SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
RB088BM-60TL Rohm Semiconductor RB088BM-60TL 1.0900
RFQ
ECAD 310 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 RB088 Schottky TO-252 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 10a 830 mv @ 5 a 3 µA A 60 V 150 ° C.
VS-40CTQ150-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ150-1-M3 1.2784
RFQ
ECAD 8296 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA 40CTQ150 Schottky TO-262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 20a 930 mV @ 20 A 50 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
VS-VSKD236/04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-vskd236/04pbf 64.0187
RFQ
ECAD 7937 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi 3-MAGN-A-PAK ™ Vskd236 Padrão Magn-a-Pak® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vsvskd23604pbf Ear99 8541.10.0080 15 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 115a 20 mA a 400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAS40-06-7-F-2477 Diodes Incorporated BAS40-06-7-F-2477 -
RFQ
ECAD 5258 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Última Vez compra Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky SOT-23-3 - 31-BAS40-06-7-F-2477 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 40 v 200Ma 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 Na @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C.
DB5S309K0R Panasonic Electronic Components DB5S309K0R -
RFQ
ECAD 9820 0,00000000 Componentes eletrônicos da Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SOT-665 DB5S309 Schottky SOT-665 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 Independente 30 v 100mA 580 mV @ 100 Ma 1,3 ns 300 Na @ 10 V 125 ° C (Máximo)
689-3N Microchip Technology 689-3N 280.3200
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ECAD 3279 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do chassi Nd 689-3 Padrão Nd download Alcançar Não Afetado 150-689-3N Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 300 v 15a 1,2 V @ 10 A 500 ns 10 µA A 300 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BAV70LT3 onsemi BAV70LT3 -
RFQ
ECAD 4085 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Bav70 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000
RB218T100NZC9 Rohm Semiconductor RB218T100NZC9 1.6100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 RB218 Schottky TO-220FN download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 870 mV @ 10 A 7 µA A 100 V 150 ° C.
MURTA300120R GeneSiC Semiconductor Murta300120r 159.9075
RFQ
ECAD 2718 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Murta300120 Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 600 v 150a 2,6 V @ 150 A 25 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
STPS30M60CG-TR STMicroelectronics STPS30M60CG-TR -
RFQ
ECAD 3795 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab STPS30 Schottky D²pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 590 mV @ 15 A 80 µA A 60 V 150 ° C (Máximo)
MSC2X51SDA120J Microchip Technology MSC2X51SDA120J 61.5400
RFQ
ECAD 93 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc MSC2X51 Sic (carboneto de Silíc) Schottky SOT-227 (Isotop®) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-MSC2X51SDA120J Ear99 8541.10.0080 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 2 Independente 1200 v 50a (DC) 1,8 V @ 50 A 0 ns 200 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MURTA50040 GeneSiC Semiconductor Murta50040 174.1546
RFQ
ECAD 2819 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Murta50040gn Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 250a 1,5 V @ 250 A 150 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR1535CT Diodes Incorporated MBR1535CT -
RFQ
ECAD 6187 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR1535CT Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO MBR1535CTDI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 15a 840 mV @ 15 A 100 µA A 35 V -65 ° C ~ 150 ° C.
VB40100G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40100G-E3/4W 1.1831
RFQ
ECAD 1239 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab VB40100 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 810 mV @ 20 A 500 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAV170E6433HTMA1 Infineon Technologies BAV170E6433HTMA1 0,0528
RFQ
ECAD 3401 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 Padrão PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 80 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 150 Ma 1,5 µs 5 Na @ 75 V 150 ° C (Máximo)
VS-MUR2020CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUR2020CTPBF -
RFQ
ECAD 2008 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-3 MUR2020 Padrão To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 850 mv @ 8 a 35 ns 15 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BAV70M315 Nexperia USA Inc. BAV70M315 1.0000
RFQ
ECAD 9189 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 Bav70 Padrão SOT-883 download Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 100 v 150mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
BAS40-05-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-05-HE3-08 0,4000
RFQ
ECAD 31 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 40 v 200Ma 1 V @ 40 Ma 5 ns 100 Na @ 30 V 125 ° C (Máximo)
BAV170_R1_00001 Panjit International Inc. BAV170_R1_00001 0,1600
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 Padrão SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-BAV170_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 75 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 150 Ma 3 µs 5 Na @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C.
TSF30L200C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L200C 1.1388
RFQ
ECAD 4798 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF30 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 15a 960 mV @ 15 A 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
APT2X31DC120J Microsemi Corporation APT2X31DC120J -
RFQ
ECAD 1778 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc Apt2x31 Sic (carboneto de Silíc) Schottky SOT-227 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 2 Independente 1200 v 30a 1,8 V @ 30 A 0 ns 600 µA A 1200 V
SR4060PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4060PTHC0G -
RFQ
ECAD 1724 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SR4060 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 40A 700 mV @ 20 A 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor SCS220AE2GC11 9.2100
RFQ
ECAD 9656 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SCS220 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247n download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 846-SCS220E2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 650 v 10a (DC) 1,55 V @ 10 A 0 ns 200 µA A 600 V 175 ° C.
MBRB30100CT-TP Micro Commercial Co MBRB30100CT-TP 0.7049
RFQ
ECAD 5145 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB30100 Schottky D2PAK download 353-MBRB30100CT-TP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 30a 850 mV @ 15 a 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
STPS40SM80CR STMicroelectronics STPS40SM80CR -
RFQ
ECAD 9180 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA STPS40 Schottky I2pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 20a 800 mV @ 20 A 50 µA A 80 V 175 ° C (max)
HN2S01FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2S01FUTE85LF 0,3800
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2S01 Schottky US6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 3 Independente 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA A 10 V 125 ° C (Máximo)
GSXD120A018S1-D3 SemiQ GSXD120A018S1-D3 37.0575
RFQ
ECAD 2977 0,00000000 Semiq - Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc GSXD120 Schottky SOT-227 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 13 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 180 v 120a 920 mV @ 120 A 3 ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MBR3060CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3060CTHC0G -
RFQ
ECAD 6429 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR3060 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 30a 770 mV @ 15 A 200 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-52CPQ030PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-52CPQ030PBF -
RFQ
ECAD 2152 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-3 52cpq030 Schottky TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 25a 480 mV @ 25 A 1,9 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRB30H100CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB30H100CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 8355 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB30 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 820 mV @ 15 a 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque