SIC
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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
VS-10BQ015PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10BQ015PBF -
RFQ
 ECAD 9075 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 10BQ015 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 15 v 350 mv @ 1 a 500 µA A 15 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
AS5KBF-HF Comchip Technology AS5KBF-HF 0.1953
RFQ
 ECAD 6833 0,00000000 Tecnologia Comchip Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-221aa, SMB plat do Padrão SMBF download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 641-as5kbf-hftr Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,15 V @ 5 A 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
RB053LA-30TR Rohm Semiconductor RB053LA-30TR -
RFQ
 ECAD 9355 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Obsoleto - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 846-RB053LA-30TR Ear99 8541.10.0080 1.500
MMBD4148 Taiwan Semiconductor Corporation MMBD4148 0.0301
RFQ
 ECAD 3639 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD4148 Padrão SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MMBD4148TR Ear99 8541.10.0070 6.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 4pf @ 0V, 1MHz
S25Q GeneSiC Semiconductor S25Q 5.2485
RFQ
 ECAD 1118 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) S25QGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1.1 V @ 25 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 25a -
JANTX1N5802 Semtech Corporation Jantx1N5802 -
RFQ
 ECAD 9890 0,00000000 Semtech Corporation Militar, MIL-PRF-19500/477 Volume Descontinuado no sic Através do buraco Axial 1N5802 Padrão Axial - Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 875 mV @ 1 a 25 ns 1 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3.3a 25pf @ 5V, 1MHz
RGP10M-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10M-E3/53 -
RFQ
 ECAD 6744 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial RGP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
1N5404G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5404G A0G -
RFQ
 ECAD 8178 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial 1N5404 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1 V @ 3 A 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 25pf @ 4V, 1MHz
AS1PJ-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS1PJ-M3/84A 0,6500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-220AA AS1 Avalanche DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,15 V @ 1,5 A 1,5 µs 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.5a 10.4pf @ 4V, 1MHz
VS-6F120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6F120 8.2100
RFQ
 ECAD 2429 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 6F120 Padrão Do-203aa (DO-4) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,1 V @ 19 A 12 mA a 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
STPSC8065D STMicroelectronics STPSC8065D 3.1900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 STPSC8065 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-17625 Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,45 V @ 8 A 0 ns 105 µA A 650 V -40 ° C ~ 175 ° C. 8a 540pf @ 0V, 1MHz
1N5399G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399G 0,0779
RFQ
 ECAD 7266 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 1N5399 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 1,5 A 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 15pf @ 4V, 1MHz
CMAD6001 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMAD6001 TR PBFREE 0,5000
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-923 CMAD6001 Padrão SOD-923 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 8.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 75 v 1,1 V @ 100 Ma 3 µs 500 PA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 250mA 2pf @ 0V, 1MHz
JANTXV1N5809 Microchip Technology Jantxv1N5809 15.3750
RFQ
 ECAD 4243 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/477 Volume Ativo Através do buraco B, axial 1N5809 Padrão B, axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 875 mV @ 4 a 30 ns 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 65pf @ 10V, 1MHz
VS-3C16ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3C16ET07T-M3 7.1100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 112-VS-3C16ET07T-M3 Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 16 a 0 ns 85 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 16a 700pf @ 1V, 1MHz
GC9704-UC Microchip Technology GC9704-UC -
RFQ
 ECAD 7542 0,00000000 Microchip Technology - Bandeja Ativo Montagem na Superfície Morrer Schottky Chip - Alcançar Não Afetado 150-GC9704-UC Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 5 v 600 mV @ 1 mA 100 Na @ 1 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10mA 0,8pf @ 0V, 1MHz
FSL23S Good-Ark Semiconductor FSL23S 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor de Boa Coisa - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F Schottky SOD-123fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 430 mV @ 2 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
ISL9R1560G2-F085 Fairchild Semiconductor ISL9R1560G2-F085 -
RFQ
 ECAD 6001 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101, Stealth ™ Volume Ativo Através do buraco To-247-2 Padrão To-247-2 download Ear99 8542.39.0001 116 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,2 V @ 15 A 40 ns 100 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a -
RBT84043XXOO Powerex Inc. RBT84043XXOO -
RFQ
 ECAD 8142 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Montagem do chassi DO-200AE RBT84043 Padrão Puck de Hóquei download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 4000 v 25 µs 150 mA a 4000 V -40 ° C ~ 175 ° C. 5200A -
1N1191R Solid State Inc. 1N1191R 2.5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N1191R Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1,2 V @ 30 A -65 ° C ~ 200 ° C. 12a -
SD175SA30A.T2 SMC Diode Solutions SD175SA30A.T2 1.1781
RFQ
 ECAD 4507 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Bandeja Ativo Montagem na Superfície Morrer SD175 Schottky Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0040 490 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 490 mV @ 30 A 4 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 30a 2200pf @ 5V, 1MHz
RL103-N-2-1-BP Micro Commercial Co RL103-N-2-1-BP -
RFQ
 ECAD 4745 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Axial RL103 Padrão A-405 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) RL103-N-2-1-BPMS Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
RS1PDHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1pdhm3_a/h 0.1002
RFQ
 ECAD 2242 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-220AA Rs1p Padrão DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
BYX85TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYX85TAP 0,2772
RFQ
 ECAD 2740 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Sod-57, axial BYX85 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
SF5401-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF5401-TAP 0,5445
RFQ
 ECAD 8368 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Sod-64, axial SF5401 Padrão SOD-64 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 12.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a -
RB751VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB751VM-40FHTE-17 0,4800
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F RB751 Schottky Umd2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 370 mV @ 1 Ma 500 Na @ 30 V 150 ° C (Máximo) 30Ma 2pf @ 1V, 1MHz
HER202G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HER202G R0G -
RFQ
 ECAD 4982 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial HER202 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 2 A 50 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 35pf @ 4V, 1MHz
JANHCA1N6761 Microchip Technology Janhca1N6761 35.4450
RFQ
 ECAD 4249 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Schottky DO-41 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANHCA1N6761 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 690 mV @ 1 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
NRVTS5100ETFSWFTAG onsemi NRVTS5100ETFSWFTAG 0,6200
RFQ
 ECAD 1912 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 8-POWERWDFN NRVTS5100 Schottky 8-WDFN (3,3x3.3) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 5 A 50 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 5a 26.5pf @ 100V, 1MHz
A197M Powerex Inc. A197M -
RFQ
 ECAD 1442 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud A197 Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v -40 ° C ~ 150 ° C. 250a -
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