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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CMLD3003DOG TR PBFREE | 0.2101 | ![]() | 7316 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | CMLD3003 | Padrão | SOT-563 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 180 v | 200Ma | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 180 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | UGF1006GH | 0,5148 | ![]() | 2544 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF1006 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UGF1006GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 10a | 1,25 V @ 5 A | 20 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
MBRL30100CT-BP | 1.5800 | ![]() | 963 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBRL30100 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-MBRL30100CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 720 mV @ 15 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | SFF2006GAH | 0,7797 | ![]() | 8148 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF2006 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SFF2006GAH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 400 v | 20a | 1,3 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | UGF1006GAH | 0,5099 | ![]() | 8188 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF1006 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UGF1006GAH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 400 v | 10a | 1,25 V @ 5 A | 20 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | RB228T-40NZC9 | 1.7300 | ![]() | 988 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RB228 | Schottky | TO-220FN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 30a | 770 mV @ 15 A | 10 µA A 40 V | 150 ° C. | |||
![]() | BAS40W-04-7-F-2477 | - | ![]() | 5053 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Schottky | SOT-323 | - | 31-BAS40W-04-7-F-2477 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 40 v | 200Ma | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 Na @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||
![]() | UG1008GH | 1.2700 | ![]() | 807 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | UG1008 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 10a | 1,7 V @ 5 A | 30 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MBRF1045CT-Y | 0,3912 | ![]() | 4484 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF1045 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRF1045CT-Y | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 880 mV @ 10 A | 100 µA A 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | BAS70-05WH6327 | 0,0800 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bas70 | Schottky | PG-SOT323-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 70 v | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 Na @ 50 V | 150 ° C. | ||
![]() | GD2X30MPS12N | 33.8900 | ![]() | 246 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | GD2X | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-GD2X30MPS12N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 2 Independente | 1200 v | 52a (DC) | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | GSXD120A018S1-D3 | 37.0575 | ![]() | 2977 | 0,00000000 | Semiq | - | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | GSXD120 | Schottky | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 180 v | 120a | 920 mV @ 120 A | 3 ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | ST6080D | 78.9000 | ![]() | 3807 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | ST60 | Padrão | TO-204AA (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | 150-ST6080D | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 800 v | 20a | 1 V @ 30 A | 10 µA a 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||
SDM40E20LC-7-79 | - | ![]() | 8589 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SDM40 | Schottky | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-SDM40E20LC-7-79TR | Obsoleto | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 400mA (DC) | 310 mV @ 100 Ma | 250 µA A 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||||
![]() | MBRD10150CT-TP | 0,2778 | ![]() | 5950 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD10150 | Schottky | D-Pak | download | 353-MBRD10150CT-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 920 mV @ 5 A | 50 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
G20H120CTFW | 0,7500 | ![]() | 4803 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-G20H120CTFW | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 20a | 830 mV @ 10 A | 4 µA A 120 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | STPS30L40CW | - | ![]() | 1772 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | STPS30L40 | Schottky | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 15a | 550 mV @ 15 A | 360 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||
![]() | GSXF060A020S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 6858 | 0,00000000 | Semiq | - | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | GSXF060 | Padrão | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 60a | 1 V @ 60 A | 75 ns | 25 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | SFF10L08GH | 0,4385 | ![]() | 8099 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF10L08 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SFF10L08GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 10a | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MBRL30150CT | 0,5030 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | TO-220AB | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBRL30150CTTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 30a | 840 mV @ 15 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MBRS15150CT-Y | 0,4936 | ![]() | 6711 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS15150 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS15150CT-YTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 950 mV @ 7.5 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | V30dm153c-m3/i | 1.5700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 960 mV @ 15 A | 100 µA A 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | V10KL45CHM3/H. | 0,3703 | ![]() | 2706 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | download | Alcançar Não Afetado | 112-V10KL45CHM3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 5.2a | 540 mV @ 5 A | 1,6 mA a 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MBRS1560CT-Y | 0,4632 | ![]() | 3390 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS1560 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS1560CT-YTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 750 mV @ 7.5 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | DD104N12KHPSA1 | - | ![]() | 6768 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | DD104N12 | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 104a | 1,4 V @ 300 A | 20 mA a 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VI20120CHM3/4W | - | ![]() | 8000 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI20120 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 10a | 900 mV @ 10 A | 700 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | UG10DCT-5301HE3/45 | - | ![]() | 6500 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | UG10 | Padrão | To-220-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 1,1 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBRF30200CT-Y | 0,7596 | ![]() | 5977 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF30200 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRF30200CT-Y | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 30a | 950 mV @ 30 A | 500 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | V10km150c-m3/i | 0,3340 | ![]() | 9537 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-V10KM150C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 3.5a | 1,08 V @ 5 A | 200 µA A 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | NRVBB3030CTLG | - | ![]() | 8350 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | NRVBB3030 | Schottky | D²pak | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 488-NRVBB3030CTLGTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 15a | 440 mV @ 15 A | 2 mA a 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. |
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