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Matriza de Diodo (16722)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção
FFSH20120ADN-F155	12.9000	RFQ	433	Onsemi	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-247-3	FFSH20120	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3	download	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	30	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	1200 v	10a (DC)	1,75 V @ 10 A		200 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
CDBD2045-G	0,9555	RFQ	3994	Tecnologia Comchip	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	CDBD2045	Schottky	D2PAK	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	20A (DC)	550 mV @ 10 A		500 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 125 ° C.
NRVBD640VCTT4G	1.4200	RFQ	1	Onsemi	SwitchMode ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	NRVBD640	Schottky	DPAK	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	40 v	3a	700 mv @ 3 a		100 µA A 40 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
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BAV23C-TP	0,1300	RFQ	3	Micro Commercial Co.	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV23	Padrão	SOT-23	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	BAV23C-TPMSTR	Ear99	8541.10.0070	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	225mA (DC)	1,25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 250 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
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V80170PW-M3/4W	-	RFQ	3179	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	TMBS®	Volume	Obsoleto	Através do buraco	Pacote completo para 3p-3	V80170	Schottky	TO-3PW	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	750	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	170 v	40A	910 mV @ 40 A		600 µA A 170 V	-40 ° C ~ 175 ° C.
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V20pwm12chm3/i	1.0900	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	V20pwm12	Schottky	Slimdpak	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	4.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	120 v	10a	920 mV @ 10 A		300 µA A 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C.
FEPB6CT-E3/45	-	RFQ	6331	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	FEPB6	Padrão	TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	150 v	6a	975 mV @ 3 a	35 ns	5 µA A 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
NTST30120CTG	1.6400	RFQ	463	Onsemi	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	NTST30120	Schottky	To-220	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	120 v	15a	1,08 V @ 15 A		800 µA A 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
RBR30T40ANZC9	0,7694	RFQ	7729	Rohm Semiconducor	-	Fita de Corte (CT)	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3	RBR30	Schottky	TO-220FN	download	ROHS3 Compatível	3 (168 Horas)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	40 v	15a	620 mV @ 15 a		360 µA A 40 V	150 ° C.
BAW56.235	0,1400	RFQ	272	Nexperia EUA Inc.	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAW56	Padrão	TO-236AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	10.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum	90 v	215mA (DC)	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	500 Na @ 80 V	150 ° C (Máximo)
NTE645	3.5500	RFQ	3	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	Através do buraco	To-220-3		Padrão	To-220	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE645	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum		8a	1,3 V @ 8 A	250 ns	10 µA A 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
DD171N12KKHPSA2	191.5900	RFQ	7045	Tecnologias Infineon	DD171N	Bandeja	Ativo	Montagem do chassi	Módlo	DD171N12	Padrão	-	-	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	8	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	1200 v	171a	1,26 V @ 500 A		20 mA a 1200 V	150 ° C.
F1842CCD1600	144.4680	RFQ	4381	Sensata-Crydom	-	Volume	Não é para desenhos para Novos	Montagem do chassi	Módlo		Padrão	Módlo	download	Rohs Compatível	Não Aplicável		2266-F1842CCD1600	Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	1600 v	40A (DC)	1,4 V @ 120 A			-40 ° C ~ 125 ° C.
MBRT60030	140.2020	RFQ	2184	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	Três Torre		Schottky	Três Torre	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		MBRT60030GN	Ear99	8541.10.0080	40	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	30 v	300A	750 mV @ 300 A		1 mA a 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBRS10H200CTH	0,7126	RFQ	6392	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRS10	Schottky	TO-263AB (D2PAK)	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	1801-MBRS10H200CTHTR	Ear99	8541.10.0080	1.600	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	10a	970 mV @ 10 A		5 µA A 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
DB5H411K0L	-	RFQ	1268	Componentes eletrônicos da Panasonic	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado no sic	Montagem na Superfície	6-SMD (5 leads), Chumbo Plano	DB5H411	Schottky	WSMINI5-F1-B	-	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	40 v	1a	580 mV @ 1 a	6,8 ns	100 µA A 40 V	125 ° C (Máximo)

2000+
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Unidade de produto padrão
2800+
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Matriza de Diodo (16722)

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30.000.000

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15.000 m²