SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
SB02-03C-TB-E onsemi SB02-03C-TB-E 0,1400
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ECAD 333 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 3.000
MBR16200FCT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR16200FCT_T0_00001 0,3591
RFQ
ECAD 9164 0,00000000 Panjit International Inc. - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MBR16200 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-MBR16200FCT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 16a 900 mV @ 8 a 50 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BAV99-7-G Diodes Incorporated BAV99-7-G -
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ECAD 9466 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bav99 Padrão SOT-23-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 31-BAV99-7-GTR Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 75 v 300mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 2,5 µA A 75 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BAS40-06-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-06-HE3-18 0,0606
RFQ
ECAD 3192 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 40 v 200Ma 1 V @ 40 Ma 5 ns 100 Na @ 30 V 125 ° C (Máximo)
APT2X30DQ60J Microchip Technology APT2X30DQ60J 19.3800
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ECAD 9565 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc Apt2x30 Padrão Isotop® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 600 v 30a 2,2 V @ 30 A 105 ns 25 µA A 600 V
MSAD100-16 Microsemi Corporation MSAD100-16 -
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ECAD 3489 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto Montagem do chassi D1 Padrão D1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 1600 v 100a 1,35 V @ 300 A 5 MA A 1600 V
DSP8-08S-TRL IXYS DSP8-08S-TRL 2.4141
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ECAD 9787 0,00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab DSP8 Padrão TO-263AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 800 v 11a 1,15 V @ 7 A 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MURT10005R GeneSiC Semiconductor MURT10005R -
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ECAD 8967 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MURT10005RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 50 v 50a 1,3 V @ 50 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DURB1640CT Littelfuse Inc. DURB1640CT 2.0900
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ECAD 774 0,00000000 Littelfuse Inc. DURANTE Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Durb1640 Padrão TO-263 (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 8a 1,3 V @ 8 A 45 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2560CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR2560CT-Y 0,6949
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ECAD 3977 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR2560 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBR2560CT-Y Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 25a 750 mV @ 12,5 A 200 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRS20H150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H150CTH 0,7761
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ECAD 3195 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS20 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS20H150CTHTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 20a 970 mV @ 20 A 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
STTH6102TV1 STMicroelectronics STTH6102TV1 -
RFQ
ECAD 3368 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Montagem do chassi Isotop STTH61 Padrão Isotop® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 200 v 30a 1,05 V @ 30 A 30 ns 50 µA A 200 V 150 ° C (Máximo)
STPS40SM100CR STMicroelectronics STPS40SM100CR 3.7600
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ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA STPS40 Schottky I2pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 810 mV @ 20 A 45 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo)
MBR1060CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR1060CT-Y 0.4117
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ECAD 8367 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR1060 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBR1060CT-Y Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 10a 700 mv @ 10 a 100 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR10150CTC0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR10150CTC0 -
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ECAD 4695 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco To-220-3 MBR1015 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 10a 980 mV @ 10 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-10CDU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CDU06HM3/i 1.6600
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ECAD 3501 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante 10CDU06 Padrão TO-263AC (SMPD) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 5a 1,5 V @ 5 A 45 ns 3 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C.
VS-40L15CTS-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40L15CTS-M3 2.3300
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 40L15 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 15 v 20a 410 mV @ 19 A 10 mA a 15 V -55 ° C ~ 125 ° C.
MBRD620CTT4G onsemi MBRD620CTT4G 0,9100
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ECAD 2 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MBRD620 Schottky DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 3a 700 mv @ 3 a 100 µA a 20 V -65 ° C ~ 175 ° C.
STPS30M60CT STMicroelectronics STPS30M60CT 1.4900
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ECAD 423 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Última Vez compra Através do buraco To-220-3 STPS30 Schottky To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 590 mV @ 15 A 80 µA A 60 V 150 ° C (Máximo)
MD165K12D2 Yangjie Technology MD165K12D2 29.4838
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ECAD 800 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo Padrão D2 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-MD165K12D2 Ear99 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 165a 1,4 V @ 300 A 9 MA A 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
SR2060H Taiwan Semiconductor Corporation SR2060H 0,6437
RFQ
ECAD 6453 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SR2060 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SR2060H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 20a 700 mv @ 10 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSD6100G onsemi MSD6100G -
RFQ
ECAD 1934 0,00000000 Onsemi - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo MSD61 Padrão TO-92 (TO-226) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 5.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 100 v 200Ma (DC) 1,1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 135 ° C.
SDURF3040CTR SMC Diode Solutions SDURF3040CTR 1.1200
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ECAD 2895 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SDURF3040 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 400 v 15a 1,45 V @ 15 A 45 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSCDC600A70AG Microchip Technology MSCDC600A70AG 473.7800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo Montagem do chassi Módlo MSCDC600 Sic (carboneto de Silíc) Schottky Sp6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-MSCDC600A70AG Ear99 8541.10.0080 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 700 v 600A 1,8 V @ 600 A 0 ns 2,4 mA a 700 V -40 ° C ~ 175 ° C.
BAV 99 E6433 Infineon Technologies BAV 99 E6433 -
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ECAD 1408 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV 99 Padrão PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 80 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 150 Na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
BAW101S-QX Nexperia USA Inc. BAW101S-QX 0,0659
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ECAD 2029 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAW101 Padrão 6-TSSOP download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1727-BAW101S-QXTR Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 300 v 250mA 1,1 V @ 100 Ma 50 ns 150 Na @ 250 V 150 ° C.
UF2002CT_T0_00001 Panjit International Inc. UF2002CT_T0_00001 0,7300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 UF2002 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-UF2002CT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 20a 1 V @ 10 A 50 ns 1 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
VS-30CTQ060-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ060-1PBF -
RFQ
ECAD 8193 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA 30CTQ060 Schottky TO-262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 620 mV @ 15 a 800 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DD175N32KHPSA1 Infineon Technologies DD175N32KHPSA1 292.7233
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ECAD 4595 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo Montagem do chassi Módlo DD175N32 Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 3200 v 223a 2,05 V @ 600 A 20 mA a 3200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MBRT50020R GeneSiC Semiconductor MBRT50020R -
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ECAD 5942 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT50020RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 20 v 250a 750 mV @ 250 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
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    30.000.000

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