SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
SB20H150CT-1E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB20H150CT-1E3/45 -
RFQ
ECAD 8707 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA SB20H150 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 10a 900 mV @ 10 A 5 µA A 150 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BYQ28E-200/H,127 WeEn Semiconductors BYQ28E-2000/H, 127 0,7600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutores de Ween - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 BYQ28 Padrão TO-220AB download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 1,25 V @ 10 A 25 ns 10 µA A 200 V 150 ° C (Máximo)
MBRT40080 GeneSiC Semiconductor MBRT40080 98.7424
RFQ
ECAD 5705 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT40080GN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 200a 880 mV @ 200 a 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-MURB1620CTTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURB1620CTTRRP -
RFQ
ECAD 5517 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MURB1620 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 8a 975 mV @ 8 a 35 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C.
UFT20020A Microsemi Corporation UFT20020A -
RFQ
ECAD 6714 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto Montagem do parafuso Módlo Padrão Módlo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 200 v 100a 975 mV @ 100 A 50 ns 50 µA A 200 V
APT2X51DC120J Microsemi Corporation APT2X51DC120J -
RFQ
ECAD 1314 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc Apt2x51 Sic (carboneto de Silíc) Schottky SOT-227 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 2 Independente 1200 v 50a 1,8 V @ 50 A 0 ns 1 ma @ 1200 V
APT2X51DC60J Microsemi Corporation APT2X51DC60J -
RFQ
ECAD 8713 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc Apt2x51 Sic (carboneto de Silíc) Schottky SOT-227 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 2 Independente 600 v 50a 1,8 V @ 50 A 0 ns 1 mA a 600 V
MDMA85P1600TG IXYS MDMA85P1600TG 31.0547
RFQ
ECAD 5354 0,00000000 Ixys - CAIXA Ativo Montagem do chassi TO-240AA MDMA85 Padrão TO-240AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 85a 1,17 V @ 85 A 200 µA A 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
VBT2045C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2045C-M3/8W 0,9758
RFQ
ECAD 3039 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab VBT2045 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 10a 580 mV @ 10 A 2 mA a 45 V -40 ° C ~ 150 ° C.
VBT6045CBP-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT6045CBP-M3/8W 1.6536
RFQ
ECAD 9854 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab VBT6045 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 30a 640 mV @ 30 A 3 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C.
STPSC20H065CWY STMicroelectronics STPSC20H065CWY 9.3400
RFQ
ECAD 600 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Ecopack®2 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 STPSC20 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 650 v 10a 1,75 V @ 10 A 100 µA A 650 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MBR60045CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60045CTRL -
RFQ
ECAD 5064 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 45 v 300A 600 mV @ 300 A 5 mA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GB20SLT12-247D GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247D -
RFQ
ECAD 5669 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247 - 1 (ilimito) 1242-1316 Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 25a 1,8 V @ 10 A 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
SBRT40V100CTE Diodes Incorporated SBRT40V100CTE 1.7100
RFQ
ECAD 2716 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA SBRT40 Super Barreira To-262 download ROHS3 Compatível Não Aplicável ALCANCE AFETADO SBRT40V100CTEDI-5 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 730 mV @ 20 A 300 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAV99TQ-13-F Diodes Incorporated BAV99TQ-13-F 0,3100
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-523 Bav99 Padrão SOT-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 85 v 75mA (DC) 1 V @ 50 Ma 4 ns 2 µA A 75 V -65 ° C ~ 150 ° C.
MBR10200CT-E1 Diodes Incorporated MBR10200CT-E1 -
RFQ
ECAD 3405 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR10200 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 5a 950 mV @ 5 A 150 µA @ 200 V 150 ° C (Máximo)
BAW56W/MIX Nexperia USA Inc. Baw56w/mix -
RFQ
ECAD 9333 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BAW56 Padrão SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 934069646115 Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 90 v 150mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
MBRB15H35CTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H35CTHE3/81 -
RFQ
ECAD 6571 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB15 Schottky TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 7.5a 630 mV @ 7.5 A 50 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C.
MURF1640CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MURF1640CTHC0G -
RFQ
ECAD 6341 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MURF1640 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 16a 1,3 V @ 8 A 50 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SDT10A100CTFP Diodes Incorporated SDT10A100CTFP 0,4960
RFQ
ECAD 5376 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SDT10 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 5a 660 mV @ 5 A 50 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
NTSJ30120CTG onsemi NTSJ30120CTG -
RFQ
ECAD 2723 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 NTSJ30 Schottky Pacote completo parágrafo 220-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 15a 1,08 V @ 15 A 800 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C.
NTSJ30U80CTG onsemi NTSJ30U80CTG -
RFQ
ECAD 6261 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 NTSJ30 Schottky Pacote completo parágrafo 220-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado NTSJ30U80CTGOS Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 15a 800 mV @ 15 A 200 µA a 80 V -40 ° C ~ 150 ° C.
STPS50U100CR STMicroelectronics STPS50U100CR -
RFQ
ECAD 8642 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA STPS50 Schottky I2pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-12341 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 25a 730 mV @ 25 A 200 µA a 100 V 150 ° C (Máximo)
STPS20SM80CT STMicroelectronics STPS20SM80CT -
RFQ
ECAD 8132 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 STPS20 Schottky To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 10a 780 mV @ 10 a 25 µA A 80 V 175 ° C (max)
STPS30150CW STMicroelectronics STPS30150CW 2.4900
RFQ
ECAD 2092 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 STPS30150 Schottky To-247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 15a 920 mV @ 15 a 6,5 µA A 150 V 175 ° C (max)
ISL9K18120G3 onsemi ISL9K18120G3 -
RFQ
ECAD 5149 0,00000000 Onsemi Stealth ™ Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-3 ISL9 Padrão To-247-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 300 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 18a 3,3 V @ 18 A 70 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
STPS30H60CT STMicroelectronics STPS30H60CT 1.6900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 STPS30 Schottky To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-5137-5 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 660 mV @ 15 A 60 µA A 60 V 175 ° C (max)
BAT 64-05 B5003 Infineon Technologies BAT 64-05 B5003 -
RFQ
ECAD 8446 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Morcego 64 Schottky PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 40 v 120mA 750 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 30 V 150 ° C (Máximo)
APTDF400KK20G Microchip Technology APTDF400KK20G 129.7600
RFQ
ECAD 3394 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do chassi LP4 APTDF400 Padrão Sp6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 500A 1,1 V @ 400 A 60 ns 750 µA @ 200 V
SBL1050CT Diodes Incorporated SBL1050CT -
RFQ
ECAD 4968 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 10a 700 mv @ 5 a 500 µA A 50 V -65 ° C ~ 150 ° C.
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    30.000.000

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