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Isoladores (2050)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Saís Alta, Baxa Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Corrente - Sanda de Pico Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Distorção de Largura de Pulso (Máx) Tensão - Fornecimento de Sanda Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BLL-T7, f -
RFQ
 ECAD 7721 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (BLL-T7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4GRH-LF2, F. -
RFQ
 ECAD 1476 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimito) 264-TLP732 (D4GRH-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP627M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (e 0,9000
RFQ
 ECAD 8368 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP627 DC 1 Darlington 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP627M (e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs, 30µs 300V 1.25V 50 MA 5000VRMS - 1000% A 1MA 110µs, 30µs 1.2V
TLP733(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp733 (d4-gr, m, f) -
RFQ
 ECAD 7294 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP733 - 1 (ilimito) 264-TLP733 (D4-GRMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP734F(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-C173, F) -
RFQ
 ECAD 6004 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimito) 264-TLP734F (D4-C173F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP358(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (d4-tp1, f) -
RFQ
 ECAD 1860 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP358 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 15V ~ 30V 8-SMD download 264-TLP358 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 5.5 a - 17ns, 17ns 1.57V 20mA 3750VRMS 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP785F(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (d4-bl, f -
RFQ
 ECAD 1512 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4-BLF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP734F(D4GRLF4,MF Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4GRLF4, MF -
RFQ
 ECAD 8383 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimito) 264-TLP734F (D4GRLF4MF Ear99 8541.49.8000 50
TLP628M(GB-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP1, e 0,9100
RFQ
 ECAD 4514 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD (0.300 ", 7,62 mm) TLP628 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 50mA 5,5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 10µs, 10µs 400mv
TLP550(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Y-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 4671 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimito) 264-TLP550 (Y-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP513(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 2728 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP513 - 1 (ilimito) 264-TLP513 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP733F(GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (GB, M, F) -
RFQ
 ECAD 2930 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP733 - 1 (ilimito) 264-TLP733F (GBMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP372(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp372 (ho, f) -
RFQ
 ECAD 7776 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP372 - 1 (ilimito) 264-TLP372 (HOF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5774H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H (D4, e 2.5100
RFQ
 ECAD 5366 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5774 ACOPLamento Capacitivo CQC, CSA, Cul, UL, VDE 1 6-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 4a, 4a 4a 56ns, 25ns 1.65V 8 ma 5000VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP781F(Y-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (Y-TP7, F) -
RFQ
 ECAD 1764 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781F (Y-TP7F) Tr Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 7918 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota AC, DC 2 Transistor 8-SMD download 264-TLP620-2 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4BLT7, f -
RFQ
 ECAD 5763 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4BLT7FTR Ear99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP350(LF1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (LF1, Z, F) -
RFQ
 ECAD 3868 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP350 - 1 (ilimito) 264-TLP350 (LF1ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP185(GRH-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GRH-TL, SE 0,6000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP525G(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 3080 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD (0.300 ", 7,62 mm) TLP525 CSA, Cul, ul 1 Triac 4-SMD download 264-TLP525G (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 MA 2500VRMS 400 v 100 ma 600µA Não 200V/µs 10mA -
TLP137(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (BV, F) -
RFQ
 ECAD 4856 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP137 DC 1 Transistor Com base 6-MFSOP, 5 LIDERANCA - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP137 (BVF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs, 8 µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 200% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP155E(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E (e) -
RFQ
 ECAD 3395 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP155 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 6-SO, 5 FLEDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 - 35ns, 15ns 1.55V 20mA 3750VRMS 1/0 15kV/µs 170ns, 170ns
TLP265J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4-TPL, e 0,8400
RFQ
 ECAD 2042 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP265 CQC, Curs, UR, VDE 1 Triac 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 1.27V 50 MA 3750VRMS 600 v 70 MA 1MA (Typ) Não 500V/µs (Typ) 10mA 20µs
TLP352(TP5,S) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp352 (tp5, s) -
RFQ
 ECAD 7256 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP352 - 1 (ilimito) 264-TLP352 (TP5S) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP151A(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A (TPR, E) 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP151 Acoplamento ptico Cul, ul 1 6-SO, 5 FLEDER download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1.55V 25 MA 3750VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 350ns 10V ~ 30V
TLP293-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (4lgbtre 1.6300
RFQ
 ECAD 1661 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP3031(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3031 (S, C, F) -
RFQ
 ECAD 8120 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto - Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 leads TLP3031 Semko, ur 1 Triac 6-DIP (Corte), 5 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP3031 (SCF) Ear99 8541.49.8000 50 - 5000VRMS 250 v 100 ma - Sim - 15m -
TLP716(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 2223 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP716 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 15MBD 15ns, 15ns 1.65V 20mA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP292(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (GR-TPL, e 0,5600
RFQ
 ECAD 2009 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP2403(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2403 (F) -
RFQ
 ECAD 3046 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TLP2403 DC 1 Darlington Com Base 8-so download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2403F Ear99 8541.49.8000 100 60mA - 18V 1.45V 20 MA 3750VRMS 500% A 1,6mA - 300ns, 1µs -
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