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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYV12-TR | 0,2574 | ![]() | 5492 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Sod-57, axial | BYV12 | Avalanche | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,5 V @ 1 A | 300 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | - | ||
![]() | Jan1n6873utk2/tr | 364.6950 | ![]() | 7237 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N6873utk2/tr | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | HS3KBH | 0.1509 | ![]() | 1285 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HS3KBHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-70HFLR40S05 | 9.4293 | ![]() | 7545 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 70HFLR40 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,85 V @ 219,8 A | 500 ns | 100 µA A 400 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 70A | - | ||
CRH01 (TE85L) | - | ![]() | 9197 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRH01 | Padrão | S-flat (1,6x3.5) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 980 mV @ 1 a | 35 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | Bas516 | 0,1900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | Padrão | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 250mA | - | |||
![]() | SB520E-G | 0,3200 | ![]() | 6516 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SB520 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SB520ET-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 5 A | 500 µA A 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 5a | 500pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Rs2g-2he3_a/h | - | ![]() | 2189 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMBJ) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 112-rs2g-2he3_a/htr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MUR420 | 0,4604 | ![]() | 1883 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Padrão | DO-201 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2796-MUR420TR | 8541.10.0000 | 1.700 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 890 mV @ 4 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 100pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | S300ZR | 85.3080 | ![]() | 6968 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | S300 | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S300ZRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2000 v | 1,2 V @ 300 A | 10 µA A 1600 V | -60 ° C ~ 180 ° C. | 300A | - | |||
![]() | BAT54W-HG3-08 | 0,2700 | ![]() | 307 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | BAT54 | Schottky | SOD-123 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 125 ° C. | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | VBT2080S-E3/8W | 0,5115 | ![]() | 9266 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT2080 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 920 mV @ 20 A | 700 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||
![]() | US2A-HF | 0,0662 | ![]() | 3771 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | US2A | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 641-US2A-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||
![]() | Jantx1n5552/tr | 6.0750 | ![]() | 8481 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTX1N5552/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||
Jantx1n6638us | 7.0050 | ![]() | 4209 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | Padrão | B, Sq-Melf | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Jantx1N6638USMS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 125 v | 1,1 V @ 200 mA | 4,5 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | - | |||||
![]() | 1N5822-T | - | ![]() | 8972 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | 1N5822 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 525 mV @ 3 a | 2 mA a 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | Rs2awf-hf | 0,0863 | ![]() | 8176 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Rs2a | Padrão | SOD-123F | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-RS2AWF-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||
CDSU4148S-HF | - | ![]() | 7527 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | Padrão | 0603/SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-CDSU4148S-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 2,5 µA A 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | 3pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | VS-SD853C45S50K | 341.1850 | ![]() | 8284 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Prenda | DO-200AC, K-Puk | SD853 | Padrão | DO-200AC, K-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 4500 v | 2,9 V @ 2000 A | 5 µs | 100 mA a 4500 V | 990A | - | |||
![]() | CMPD2003 TR PBFREE | 0,4800 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPD2003 | Padrão | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 200 v | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 5pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | BAT86S-TAP | 0,3900 | ![]() | 48 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BAT86 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 900 mV @ 100 Ma | 5 µA A 40 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 8pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | V10p15-m3/h | 0,6600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Fita de Corte (CT) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V10p15 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,08 V @ 10 A | 200 µA A 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
MBR1030 | - | ![]() | 1847 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | MBR1030 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 840 mV @ 10 A | 100 µA A 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 400pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N5623E3/tr | 6.5101 | ![]() | 5065 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N5623E3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||
![]() | IDW10G65C5FKSA1 | - | ![]() | 8089 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-247-3 | IDW10G65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA247-3-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 400 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 300pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | QRS1460T30 | - | ![]() | 6043 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 3,8 V @ 600 A | 300 ns | 2 MA A 1400 V | 391a | - | |||||
![]() | RB521S-30-HF | 0,2600 | ![]() | 214 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | RB521S | Schottky | SOD-523 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 500 mV @ 200 mA | 30 µA a 10 V | - | 200Ma | - | ||||
![]() | Es1je-tp | - | ![]() | 4232 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1J | Padrão | DO-214AC (SMAE) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,35 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | BAT54WS-7-F | 0,2000 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BAT54 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 100mA | 10pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | FFD06UP20S | - | ![]() | 6733 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FFD06 | Padrão | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 6 A | 35 ns | 100 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - |
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