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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSF10L150CW | 1.0358 | ![]() | 8099 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSF10 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 5a | 880 mV @ 5 A | 50 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Sblb25l30cthe3_b/p | 1.0395 | ![]() | 9732 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBLB25L30 | Schottky | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-SBLB25L30CTHE3_B/P. | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 12.5a | 490 mV @ 12,5 A | 900 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | 1PS301/ZL115 | 0,0200 | ![]() | 881 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | 1PS301 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | V8K202DU-M3/H. | 0,2998 | ![]() | 8265 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak 5x6 (Duplo) | download | Alcançar Não Afetado | 112-V8K202DU-M3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 1.8a | 920 mV @ 4 a | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | DD100N16SHPSA1 | 29.6800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | DD100N16 | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1600 v | 130a | |||||||
![]() | BAT54CW-QX | 0,0354 | ![]() | 7559 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1727-BAT54CW-QXTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 30 v | 200Ma | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 150 ° C. | ||
![]() | SBT80-06LS | - | ![]() | 3305 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | SBT80 | Schottky | TO-220FI (LS) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 8a | 580 mV @ 3 a | 100 µA A 10 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | VS-MBRB2080CTGTRRP | - | ![]() | 8958 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB20 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | VSMBRB2080CTGTRRP | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | NTSB40200CTG | - | ![]() | 4506 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | NTSB40 | Schottky | D²pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | NTSB40200CTGOS | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 20a | 1,45 V @ 20 A | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | BAS70WT-06-TP | 0,0299 | ![]() | 6620 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bas70 | Schottky | SOT-323 | download | 353-BAS70WT-06-TP | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||
![]() | BAV170HYFHT116 | 0,4400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV170 | Padrão | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 215mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C. | ||
![]() | 1N6768 | 199.5300 | ![]() | 6566 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-257-3 | 1N6768 | Padrão | To-257 | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N6768 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 8a (DC) | 1,06 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 40 V | - | |||
![]() | MBRB1660CT-TP | 0,5639 | ![]() | 6530 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB1660 | Schottky | D2PAK | download | 353-MBRB1660CT-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 16a | 800 mv @ 8 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||
G20H150CTW | - | ![]() | 9915 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Schottky | TO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-G20H150CTW | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 20a | 820 mV @ 10 A | 8 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | MBRS2545Cth | 0.9105 | ![]() | 5624 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS2545 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS2545CTHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 25a | 820 mV @ 25 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MUR2020CT-BP | 0,5850 | ![]() | 9664 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MUR2020 | Padrão | TO-220AB | download | 353-MUR2020CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 20a | 975 mV @ 10 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | Nsvmbd54dwt1g | 0.1988 | ![]() | 6444 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Nsvmbd54 | Schottky | SC-88/SC70-6/SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 30 v | 200Ma | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 125 ° C (Máximo) | ||
![]() | APT15DQ100BCTG | 2.8700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | APT15 | Padrão | To-247 [b] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1000 v | 15a | 3 V @ 15 A | 235 ns | 100 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | VT1080C-M3/4W | 0,6008 | ![]() | 7527 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | VT1080 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VT1080CM34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 5a | 720 mV @ 5 A | 400 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | BAV70SH6327XTSA1 | 0,1021 | ![]() | 4899 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Bav70 | Padrão | PG-SOT363-6-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 par cátodo comum | 80 v | 200Ma (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 Na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||
![]() | VS-20CTH03-M3P | - | ![]() | 6707 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | 20CTH03 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 10a | 1,25 V @ 10 A | 35 ns | 20 µA A 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MBR1060CTH | - | ![]() | 9557 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | MBR106 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 900 mV @ 10 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR500150CT | - | ![]() | 8447 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 250a | 880 mV @ 250 A | 3 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | VB20150C-E3/4W | 1.7500 | ![]() | 6234 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VB20150 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 1,2 V @ 10 A | 150 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-47CTQ020STRLPBF | - | ![]() | 3431 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 47CTQ020 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 20a | 450 mV @ 20 A | 3 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | SBR20100CTFP-G | - | ![]() | 8362 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Sbr | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SBR20100 | Super Barreira | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-SBR20100CTFP-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 820 mV @ 10 A | 100 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | 286-890 | 49.8000 | ![]() | 5320 | 0,00000000 | Wago Corporation | - | CAIXA | Ativo | SOQUETE | Módlo | 286-8 | Padrão | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 4000 v | 6.3a | -25 ° C ~ 40 ° C. | ||||||
![]() | V30d202chm3/i | - | ![]() | 2130 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | V30D202 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 15a | 880 mV @ 15 A | 200 µA a 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | FEP16BT-5001HE3/45 | - | ![]() | 9199 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | FEP16 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 16a | 1,3 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VI30150CHM3/4W | - | ![]() | 5031 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI30150 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 1,36 V @ 15 A | 200 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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