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Matriza de Diodo (16722)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
BAW56S/SG115 NXP USA Inc. BAW56S/SG115 0,0500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BAW56S download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 3.000
V30DM120C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30dm120c-m3/i 1.4850
RFQ
 ECAD 1723 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante V30DM120 Schottky Smpd download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 15a 970 mV @ 15 A 800 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C.
DMA240YC1600NA IXYS DMA240YC1600na 36.5480
RFQ
 ECAD 9699 0,00000000 Ixys DMA240YC1600na Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc DMA240 Padrão SOT-227B - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 238-DMA240yc1600na Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 2 par cátodo comum 1600 v 240a 1,72 V @ 240 A 50 µA A 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
RB238NS150TL Rohm Semiconductor RB238NS150TL 2.8900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab RB238 Schottky LPDS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 846-RB238NS150TLTR Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 40A 870 mV @ 20 A 30 µA A 150 V 150 ° C.
RB088BM-40TL Rohm Semiconductor RB088BM-40TL 1.0900
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 ECAD 335 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 RB088 Schottky TO-252 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 10a 770 mV @ 5 A 3 µA A 40 V 150 ° C.
88CNQ060S2 SMC Diode Solutions 88CNQ060S2 14.3622
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 ECAD 6557 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Através do buraco Prm2 88cnq Schottky Prm2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 48 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 40A 770 mV @ 80 A 640 µA A 60 V -55 ° C ~ 175 ° C.
UB10DCT-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UB10DCT-E3/8W -
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 ECAD 7881 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab UB10 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 5a 1,1 V @ 5 A 25 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR1560CT Diodes Incorporated MBR1560CT -
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 ECAD 8047 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR1560CT Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO MBR1560CTDI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 900 mV @ 15 A 1 mA a 60 V -65 ° C ~ 150 ° C.
NDD100N160 Naina Semiconductor Ltd. NDD100N160 -
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 ECAD 6740 0,00000000 Naina Semiconductor Ltd. - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo Padrão Módlo download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3489-NDD100N160 Ear99 8541.10.0080 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 100a 1,35 V @ 100 A 5 mA a 1,6 kV -40 ° C ~ 125 ° C.
FST8320M GeneSiC Semiconductor FST8320M -
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 ECAD 3580 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi D61-3M Schottky D61-3M download 1 (ilimito) FST8320MGN Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 80a (DC) 650 mV @ 80 A 1,5 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
NSVBAS21TMR6T2G onsemi NSVBAS21TMR6T2G 0,4000
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 ECAD 6 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 NSVBAS21 Padrão SC-74 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 3 Independente 250 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V
NTSB30120CTG onsemi NTSB30120CTG -
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 ECAD 5850 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab NTSB30120 Schottky D²pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 15a 1,08 V @ 15 A 800 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C.
SBS811-S-TL-E onsemi SBS811-S-TL-E -
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 ECAD 4223 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 8-SMD, Chumbo Plano SBS811 Schottky 8-VEC - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-SBS811-S-TL-E Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 30 v 2a 400 mv @ 2 a 20 ns 1,25 mA a 15 V -55 ° C ~ 125 ° C.
SBS004M-TL-E onsemi SBS004M-TL-E 0,0900
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 ECAD 18 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo SBS004 - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 3.000
BAV99TB_R1_00001 Panjit International Inc. BAV99TB_R1_00001 0,2200
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 ECAD 662 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 Bav99 Padrão SOT-523 Pro protábiovel download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 4.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 100 v 150mA 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 2,5 µA A 75 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA40020R GeneSiC Semiconductor Murta40020r 159.9075
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 ECAD 2875 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Murta40020 Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 200 v 200a 1,3 V @ 200 A 25 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
STPS41H100CT STMicroelectronics STPS41H100CT 2.1300
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 ECAD 7535 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 STPS41 Schottky To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 800 mV @ 20 A 10 µA A 100 V 175 ° C (max)
BAV70SE6327BTSA1 Infineon Technologies BAV70SE6327BTSA1 -
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 ECAD 2095 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Bav70 Padrão PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 par cátodo comum 80 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 150 Na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
TSD20H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD20H100CW 1.2252
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 ECAD 2001 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab TSD20 TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800
VIT2080C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2080C-E3/4W 0,6633
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 ECAD 4281 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Vit2080 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 10a 810 mV @ 10 A 600 µA A 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-VSKC71/06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-vskc71/06 37.0570
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 ECAD 7622 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi Add-a-pak (3) Vskc71 Padrão Add-a-Pak® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSVSKC7106 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 600 v 40A 10 mA a 600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
STTH20002TV1 STMicroelectronics STTH20002TV1 27.9700
RFQ
 ECAD 185 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Ativo Montagem do chassi Isotop STTH20002 Padrão Isotop® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 200 v 120a 1,05 V @ 100 A 50 ns 100 µA A 200 V 150 ° C (Máximo)
DSTF2080C Littelfuse Inc. DSTF2080C 0,7277
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 ECAD 2131 0,00000000 Littelfuse Inc. - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada DSTF2080 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 10a 810 mV @ 10 A 600 µA A 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR1545CT802HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1545CT802HE3/45 -
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 ECAD 3530 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR15 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 7.5a 840 mV @ 15 A 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BAW56UE6327HTSA1 Infineon Technologies BAW56UE6327HTSA1 0.1204
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 ECAD 6600 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 BAW56 Padrão PG-SC74-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 par ânodo comum 80 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 150 Na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
BYV410X-600/L01Q WeEn Semiconductors BYV410X-600/L01Q 0,6979
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 ECAD 9126 0,00000000 Semicondutores de Ween - Volume Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada BYV410 Padrão TO-220F download Ear99 8541.10.0080 600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 20a 2.1 V @ 10 A 35 ns 50 µA A 600 V 150 ° C.
VX6060PWHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vx6060pwhm3/p 1.9322
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 ECAD 1017 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 Schottky TO-247AD download Alcançar Não Afetado 112-VX6060PWHM3/P. Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 30a 600 mV @ 30 A 4 mA a 60 V -40 ° C ~ 150 ° C.
VS-30CTQ035STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ035STRL-M3 0,9197
RFQ
 ECAD 6702 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 30CTQ035 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 15a 620 mV @ 15 a 2 mA a 35 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BYV415W-600PQ WeEn Semiconductors BYV415W-600PQ 1.4871
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 ECAD 9779 0,00000000 Semicondutores de Ween - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 BYV415 Padrão To-247-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 15a 2,1 V @ 15 A 45 ns 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C.
TRS24N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65FB, S1Q 7.6500
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 ECAD 105 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 TRS24N65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247 - 1 (ilimito) 264 TRS24N65FBS1Q Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 650 v 12a (DC) 1,6 V @ 12 A 0 ns 60 µA A 650 V 175 ° C.
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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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