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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIDC10D120H8X1SA2 | - | ![]() | 9261 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SIDC10 | Padrão | Serra Em Papel Alumínio | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000527638 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,97 V @ 7,5 A | 27 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | ||
![]() | HS5G R6G | - | ![]() | 2284 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HS5GR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SR3100-HF | 0,2210 | ![]() | 4097 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Schottky | DO-27 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 641-SR3100-HFTB | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 810 mV @ 3 a | 500 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 250pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | IDP06E60 | - | ![]() | 2145 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | IDP06 | Padrão | PG-PARA220-2-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 6 A | 70 ns | 50 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 14.7a | - | |||
![]() | MBRF1090 C0G | - | ![]() | 8336 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | MBRF1090 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mV @ 10 A | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
![]() | CDBC3100-HF | 0,5600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | CDBC3100 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 810 mV @ 3 a | 500 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 250pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | ACGRC507-HF | - | ![]() | 4532 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | 641-ACGRC507-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,15 V @ 5 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | MBRA140T3 | - | ![]() | 3480 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | MBRA140 | Schottky | SMA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | 1a | - | ||||
![]() | S2KW12C-3D | - | ![]() | 4851 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Montagem do chassi | Módlo | S2KW12 | Padrão | - | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 12000 v | 12 V @ 3 A | 2 µs | 1 ma @ 12000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | S8cmhm3/i | 0,3960 | ![]() | 1893 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S8CM | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 985 mV @ 8 a | 4 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 79pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | EM01ZV0 | - | ![]() | 1558 | 0,00000000 | Sanken | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Axial | Em01 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | EM01ZV0 DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 970 mV @ 1 a | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | BYC10B-600,118 | 0,5445 | ![]() | 4641 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYC10 | Padrão | D2PAK | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 2,9 V @ 10 A | 55 ns | 200 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10a | - | |||
![]() | Jantx1n6912utk2 | - | ![]() | 3130 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Thinkey ™ 2 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 45 v | 640 mV @ 25 A | 1,2 mA a 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 1000pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | CDLL5712/TR | 12.4050 | ![]() | 2993 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | CDLL5712 | Schottky | DO-213AA | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 16 v | 1 V @ 35 mA | 150 Na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | S3ahe3/9at | - | ![]() | 4335 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3a | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,15 V @ 2,5 A | 2,5 µs | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | FR12MR05 | 7.0500 | ![]() | 1218 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR12MR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,4 V @ 12 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||
STPS3L60UF | 0,9500 | ![]() | 3864 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-221aa, SMB plat do | STPS3 | Schottky | SMBFLAT | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 620 mV @ 3 a | 150 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | 3a | - | ||||
![]() | DSB2I40SB | - | ![]() | 1849 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | DSB2I40 | Schottky | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 2 a | 100 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||
BAS70Q-7-F | 0,2900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 15 mA | 100 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 70mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||
SS13L R3G | 0,1751 | ![]() | 1443 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS13 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 400 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | Jantx1N6306 | - | ![]() | 2884 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 70A | |||||
IDW30E60AFKSA1 | - | ![]() | 4097 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-247-3 | IDW30E60 | Padrão | PG-A247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000547582 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 30 A | 143 ns | 40 µA A 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - | ||
![]() | VS-70HFL80S05 | 15.0500 | ![]() | 88 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 70HFL80 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,85 V @ 219,8 A | 500 ns | 100 µA A 800 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 70A | - | ||
![]() | RM 11av1 | - | ![]() | 5103 | 0,00000000 | Sanken | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | RM 11 | Padrão | Axial | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 920 mV @ 1,5 A | 10 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - | ||||
![]() | MSASC75W30FV/TR | - | ![]() | 6867 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-MSASC75W30FV/TR | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | SB1100-A52 | - | ![]() | 2454 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | download | 31-SB1100-A52TB | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SBRT25M50SLP-13 | - | ![]() | 7435 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Super Barreira | PowerDi5060-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 550 mV @ 25 A | 120 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | ||||
![]() | GP2D020A170B | - | ![]() | 7384 | 0,00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-247-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1560-1053-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1700 v | 1,75 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA A 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 1624pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | PMEG3010AESBZ | - | ![]() | 7971 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 2-xdfn | Schottky | DSN1006-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934068753314 | Ear99 | 8541.10.0080 | 9.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 480 mV @ 1 a | 3,5 ns | 1,25 mA a 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | 32pf @ 10V, 1MHz | ||
![]() | RGP02-14EHE3/54 | - | ![]() | 8527 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | RGP02 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA A 1400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | - |
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