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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ss8p6chm3_a/h | 0,6400 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS8P6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 4a | 700 mv @ 4 a | 50 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Ugf10dcthe3_a/p | - | ![]() | 4629 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF10 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 1,1 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | DSA60C100PB | - | ![]() | 7758 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | DSA60C100 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 950 mV @ 30 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | MBRJL30100CTL-BP | - | ![]() | 5798 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Obsoleto | MBRJL30100 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 353-MBRJL30100CTL-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | ||||||||||||||
![]() | MUR1015CT-BP | 0,4025 | ![]() | 5658 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Última Vez compra | Através do buraco | To-220-3 | MUR1015 | Padrão | TO-220AB | download | 353-MUR1015CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 975 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MBRF2060CT-JT | - | ![]() | 8486 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | MBRF2060CT-JTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 810 mV @ 10 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBRJL30100CT-BP | - | ![]() | 8513 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Última Vez compra | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MBRJL30100 | Schottky | To-262 | - | 353-MBRJL30100CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 770 mV @ 15 A | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MBR40100CT | 0,5660 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR40100 | Schottky | TO-220AB | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBR40100CTTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 40A | 850 mV @ 20 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | FEPB16FT-E3/45 | 0,9405 | ![]() | 2861 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FEPB16 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 8a | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | FEP16HT-E3/45 | 1.5700 | ![]() | 985 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | FEP16 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 500 v | 16a | 1,5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | V15K100C-M3/H. | 0,8700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 4.2a | 690 mV @ 7.5 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MBRF2080CT | 0,8600 | ![]() | 961 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF2080 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | -1765-MBRF2080CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | - | 850 mV @ 10 A | 1 mA a 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | HSB226STL-E | 0,2200 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | VX60M60C-M3/P. | 1.0395 | ![]() | 5866 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Vx60m | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-VX60M60C-M3/P. | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 30a | 660 mV @ 30 A | 600 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | MBRBL3045CT | 0,4910 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Schottky | D2PAK | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBRBL3045CTTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 30a | 530 mV @ 15 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | SCS210KE2GC11 | 10.1000 | ![]() | 450 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SCS210 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247n | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-SCS210KE2GC11 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 5a (DC) | 1,6 V @ 5 A | 0 ns | 100 µA A 1200 V | 175 ° C. | |
![]() | UGB8JCT-E3/81 | - | ![]() | 9562 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | UGB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 4a | 1,75 V @ 4 a | 50 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | RB095T-90NZC9 | 2.0800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RB095 | Schottky | TO-220FN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RB095T-90NZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 6a | 750 mv @ 3 a | 150 µA @ 90 V | 150 ° C. | ||
![]() | 1N5711UBCA/TR | 32.0600 | ![]() | 7651 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | Schottky | Ub | - | 100 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | V60100C-M3/4W | 2.8900 | ![]() | 960 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | V60100 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 790 mV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR1045FCTS | 0,2860 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBR104 | Schottky | ITO-220AB | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBR1045FCTSTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 650 mV @ 5 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||
![]() | MBRF2060CT-I-JT | - | ![]() | 2294 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | * | Tubo | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | MBRF2060CT-I-JTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | |||||||||||||||
![]() | FFPF06U20DPTU | - | ![]() | 5221 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | FFPF06 | Padrão | TO-220F-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 6a | 1,2 V @ 6 A | 35 ns | 6 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | DA227-TP | 0,2417 | ![]() | 3802 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | DA227 | Padrão | SOT-353 | download | 353-DA227-TP | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 80 v | 300mA | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 70 V | 150 ° C. | ||||
![]() | RBQ10T45ANZC9 | 1.1600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RBQ10 | Schottky | TO-220FN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 650 mV @ 5 A | 70 µA @ 45 V | 150 ° C. | |||
![]() | HER1608G | 0,6177 | ![]() | 5480 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | HER1608 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 16a | 1,7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | DSSS30-01AR | - | ![]() | 4808 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | DSSS30 | Schottky | Isoplus247 ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 100 v | 30a | 790 mV @ 30 A | 2 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | SBR20A45CTB-13 | - | ![]() | 2579 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Sbr | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBR20 | Super Barreira | TO-263AB (D²PAK) | - | 1 (ilimito) | 31-SBR20A45CTB-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 600 mV @ 20 A | 500 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MBR2X050A060 | 43.6545 | ![]() | 5087 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 60 v | 50a | 750 mV @ 50 A | 1 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | BAS70-07WE6327 | - | ![]() | 9116 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-82A, SOT-343 | Bas70 | Schottky | PG-SOT343-4-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.750 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 70 v | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 Na @ 50 V | 150 ° C. |
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