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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
G3S12015A Global Power Technology Co. Ltd G3S12015A -
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 ECAD 9773 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC - Fornecedor indefinido 4436-G3S12015A 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 57a 1700pf @ 0V, 1MHz
G3S17005C Global Power Technology-GPT G3S17005C 25.7200
RFQ
 ECAD 2406 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1700 v 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA A 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 27a 780pf @ 0V, 1MHz
G5S12015L Global Power Technology-GPT G5S12015L 15.2900
RFQ
 ECAD 4965 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 55a 1370pf @ 0V, 1MHz
G5S12015PM Global Power Technology-GPT G5S12015pm 16.5000
RFQ
 ECAD 6923 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 55a 1370pf @ 0V, 1MHz
G4S12020A Global Power Technology-GPT G4S12020A 33.5600
RFQ
 ECAD 8244 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC - 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 120 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 73a 2600pf @ 0V, 1MHz
G3S12003C Global Power Technology-GPT G3S12003C 4.5600
RFQ
 ECAD 8435 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 3 A 0 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 12a 260pf @ 0V, 1MHz
G3S06520P Global Power Technology-GPT G3S06520P 11.9400
RFQ
 ECAD 5761 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 60a 1170pf @ 0V, 1MHz
DB2441600L Panasonic Electronic Components DB2441600L -
RFQ
 ECAD 7048 0,00000000 Componentes eletrônicos da Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SOD-128 DB24416 Schottky TMinip2-f2-b - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 450 mv @ 3 a 30 ns 300 µA A 40 V 125 ° C (Máximo) 3a 95pf @ 10V, 1MHz
G3S12015H Global Power Technology-GPT G3S12015H 20.6800
RFQ
 ECAD 8064 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 21a 1700pf @ 0V, 1MHz
G3S12010P Global Power Technology-GPT G3S12010P 13.9300
RFQ
 ECAD 3811 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 110 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 37a 765pf @ 0V, 1MHz
SBAS16HT3G onsemi SBAS16HT3G 0,3400
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 SBAS16 Padrão SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1,25 V @ 150 Ma 6 ns 1 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 2pf @ 0V, 1MHz
MS105E3/TR8 Microsemi Corporation MS105E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 8483 0,00000000 Microsemi Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial MS105 Schottky DO-204AL (DO-41) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 690 mV @ 1 a 100 µA a 50 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a -
BY253P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY253P-E3/54 0,4700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial By253 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.400 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 3 A 3 µs 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 40pf @ 4V, 1MHz
STTH15RQ06G2Y-TR STMicroelectronics STTH15RQ06G2Y-TR 1.8700
RFQ
 ECAD 358 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Ecopack®2 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab STTH15 Padrão D2pak hv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,95 V @ 15 A 50 ns 20 µA A 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 15a -
D1301SH45TS09K02XPSA1 Infineon Technologies D1301SH45TS09K02XPSA1 -
RFQ
 ECAD 2149 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Alcançar Não Afetado Obsoleto 1
RS3GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs3ghe3_a/i 0,2549
RFQ
 ECAD 8400 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Rs3g Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 2,5 A 150 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 44pf @ 4V, 1MHz
FR302-T Diodes Incorporated FR302-T -
RFQ
 ECAD 8553 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial FR302 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.200 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,3 V @ 3 A 150 ns 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
MSASC75W30FV/TR Microchip Technology MSASC75W30FV/TR -
RFQ
 ECAD 6867 0,00000000 Microchip Technology * Tape & Reel (TR) Ativo - Alcançar Não Afetado 150-MSASC75W30FV/TR 100
VS-301URA180 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-301URA180 -
RFQ
 ECAD 1124 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud 301URA180 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs301ura180 Ear99 8541.10.0080 12 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1800 v 1,46 V @ 942 A -40 ° C ~ 180 ° C. 330A -
S12KR GeneSiC Semiconductor S12KR 4.2345
RFQ
 ECAD 2976 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud S12K Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S12KRGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a -
STTH512B-TR STMicroelectronics STTH512B-TR 0,9500
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 STTH512 Padrão DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2.2 V @ 5 A 95 ns 5 µA A 1200 V 175 ° C (max) 5a -
ACGRCT302-HF Comchip Technology ACGRCT302-HF 0,7100
RFQ
 ECAD 895 0,00000000 Tecnologia Comchip Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo ACGRCT302 Padrão 3220/DO-214AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1 V @ 3 A 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 23pf @ 4V, 1MHz
25F10 Solid State Inc. 25F10 2.0000
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Solid State Inc. - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-25F10 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,2 V @ 25 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 25a -
SK12H45 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SK12H45 B0G -
RFQ
 ECAD 3994 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial SK12 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 550 mV @ 12 A 120 µA @ 45 V 200 ° C (max) 12a -
SB100-05J onsemi SB100-05J 0,2100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1
SK39B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK39B R5G -
RFQ
 ECAD 6905 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SK39 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 850 mv @ 3 a 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
BAT42-L0 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BAT42-L0 A0G -
RFQ
 ECAD 2514 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BAT42 Schottky DO-35 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado BAT42-L0A0G Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1 V @ 200 mA 5 ns 500 Na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200Ma 7pf @ 1V, 1MHz
SD2114S040S5R0 KYOCERA AVX SD2114S040S5R0 0,7400
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Kyocera Avx - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo SD2114S040S5R0 Schottky 2114/DO-214AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 5 A 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 5a -
V1PM10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1pm10hm3/h 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície MicroSMP V1pm10 Schottky MicroSMP (DO-219AD) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 770 mV @ 1 a 50 µA A 100 V -40 ° C ~ 175 ° C. 1a 100pf @ 4V, 1MHz
STTH15RQ06DY STMicroelectronics STTH15RQ06DY 1.6200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 STTH15 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-17596 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,95 V @ 15 A 50 ns 20 µA A 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 15a -
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    2000+

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    Unidade de produto padrão

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