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Cartões de Memória, Módulos(39)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tamanho/Dimensão | Pacote/Caixa | Tipo | Tecnologia | Peso | Tensão - Alimentação | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tipo de memória | Tamanho da memória | Fator de forma | Velocidade - Leia | Velocidade - Escrever | Atual – Máx. | Taxa de transferência (Mb/s, MT/s, MHz) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AMPW5T480-IM02AI | 329.1100 |  | 2 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMPW5T480-IM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMP58464G24A0TB-CQK49 | 540.0000 | | 75 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 3642-AMP58464G24A0TB-CQK49 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AMPSD256G3S-00ES1YE-3P | 180.0000 | | 5 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | MLC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 3642-AMPSD256G3S-00ES1YE-3P | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Classe 10 | SDXC® | 256 GB | |||||||||||
| AMP56016G18A0TB-CQK48 | 102.0000 | | 75 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Bandeja | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 3642-AMP56016G18A0TB-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AMP25T640-NM2VAI | 809.5200 | | 5 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMP25T640-NM2VAI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMPW5TT10-N40DAI | 294.1200 | | 30 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMPW5TT10-N40DAI | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPV5T256-N43SAC | 87.3800 | | 112 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMPV5T256-N43SAC | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMPW5DT10-I302AI | 2.0000 | | 15 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMPW5DT10-I302AI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP25T125-NM02AI | 115.0000 | | 2 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMP25T125-NM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPMS01T0S-00ES7YE-8P | 219.0000 | | 199 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | QLC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 3642-AMPMS01T0S-00ES7YE-8P | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Classe 10, UHS Classe 3 | microSDXC™ | 1TB | |||||||||||
 | AMP4L08GD45E2SP-C7J | 397.6700 | | 49 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | 288-LRDIMM | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 3642-AMP4L08GD45E2SP-C7J | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 LRDIMM | 64 GB | 2666 | ||||||||||||
| AMPV5T480-N400AC | 138.8200 | | 12 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMPV5T480-N400AC | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP56032G28B0TB-CQ48 | 197.0000 | | 75 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Bandeja | Ativo | - | 3642-AMP56032G28B0TB-CQ48 | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP58016G18AT0B-CQK48 | 142.0000 | | 75 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Bandeja | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 3642-AMP58016G18AT0B-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
| AMP25TT20-HM02AC | 2.0000 | | 1 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMP25TT20-HM02AC | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP4R01GD28E0SP-C1E | 54.3200 | | 50 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | 288-DIMM | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 3642-AMP4R01GD28E0SP-C1E | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | DIMM DDR4 | 8GB | 2166 | ||||||||||||
| AMPW5DT40-N60QAC | 560.7100 | | 41 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMPW5DT40-N60QAC | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPMS032G3S-00ES4YC-3P | 54.3300 | | 10 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | PSLC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 3642-AMPMS032G3S-00ES4YC-3P | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Classe 10 | microSD™ | 32GB | |||||||||||
| AMPV5T032-NS9FAI | 336.8000 | | 2 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C | - | SATA III | - | - | - | 3642-AMPV5T032-NS9FAI | 1 | Unidade de estado sólido (SSD) FLASH - NAND (SLC) | 32GB | mSATA | - | - | - | ||||||||||
| AMP4N02GD28B1SN-C4H | 108.2300 | | 50 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | 288-UDIMM | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 3642-AMP4N02GD28B1SN-C4H | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | UDIMM DDR4 | 16 GB | 2400 | ||||||||||||
 | AMPW3T250-I302AI | 522.4100 | | 5 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMPW3T250-I302AI | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPW5D1T9-N40QAI | 885.9200 | | 200 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 3642-AMPW5D1T9-N40QAI | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AMPSD064G3S-00WS1YE-3P | 66.3600 | | 5 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | MLC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 3642-AMPSD064G3S-00WS1YE-3P | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Classe 10 | SDXC® | 64 GB | |||||||||||
| AMP4E02GS28G1SP-C3F | 171.6800 | | 50 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | 260-SODIMM | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 3642-AMP4E02GS28G1SP-C3F | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | SODIMM DDR4 | 16 GB | 2133 | ||||||||||||
| AMP59432G14B0TB-CQK48 | 304.0000 | | 75 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Bandeja | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 3642-AMP59432G14B0TB-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
| AMP25T256-N40SAE | 78.9400 | | 5 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMP25T256-N40SAE | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP4N01GD28B1SN-C4H | 57.8300 | | 73 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | 288-UDIMM | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 3642-AMP4N01GD28B1SN-C4H | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | UDIMM DDR4 | 8GB | 2400 | ||||||||||||
| AMPV5T480-NM0NAI | 335.2900 | | 2 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMPV5T480-NM0NAI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMPV5T250-NM02AI | 170.5800 | | 20 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Volume | Ativo | - | 3642-AMPV5T250-NM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP59416G18D0TB-CQK48 | 164.0000 | | 75 | 0,00000000 | Produção de memória acelerada, Inc. | - | Bandeja | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 3642-AMP59416G18D0TB-CQK48 | 1 |
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