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Matriza de Diodo (16722)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
UGB8JCT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8JCT-E3/81 -
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 ECAD 9562 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab UGB8 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 4a 1,75 V @ 4 a 50 ns 30 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
RB095T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB095T-90NZC9 2.0800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 RB095 Schottky TO-220FN download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 846-RB095T-90NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 90 v 6a 750 mv @ 3 a 150 µA @ 90 V 150 ° C.
1N5711UBCA/TR Microchip Technology 1N5711UBCA/TR 32.0600
RFQ
 ECAD 7651 0,00000000 Microchip Technology MIL-PRF-19500/444 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo Schottky Ub - 100 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 50 v 1 V @ 15 mA 200 Na @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C.
V60100C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60100C-M3/4W 2.8900
RFQ
 ECAD 960 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 V60100 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 30a 790 mV @ 30 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MBR1045FCTS Yangjie Technology MBR1045FCTS 0,2860
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 ECAD 100 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBR104 Schottky ITO-220AB - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-MBR1045FCTSTR Ear99 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 10a 650 mV @ 5 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 125 ° C.
MBRF2060CT-I-JT Diodes Incorporated MBRF2060CT-I-JT -
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 ECAD 2294 0,00000000 Diodos Incorporados * Tubo Obsoleto - 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO MBRF2060CT-I-JTDI Ear99 8541.10.0080 50
FFPF06U20DPTU onsemi FFPF06U20DPTU -
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 ECAD 5221 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 FFPF06 Padrão TO-220F-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 200 v 6a 1,2 V @ 6 A 35 ns 6 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
DA227-TP Micro Commercial Co DA227-TP 0,2417
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 ECAD 3802 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 DA227 Padrão SOT-353 download 353-DA227-TP Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 80 v 300mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 100 Na @ 70 V 150 ° C.
RBQ10T45ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ10T45ANZC9 1.1600
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 ECAD 1 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 RBQ10 Schottky TO-220FN download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 10a 650 mV @ 5 A 70 µA @ 45 V 150 ° C.
HER1608G Taiwan Semiconductor Corporation HER1608G 0,6177
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 ECAD 5480 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 HER1608 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 16a 1,7 V @ 8 a 80 ns 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DSSS30-01AR IXYS DSSS30-01AR -
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 ECAD 4808 0,00000000 Ixys - Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-3 DSSS30 Schottky Isoplus247 ™ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 100 v 30a 790 mV @ 30 A 2 ma @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C.
SBR20A45CTB-13 Diodes Incorporated SBR20A45CTB-13 -
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 ECAD 2579 0,00000000 Diodos Incorporados Sbr Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SBR20 Super Barreira TO-263AB (D²PAK) - 1 (ilimito) 31-SBR20A45CTB-13TR Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 20a 600 mV @ 20 A 500 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X050A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A060 43.6545
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 ECAD 5087 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc MBR2X050 Schottky SOT-227 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 52 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 60 v 50a 750 mV @ 50 A 1 mA a 60 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAS70-07WE6327 Infineon Technologies BAS70-07WE6327 -
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 ECAD 9116 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-82A, SOT-343 Bas70 Schottky PG-SOT343-4-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 4.750 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 Independente 70 v 70mA (DC) 1 V @ 15 mA 100 ps 100 Na @ 50 V 150 ° C.
BAS70WT-04-TP Micro Commercial Co Bas70wt-04-tp 0,2000
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 ECAD 6 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Bas70 Schottky SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 70 v 70mA 1 V @ 15 mA 5 ns 100 Na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C.
SBR30A150CTFP-G Diodes Incorporated SBR30A150CTFP-G -
RFQ
 ECAD 4927 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SBR30 Super Barreira ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 31-SBR30A150CTFP-G Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 15a 880 mV @ 15 A 100 µA A 150 V -65 ° C ~ 175 ° C.
MBRF20060R GeneSiC Semiconductor MBRF20060R -
RFQ
 ECAD 3022 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 60 v 100a 750 mV @ 100 A 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRB40200CT-TP Micro Commercial Co MBRB40200CT-TP 1.1258
RFQ
 ECAD 7224 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB40200 Schottky D2PAK download 353-MBRB40200CT-TP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 40A 900 mV @ 20 A 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR20060CTR GeneSiC Semiconductor MBR20060CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 4535 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR20060 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 60 v 200a (DC) 750 mV @ 100 A 5 mA a 20 V
MBR12060CT GeneSiC Semiconductor MBR12060CT 68.8455
RFQ
 ECAD 9223 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR12060 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1084 Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 60 v 120A (DC) 750 mV @ 60 A 3 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
RURD1520 Harris Corporation RURD1520 2.0900
RFQ
 ECAD 254 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac Avalanche TO-218 ISOLADO download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 15a 1,05 V @ 15 A 35 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MBRT50035R GeneSiC Semiconductor MBRT50035R -
RFQ
 ECAD 3545 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT50035RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 35 v 250a 750 mV @ 250 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VI40M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI40M120C-M3/4W 1.2418
RFQ
 ECAD 5931 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA VI40M120 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 20a 890 mV @ 20 A 500 µA A 120 V -40 ° C ~ 175 ° C.
DAN222WMTL Rohm Semiconductor Dan222wmtl 0,3100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 Dan222 Padrão EMD3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 100 Na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
MURT30060R GeneSiC Semiconductor MURT30060R 118.4160
RFQ
 ECAD 8258 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MURT30060 Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MURT30060RGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 600 v 150a 1,7 V @ 150 A 200 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FEPF16JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF16JTHE3_A/P. 1.2375
RFQ
 ECAD 2235 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada FEPF16 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 8a 1,5 V @ 8 A 50 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURT10010R GeneSiC Semiconductor MURT10010R -
RFQ
 ECAD 9699 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MURT10010RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 50a 1,3 V @ 50 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
LSIC2SD120N120PA IXYS LSIC2SD120N120PA 118.8500
RFQ
 ECAD 7304 0,00000000 Ixys - Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc LSIC2SD120N Sic (carboneto de Silíc) Schottky - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 238-LSIC2SD120N120PA Ear99 8541.10.0080 10 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 2 Independente 1200 v 120A (DC) 1,8 V @ 60 A 0 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MBRL3045FCT-BP Micro Commercial Co MBRL3045FCT-BP 0,4126
RFQ
 ECAD 3023 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Através do buraco Guia Isolada parágrafo 220-3 MBRL3045 Schottky ITO-220AB download 353-MBRL3045FCT-BP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 30a 550 mV @ 15 A 100 µA A 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-25CTQ035STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25CTQ035STRR-M3 0,8993
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 ECAD 2410 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 25ctq035 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 15a 560 mV @ 15 a 1,75 mA a 35 V -55 ° C ~ 150 ° C.
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