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Matriza de Diodo (16722)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção
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HER3004PTH	1.8804	RFQ	1321	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-247-3		Padrão	TO-247AD (TO-3P)	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	1801-HER3004PTH	Ear99	8541.10.0080	900	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	300 v	30a	1 V @ 15 A	50 ns	10 µA A 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBRS20100CT-Y	0,6433	RFQ	1354	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRS20100	Schottky	TO-263AB (D2PAK)	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	1801-MBRS20100CT-YTR	Ear99	8541.10.0080	1.600	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	20a	850 mV @ 10 A		100 µA A 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBRS25H45CT	0,8505	RFQ	2096	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRS25	Schottky	TO-263AB (D2PAK)	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	1801-MBRS25H45CTTR	Ear99	8541.10.0080	1.600	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	25a	900 mV @ 25 A		200 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
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MBR1580CT-BP	-	RFQ	2722	Micro Commercial Co.	-	Tubo	Última Vez compra	Através do buraco	To-220-3	MBR1580	Schottky	TO-220AB	-				353-MBR1580CT-BP	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	80 v	15a			1 mA a 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
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VX60M153PW-M3/P.	3.1800	RFQ	6107	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Volume	Ativo	Através do buraco	To-247-3	VX60M153	Schottky	TO-247AD	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	112-VX60M153PW-M3/P.			25	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	150 v	30a	1,07 V @ 30 A		250 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C.
MBR2040CD-HF	0,3676	RFQ	4656	Tecnologia Comchip	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	MBR2040	Schottky	D-Pak (TO-252)	-		1 (ilimito)		641-MBR2040CD-HFTR			2.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	40 v	20a	700 mv @ 10 a		50 µA A 40 V	-50 ° C ~ 150 ° C.
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HSU119-90TRF-E	0,1400	RFQ	279	Renesas Electronics America Inc	*	Volume	Ativo						-	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0070	3.000
ED603CS_L2_00001	0,3348	RFQ	2114	Panjit International Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	ED603CS	Padrão	TO-252	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	60.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	300 v	6a	1,3 V @ 3 A	35 ns	1 µA A 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
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SBT3035A	62.1000	RFQ	8626	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	Através do buraco	TO-204AA, TO-3	SBT3035	Schottky	TO-204AA (TO-3)	-			Alcançar Não Afetado	150-SBT3035A	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum	45 v	30a			1,5 mA a 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
GSXF120A060S1-D3	38.6179	RFQ	6739	Semiq	-	Tubo	Ativo	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	GSXF120	Padrão	SOT-227	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	13	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	600 v	120a	1,5 V @ 120 A	105 ns	25 µA A 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
MDMA1400C1600CC	218.7567	RFQ	1289	Ixys	MDMA1400C1600CC	CAIXA	Ativo	Montagem do chassi	Módlo	MDMA1400	Padrão	Compack	-	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	238-MDMA1400C1600CC	Ear99	8541.10.0080	3	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	1600 v	700A	1,14 V @ 700 A		500 µA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
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RB088T150NZC9	1.6000	RFQ	500	Rohm Semiconducor	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3	RB088	Schottky	TO-220FN	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	150 v	10a	880 mV @ 5 A		15 µA A 150 V	150 ° C.
MBR10200FCT	0,6700	RFQ	9232	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	MBR10200	Schottky	ITO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99		1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	10a	900 mV @ 5 A		100 µA A 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
MBR20200CT	0,6800	RFQ	1	Semicondutor de Boa Coisa	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada		Schottky	ITO-220-AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	4786-MBR20200CT	Ear99	8541.10.0080	1.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par cátodo comum	200 v	10a			200 Na @ 200 V	-
MBR20200CT	-	RFQ	7073	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3		Schottky	To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO	MBR20200CTDI	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	10a	890 mV @ 10 A		100 µA A 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.

2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
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Matriza de Diodo (16722)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²