100-E3/45 | 1.1400 | ![]() | 605 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | BYW29 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 182NQ030-1 | 27.7625 | ![]() | 8137 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Meio pak | 182NQ | Schottky | Prm1-1 (Módulo Half Pak) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 182NQ030-1SMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 27 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 510 mV @ 180 A | 15 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 180A | 7700pf @ 5V, 1MHz | ||
![]() | GP10J-4005HE3/54 | - | ![]() | 8224 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | - | 1a | - | |||||
![]() | 1N4448WS-HE3-18 | 0,0360 | ![]() | 2678 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 1N4448 | Padrão | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 720 mV @ 5 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | - | ||
![]() | HERAF1008G C0G | - | ![]() | 6857 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | HERAF1008 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 10 A | 80 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1n6761ur-1 | 99.2400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/586 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | Schottky | DO-213AB (Mell, LL41) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 690 mV @ 1 a | 100 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 70pf @ 5V, 1MHz | |||||
Jantx1N5614 | 5.7900 | ![]() | 8077 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Volume | Ativo | Através do buraco | A, axial | 1N5614 | Padrão | A, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 3 A | 2 µs | 500 Na @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - | |||
![]() | BYWF29-150HE3_A/P. | 0,7920 | ![]() | 2074 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | BYWF29 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | CMPSH-3 BK PBFREE | 0,2250 | ![]() | 7810 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPSH-3 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 Na @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 100mA | 7pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | 1N4532UR | 2.7450 | ![]() | 9291 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | 1N4532 | Padrão | Do-34 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 10 Ma | 30 ns | 100 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 125mA | - | ||
ES1HL R3G | 0,6100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | ES1H | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MUR460S M6G | - | ![]() | 3787 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Mur460 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 30hfu-200 | - | ![]() | 6609 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 30hfu | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *30hfu-200 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,45 V @ 30 A | 80 ns | 35 µA A 200 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 30a | - | |
![]() | HVC142KRF-E | 0,1400 | ![]() | 72 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | |||||||||||||||
![]() | SRAF8150HC0G | - | ![]() | 5030 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SRAF8150 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 550 mV @ 8 a | 500 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - | |||
![]() | R7001005XXUA | - | ![]() | 1001 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-200aa, a-puk | R7001005 | Padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 1500 A | 15 µs | 50 mA a 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 550A | - | |||
![]() | JANS1N5809 | 47.1800 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | 1N5809 | Padrão | B, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10V, 1MHz | ||
![]() | BYG24GHM3_A/H. | 0,1815 | ![]() | 2679 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG24 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 1,5 A | 140 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | ||
![]() | UG58GH | 0,2514 | ![]() | 6349 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UG58 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2.1 V @ 5 A | 20 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||
![]() | Vs-25ets12strpbf | - | ![]() | 5260 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 25ets12 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs25ets12strpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,14 V @ 25 A | 100 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 24a | - | ||
![]() | MBRB1035HE3/45 | - | ![]() | 3592 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB10 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
![]() | RS1G-E3/5AT | 0,4700 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs1g | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MBR2150VRTR-E1 | - | ![]() | 2081 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 850 mv @ 2 a | 100 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | 2A05GHA0G | - | ![]() | 4722 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2A05 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15pf @ 4V, 1MHz |
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