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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTSB60100CT-1G | - | ![]() | 4055 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Schottky | I2pak (to-262) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 840 mV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | |||||
1n6074us/tr | 17.6250 | ![]() | 1609 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N6074US/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 2,04 V @ 9,4 A | 30 ns | 1 µA A 100 V | -65 ° C ~ 155 ° C. | 3a | - | ||||
BAV19W | 0,0150 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Padrão | SOD-123 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BAV19WTR | Ear99 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 250mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | PMEG120G30ELP-QX | 0,4900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Padrão | SOD-128/CFP5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 840 mV @ 3 a | 11 ns | 30 Na @ 120 V | 175 ° C. | 3a | 103pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | S15MC | 0,2997 | ![]() | 8011 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1.1 V @ 15 A | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 93pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SM5818PL-TP | 0,3000 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | SM5818 | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 560 mV @ 1 a | 100 µA A 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
![]() | 1n5625 tr | - | ![]() | 1163 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Fita E CAIXA (TB) | Última Vez compra | Através do buraco | R-4, axial | 1N5625 | Padrão | GPR-4am | - | Alcançar Não Afetado | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 3 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 5a | - | |||||||
![]() | MURS1060FH-BP | 0,4800 | ![]() | 2667 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Última Vez compra | Através do buraco | Guia Isolada parágrafo 220-2 | MURS1060 | Padrão | ITO-220AC | download | 353-MURS1060FH-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,6 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | ||||
![]() | CDS5822US/TR | - | ![]() | 9630 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-CDS5822US/TR | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | SFF1608G | 0.7305 | ![]() | 2524 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1608 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SR56F_R1_00001 | 0,4300 | ![]() | 861 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-221aa, SMB plat do | SR56 | Schottky | SMBF | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 5 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 190pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-MBRB1035HM3 | 0,9075 | ![]() | 8289 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-VS-MBRB1035HM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 600pf @ 5V, 1MHz | ||||
Pu1jls | 0,0978 | ![]() | 7340 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | Pu1j | Padrão | SOD-123H | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-PU1JLST | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 1 A | 28 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MBRD1550-TP | 0,4192 | ![]() | 7988 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD1550 | Schottky | DPAK (TO-252) | download | 353-MBRD1550-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mv @ 15 a | 100 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||||
![]() | VS-80-7897 | - | ![]() | 2930 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7897 | - | 112-VS-80-7897 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | HSM3100G/TR13 | 1.6350 | ![]() | 8756 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-215AB, Asa de Gaivota SMC | HSM3100 | Schottky | DO-215AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 810 mV @ 3 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||
![]() | ES1001FL_R1_00001 | 0,4200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | ES1001FL | Padrão | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-ES1001FL_R1_00001CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 500 Na @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | |
![]() | G5S12005C | 7.4500 | ![]() | 8658 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252 | download | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20.95a | 424pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | S1K | 0,0317 | ![]() | 135 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC, SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2796-S1ktr | 8541.10.0000 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA A 800 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | VS-ETL1506STL-M3 | 0,7542 | ![]() | 9220 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | ETL1506 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSETL1506STRLM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,07 V @ 15 A | 210 ns | 15 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |
VT3045BP-M3/4W | 1.6100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | VT3045 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VT3045BPM34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 700 mV @ 30 A | 2 mA a 45 V | 200 ° C (max) | 30a | - | |||
![]() | CDBHA1060-HF | 0,3542 | ![]() | 8836 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | CDBHA1060 | Schottky | TO-277B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-CDBHA1060-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 530 mV @ 10 A | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
![]() | 1N3168 | 21.0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Padrão | Do-9 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3168 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 240 A | 75 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 240a | - | |||
![]() | GS2MBF | 0,0340 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-GS2MBFTR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||
![]() | SF1007G C0G | - | ![]() | 1147 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF1007 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | VI10150S-E3/4W | 0,5671 | ![]() | 8013 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI10150 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,2 V @ 10 A | 150 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
![]() | SBRT15M50SP5-13 | - | ![]() | 1707 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Trenchsbr | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | Super Barreira | Powerdi ™ 5 | download | 1 (ilimito) | 31-SBRT15M50SP5-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 520 mV @ 15 A | 150 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||||
![]() | Mur820f | 0,3470 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Guia Isolada parágrafo 220-2 | Padrão | ITO-220AC | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MUR820FTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||
![]() | RB751SL | - | ![]() | 3042 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-923 | Schottky | SOD-923F | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-RB751SL-600039 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 370 mV @ 1 Ma | 8 ns | 500 Na @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30Ma | 2.5pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | 1N2272R | 2.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2272R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - |
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