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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S15GLW RVG | 0,0867 | ![]() | 4830 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | S15G | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1,5 A | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SD060SE45B.T2 | 0,1652 | ![]() | 1014 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SD060 | Schottky | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0040 | 3.240 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 510 mv @ 3 a | 300 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 180pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | SB130 | 0,0602 | ![]() | 6015 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Schottky | DO15/DO204AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2796-SB130TR | 8541.10.0000 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA A 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | Vs-1eah02hm3/h | 0,4000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | Vs-1eah02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 970 mV @ 1 a | 23 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||
![]() | SD101CW-HE3-18 | 0,0534 | ![]() | 4918 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 900 mV @ 15 mA | 1 ns | 200 Na @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 30Ma | 2.2pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | U3C-M3/9AT | 0.2003 | ![]() | 8572 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | U3c | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Fr206GH | 0,0971 | ![]() | 2044 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-FR206GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 2 A | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | TSSD10L100SW | 0,8453 | ![]() | 2905 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSSD10 | Schottky | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSSD10L100SWTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 10 a | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 540pf @ 4V, 1MHz | |||
UG4C-M3/54 | 0.2307 | ![]() | 1375 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UG4 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 1 a | 30 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||
LQA03TC600 | 0,7300 | ![]() | 6985 | 0,00000000 | Integrações de Energia | Qspeed ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | LQA03 | Padrão | TO-220AC | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 596-1358-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3,1 V @ 3 A | 13 ns | 20 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 3a | - | ||
![]() | Fs2ch | 0,3900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 850 mv @ 2 a | 200 µA a 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | NRVBSS26T3G-RG01 | - | ![]() | 9062 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | NRVBSS26 | Schottky | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 630 mv @ 2 a | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||
![]() | 1n5402bulk | 0,1800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5402Bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 3 a | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | NTE5949 | 6.5900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | ROHS3 Compatível | 2368-nte5949 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 15 A | 10 mA a 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |||||
![]() | PMEG1201AESF/S50YL | - | ![]() | 9522 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Obsoleto | PMEG1 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||
![]() | MURS360T3H | - | ![]() | 8270 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | MURS36 | Padrão | SMC | - | ROHS3 Compatível | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - | ||
Fese8HT-E3/45 | - | ![]() | 8801 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Fese8 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Jantx1N6079 | - | ![]() | 9316 | 0,00000000 | Semtech Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/503 | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Axial | 1N6079 | Padrão | Axial | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 970 mV @ 5 A | 30 ns | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 230pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | VS-S1254 | - | ![]() | 5886 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | S1254 | - | 112-VS-S1254 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n1614r | 60.0000 | ![]() | 4209 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/162 | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1614 | Polaridada reversa padrão | Do-203aa (DO-4) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,5 V @ 15 A | 50 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |||
![]() | SS24 | 0,0900 | ![]() | 5399 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS24 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 11 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | |||
1N6621US | 13.1700 | ![]() | 4180 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1N6621 | Padrão | A-Melf | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 440 v | 1,4 V @ 1,2 A | 30 ns | 500 Na @ 440 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | 10pf @ 10V, 1MHz | |||
![]() | SL34A | 0,2100 | ![]() | 102 | 0,00000000 | Surto | - | Bolsa | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2616-SL34A | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 420 mv @ 3 a | 50 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 285pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-85HFL20S05 | 14.1403 | ![]() | 5604 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 85HFL20 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,75 V @ 266,9 A | 500 ns | 100 µA A 200 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 85a | - | ||
![]() | CDBW1100R-HF | 0,0880 | ![]() | 4123 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | CDBW1100 | Schottky | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-CDBW1100R-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 860 mV @ 1 a | 100 µA A 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 120pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | UPS5817/TR7 | 0,5250 | ![]() | 1630 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-216AA | UPS5817 | Schottky | Powermite | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 1 a | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | 1N5404-A | - | ![]() | 2028 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | * | Volume | Obsoleto | 1N5404 | - | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1N5404-Adi | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||
![]() | RBR3L40CDDTE25 | 0,6300 | ![]() | 85 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | RBR3L40 | Schottky | PMDS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 3 a | 100 µA A 40 V | 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | VS-S1096 | - | ![]() | 2689 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | S1096 | - | 112-VS-S1096 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-EPH3006-F3 | - | ![]() | 7255 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | Eph300 | Padrão | TO-247AC Modifado | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSEPH3006F3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,65 V @ 30 A | 26 ns | 30 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - |
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