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Matriza de Diodo (16722)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção
UF1608CT_T0_00001	1.4200	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3	UF1608	Padrão	TO-220AB	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	3757-UF1608CT_T0_00001	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	800 v	16a	1,7 V @ 8 a	100 ns	1 µA A 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
MBR30100FCT_T0_00001	1.0800	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3	MBR30100	Schottky	ITO-220AB	download	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	Alcançar Não Afetado	3757-MBR30100FCT_T0_00001	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	15a	800 mV @ 15 A		50 µA A 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
MSRT200120D	110.1030	RFQ	8351	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	Três Torre	MSRT200	Padrão	Três Torre	download	ROHS3 Compatível			1242-MSRT200120D	Ear99	8541.10.0080	40	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	1200 v	200a	1,1 V @ 200 A		10 µA A 1600 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
BAV23C-HE3-08	0,3700	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BAV23C	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV23	Padrão	SOT-23-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	200Ma (DC)	1,25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 200 V	150 ° C (Máximo)
BAW156TQ-7-F-52	0,0621	RFQ	2543	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Ativo	Montagem na Superfície	SOT-523	BAW156	Padrão	SOT-523	download				31-BAW156TQ-7-F-52	Ear99	8541.10.0070	3.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum	85 v	215mA	1,25 V @ 150 Ma	3 µs	5 Na @ 75 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
BAT64-05W-TP	0,0687	RFQ	3046	Micro Commercial Co.	-	Volume	Ativo	Montagem na Superfície	SC-70, SOT-323	BAT64	Schottky	SOT-323	download				353-BAT64-05W-TP	Ear99	8541.10.0070	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	40 v	250mA	750 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA A 30 V	150 ° C.
V6k100duhm3/i	0,2977	RFQ	3850	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	8-PowerTdfn	V6K100	Schottky	Flatpak 5x6 (Duplo)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	6.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	100 v	3a	690 mV @ 3 a		350 µA A 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
FCQS30AU045	0,6600	RFQ	8932	Kyocera Avx	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3		Schottky	TO-220 Presos concluídos	download		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	-	45 v	30a	600 mV @ 15 A		600 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
GSXD050A020S1-D3	31.8774	RFQ	3259	Semiq	-	Tubo	Ativo	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	GSXD050	Schottky	SOT-227	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	13	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	200 v	50a	920 mV @ 50 A		3 ma @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
V20150C-E3/4W	1.6800	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	TMBS®	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3	V20150	Schottky	To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	150 v	10a	1,2 V @ 10 A		150 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2060CT_HF	-	RFQ	7401	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Obsoleto	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3		Schottky	TO-220AB	download				31-MBR2060CT_HF	Obsoleto		1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	10a	810 mV @ 10 A		100 µA A 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
AS3D020120P2	6.5200	RFQ	60	Anbon Semiconductor (Int'l) Limited	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-247-3	AS3D02012	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)		4530-AS3D020120P2	Ear99	8541.10.0080	30	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	1 par cátodo comum	1200 v	30a (DC)	1,8 V @ 15 A	0 ns	20 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
VS-30CTQ045S-M3	0,9095	RFQ	2994	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	30CTQ045	Schottky	TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	15a	620 mV @ 15 a		2 mA a 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
SDS065J016G3	5.5300	RFQ	9398	Sanan Semiconductor	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-247-3		Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3l	-	ROHS3 Compatível	Não Aplicável		5023-SDS065J016G3	Ear99	8541.10.0000	300	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	650 v	25a	1,5 V @ 8 A		24 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
1N6672	185.8500	RFQ	9971	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	Através do buraco	TO-254-3, TO-254AA	1N6672	Padrão	To-254	download	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	300 v	15a	1,35 V @ 10 A	35 ns	50 µA @ 240 V	-
SBR60A60CT-G	-	RFQ	7371	Diodos Incorporados	SBR®	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3	SBR60	Super Barreira	To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	31-SBR60A60CT-G	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	30a	650 mV @ 30 A		200 µA A 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
NRVB140SFT1	-	RFQ	5690	Onsemi	*	Volume	Ativo						-	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0080	3.000
STPS10170CB	-	RFQ	9165	Stmicroelectronics	-	Tubo	Obsoleto	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	STPS10170	Schottky	DPAK	download	ROHS3 Compatível	3 (168 Horas)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	75	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	170 v	5a	920 mV @ 5 A		10 µA A 170 V	175 ° C (max)
MBRB20H35CT-E3/81	-	RFQ	5630	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRB20	Schottky	TO-263AB (D²PAK)	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	35 v	10a	630 mV @ 10 A		100 µA A 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
WNSC6D20650CW6Q	5.3200	RFQ	465	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-247-3	WNSC6	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3	download		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	30	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	1 par cátodo comum	650 v	20a	1,45 V @ 10 A	0 ns	50 µA A 650 V	175 ° C.
BAT54CWTHTH3-TP	0,3500	RFQ	6	Micro Commercial Co.	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	SC-70, SOT-323	BAT54	Schottky	SOT-323	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	353-BAT54CWTHE3-TPTR	Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par cátodo comum	30 v	200Ma	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA A 25 V	-55 ° C ~ 125 ° C.
DD89N14KHPSA2	112.9860	RFQ	4384	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo	Montagem do chassi	Módlo		Padrão	Módlo	-	ROHS3 Compatível			448-DD89N14KHPSA2	Ear99	8541.30.0080	15	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	1400 v	89a	1,5 V @ 300 A		20 mA a 1,4 kV	150 ° C.
DSS2X101-02A	-	RFQ	2673	Ixys	-	Tubo	Descontinuado no sic	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	DSS2	Schottky	SOT-227B	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Dss2x10102a	Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	200 v	100a	940 mV @ 100 A		4 ma @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
QRC0620R30	-	RFQ	3884	Powerex Inc.	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	Módlo		Padrão	Módlo	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	600 v	140A (DC)	2,5 V @ 140 A	120 ns	1 mA a 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
STTH2003CR	2.0000	RFQ	6899	Stmicroelectronics	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA	STTH2003	Padrão	I2pak	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	300 v	10a	1,25 V @ 10 A	35 ns	20 µA A 300 V	175 ° C (max)
DD300KB160	135.1400	RFQ	8351	Sanrex Corporation	-	Bandeja	Ativo	Montagem do chassi	Módlo		Padrão	-	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		4076-DD300KB160	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	1600 v	300A	1,5 V @ 750 A		50 mA a 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
MBR10150FCT	0,3070	RFQ	100	Tecnologia Yangjie	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	MBR10150	Padrão	ITO-220AB	-	Rohs Compatível		Alcançar Não Afetado	4617-MBR10150FCT	Ear99		1.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	150 v	10a	920 mV @ 5 A		50 µA A 150 V	-50 ° C ~ 150 ° C.
MBR20100CTE3/TU	1.1700	RFQ	1258	Microchip Technology	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	TO-220AB	MBR20100	-	TO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2.000	-	1 par cátodo comum	100 v	20a	850 mV @ 10 A			-55 ° C ~ 175 ° C.
MBR20H100CT-E3/45	2.1100	RFQ	660	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3	MBR20	Schottky	To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	10a	770 mV @ 10 a		4,5 µA a 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
MSC2X100SDA070J	71.6700	RFQ	14	Microchip Technology	-	Tubo	Ativo	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	MSC2X100	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	SOT-227 (Isotop®)	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	150-MSC2X100SDA070J	Ear99	8541.10.0080	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	2 Independente	700 v	100a (DC)	1,8 V @ 100 A	0 ns	400 µA @ 700 V	-55 ° C ~ 175 ° C.

2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
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Matriza de Diodo (16722)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²