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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
HS2MAH Taiwan Semiconductor Corporation HS2MAH 0,0906
RFQ
 ECAD 9661 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-HS2MAHTR Ear99 8541.10.0080 15.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,7 V @ 1,5 A 75 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 30pf @ 4V, 1MHz
VS-4ECU06-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4ECU06-M3/9AT 0,7600
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 ECAD 3 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 4ECU06 Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 4 a 41 ns 3 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a -
SS35-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS35-M3/9AT 0,2091
RFQ
 ECAD 9701 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SS35 Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 750 mv @ 3 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
SBR2M100SAF-13 Diodes Incorporated SBR2M100SAF-13 0,0774
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 ECAD 4179 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Flat Leads SBR2M100 Super Barreira SMAF download Alcançar Não Afetado 31-SBR2M100SAF-13TR Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 780 mV @ 2 a 1 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
SDT10H50P5-13 Diodes Incorporated SDT10H50P5-13 0.2010
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 ECAD 5000 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 download Alcançar Não Afetado 31-SDT10H50P5-13TR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 450 mV @ 10 A 300 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
GS5K Yangjie Technology GS5K 0,0970
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 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-GS5KTR Ear99 3.000
W5984TE360 IXYS W5984TE360 -
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 ECAD 9291 0,00000000 Ixys - CAIXA Descontinuado no sic Montagem do chassi DO-200AE W5984 Padrão W94 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 238-W5984TE360 Ear99 8541.10.0080 12 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 3600 v 1,25 V @ 5000 A 47 µs 100 mA A 3600 V -40 ° C ~ 160 ° C. 5984a -
SD530YS_L2_00001 Panjit International Inc. SD530YS_L2_00001 0,2835
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 ECAD 7786 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SD530 Schottky TO-252 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 81.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 5 A 200 µA a 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 5a -
BZX84B24W Yangjie Technology BZX84B24W 0,0180
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 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-BZX84B24WTR Ear99 3.000
EGL1B Diotec Semiconductor Egl1b 0,0537
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 ECAD 92 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-213AA Padrão DO-213AA, Mini-Melf download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2796-EGL1BTR 8541.10.0000 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,25 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 100 V -50 ° C ~ 175 ° C. 1a -
1N3163 Solid State Inc. 1N3163 21.0000
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 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud Padrão Do-9 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N3163 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,25 V @ 240 A 75 µA A 150 V -65 ° C ~ 200 ° C. 240a -
S3D R6G Taiwan Semiconductor Corporation S3D R6G -
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 ECAD 7834 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-S3DR6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,15 V @ 3 A 1,5 µs 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
AZ23B16 Yangjie Technology AZ23B16 0,0270
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 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-AZ23B16TR Ear99 3.000
LXA10FP600 Power Integrations LXA10FP600 -
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 ECAD 7042 0,00000000 Integrações de Energia Qspeed ™ Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão Pacote completo parágrafo 220 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 596-1374-5 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 3 V @ 10 A 23 ns 250 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 10a -
PMEG050V150EPD146 NXP USA Inc. PMEG050V150EPD146 0,3300
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 ECAD 1 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1.500
1N914B NXP Semiconductors 1n914b -
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 ECAD 7402 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-1N914B-954 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 200 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200Ma 4pf @ 0V, 1MHz
1N6642UB2/TR Microchip Technology 1N6642UB2/TR 18.9400
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 ECAD 3414 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo - 100
JANS1N6642UB2R/TR Microchip Technology JANS1N6642UB2R/TR 80.3400
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 ECAD 7076 0,00000000 Microchip Technology MIL-PRF-19500/578 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo Padrão UB2 - 150-JANS1N6642UB2R/TR 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 75 v 1,2 V @ 100 Ma 5 ns 500 Na @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 300mA 5pf @ 0V, 1MHz
JANS1N6642UB2/TR Microchip Technology JANS1N6642UB2/TR 80.3400
RFQ
 ECAD 1678 0,00000000 Microchip Technology MIL-PRF-19500/578 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo Padrão UB2 - 150-JANS1N6642UB2/TR 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 75 v 1,2 V @ 100 Ma 5 ns 500 Na @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 300mA 5pf @ 0V, 1MHz
B130-13-F-2477 Diodes Incorporated B130-13-F-2477 -
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 ECAD 9002 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Última Vez compra Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Schottky SMA - 31-B130-13-F-2477 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 500 µA A 30 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
PD3S220L-7-2477 Diodes Incorporated PD3S220L-7-2477 -
RFQ
 ECAD 3063 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Volume Última Vez compra Montagem na Superfície Powerdi ™ 323 Schottky Powerdi ™ 323 - 31-PD3S220L-7-2477 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 490 mV @ 2 a 160 µA @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C. 2a 46pf @ 10V, 1MHz
SDM2100S1F-7-2477 Diodes Incorporated SDM2100S1F-7-2477 -
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 ECAD 6630 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Última Vez compra Montagem na Superfície SOD-123F Schottky SOD-123F - 31-SDM2100S1F-7-2477 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 830 mv @ 2 a 150 Na @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 42pf @ 4V, 1MHz
1N4307MJTX National Semiconductor 1N4307MJTX 28.8200
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Nacional * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 0000.00.0000 1
RGF1M-7000HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1M-7000HE3_B/I. -
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 ECAD 6537 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214BA Rgf1m Padrão DO-214BA (GF1) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 112-RGF1M-7000HE3_B/ITR Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8.5pf @ 4V, 1MHz
DMA10IM1600UZ-TUB IXYS DMA10IM1600UZ-TUB 1.7900
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 ECAD 60 0,00000000 Ixys - Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 DMA10 Padrão TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 238-DMA10IM1600UZ-TUB Ear99 8541.10.0080 70 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,26 V @ 10 A 10 µA A 1600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 4pf @ 400V, 1MHz
W2840QA220 IXYS W2840QA220 -
RFQ
 ECAD 9720 0,00000000 Ixys - CAIXA Descontinuado no sic Prenda Do-200ab, B-Puk W2840 Padrão W117 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 238-W2840QA220 Ear99 8541.10.0080 12 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 2200 v - 2840a -
VS-C20CP07L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C20CP07L-M3 -
RFQ
 ECAD 7083 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 C20CP07 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download Não Aplicável Alcançar Não Afetado 751-VS-C20CP07L-M3 Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 650 v 1,8 V @ 10 A 55 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 430pf @ 1V, 1MHz
VS-C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C10ET07T-M3 -
RFQ
 ECAD 5383 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 C10ET07 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 751-VS-C10ET07T-M3 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 650 v 1,8 V @ 10 A 55 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 430pf @ 1V, 1MHz
1N4005GP-AQ-CT Diotec Semiconductor 1N4005GP-AQ-CT 0,2622
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 ECAD 8897 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tira Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-41, axial 1N4005 Padrão DO-41/DO-204AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada 2721-1N4005GP-AQ-CT 8541.10.0000 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 1,5 µs 5 µA A 600 V -50 ° C ~ 175 ° C. 1a -
GL1M-CT Diotec Semiconductor GL1M-CT 0,3985
RFQ
 ECAD 5758 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tira Ativo Montagem na Superfície DO-213AA Padrão DO-213AA, Mini-Melf download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada 2721-GL1M-CT 8541.10.0000 30 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1 a 1,5 µs 5 µA @ 1 V -50 ° C ~ 175 ° C. 1a -
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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