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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSA17G | - | ![]() | 3432 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Axial | DSA17 | Padrão | - | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,05 V @ 1,7 A | 10 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 1.7a | - | ||||
![]() | VS-1N1186 | - | ![]() | 6806 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1186 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,7 V @ 110 A | 10 mA a 200 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - | |||
![]() | ABAS16WS-HF | 0,0382 | ![]() | 8629 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | ABAS16 | Padrão | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-ABAS16WS-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1,25 V @ 150 Ma | 6 ns | 1 µA A 75 V | 150 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | SR009 | - | ![]() | 7921 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Schottky | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SR009TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | |||
Rs2gahr3g | - | ![]() | 9997 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs2g | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1N4935GHR1G | - | ![]() | 7059 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4935 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N4004SP AP-RPCU | - | ![]() | 8066 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | - | - | - | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | |||||||||||||
![]() | RB160SS-30T2R | - | ![]() | 2416 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 0603 (1608 Mética) | RB160 | Schottky | KMD2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RB160SS-30T2RTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 8.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 520 mv @ 1 a | 35 µA A 30 V | 150 ° C. | 1a | - | ||
![]() | 1n5282tr | 0,0200 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 900 mV @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 55 V | 175 ° C (max) | 200Ma | 2.5pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | SB20-03E | 0,2700 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||
![]() | NTE6076 | - | ![]() | 1139 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6076 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 200 A | 2 MA A 600 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 85a | - | |||||
![]() | JANS1N6875UTK2/TR | 608.5500 | ![]() | 8978 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N6875UTK2/TR | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | S1mhm3_a/i | 0,4700 | ![]() | 3512 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1M | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Jan1n6765 | - | ![]() | 9004 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | Padrão | To-254 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 12 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | - | 12a | 300pf @ 5V, 1MHz | ||||
![]() | R5020218FSWA | - | ![]() | 9091 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | R5020218 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,65 V @ 470 A | 1,5 µs | 45 mA a 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 175a | - | |||
ZHCS750TA | 0,6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZHCS750 | Schottky | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 490 mV @ 750 Ma | 12 ns | 100 µA A 30 V | 125 ° C (Máximo) | 750mA | 25pf @ 25V, 1MHz | |||
![]() | Jantx1n1615r | 60.0000 | ![]() | 9237 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/162 | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1615 | Polaridada reversa padrão | Do-203aa (DO-4) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 15 A | 50 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |||
![]() | MBR1645 | - | ![]() | 8123 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Schottky | TO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MBR1645 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 630 mV @ 16 a | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||
![]() | NRVA4005T3G | 0,4000 | ![]() | 5940 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | NRVA4005 | Padrão | SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | Sdhd5ks | - | ![]() | 3863 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Módlo | Sdhd5 | Padrão | - | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 5000 v | 6 V @ 3 A | 2 µs | 1 µA @ 5000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | - | |||
![]() | MBRF1060HE3/45 | - | ![]() | 6341 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | MBRF106 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Mbrf1060he3_a/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||
![]() | APD160VD-G1 | - | ![]() | 3444 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | APD160 | Schottky | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 680 mV @ 1 a | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
![]() | MBRS16150 Mng | - | ![]() | 7349 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS16150 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 16 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||
![]() | SFT15GH | 0.1165 | ![]() | 7184 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SFT15 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SM5061-CT | 0,2920 | ![]() | 5906 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | SM5061 | Padrão | Mell Do-213ab | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcança como informação de disponição mediana solicitada | 2721-SM5061-CT | 8541.10.0000 | 30 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 2 A | 1,5 µs | 5 µA A 600 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||
![]() | NRVUHS160VT3G | 0,5200 | ![]() | 6126 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | NRVUHS160 | Padrão | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,4 V @ 1 A | 35 ns | 20 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
![]() | DGP15-E3/73 | 0,8000 | ![]() | 370 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | DGP15 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1500 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA A 1500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | - | ||
FR306-AP | - | ![]() | 3466 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | FR306 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SJPA-D3 | - | ![]() | 3989 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, J-Lead | Schottky | Sjp | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | SJPA-D3 DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 360 mV @ 1 a | 1,5 mA a 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | Uf1kh | 0.1044 | ![]() | 2260 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Uf1k | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz |
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