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Isoladores (2050)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Saís Alta, Baxa Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Corrente - Sanda de Pico Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Distorção de Largura de Pulso (Máx) Tensão - Fornecimento de Sanda Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max)
TLP781F(D4-GRL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-GRL, E) -
RFQ
 ECAD 1801 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4-GLE) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP385(GRL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (grl-tpr, e 0,5600
RFQ
 ECAD 4446 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A (F) -
RFQ
 ECAD 8450 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP504 DC 2 Transistor 8-DIP download 1 (ilimito) TLP504AF Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 60 MA 2500VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP120(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 2216 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP120 (GB-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP9104A(TOJS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (TOJS-TL, f -
RFQ
 ECAD 7141 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9104A (TOJS-TLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP185(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPR, E) -
RFQ
 ECAD 6582 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível TLP185 (TPRE) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 400% @ 5MA 9µs, 9 µs 300mv
TLP293(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (BL, e 0,5100
RFQ
 ECAD 2113 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP293 (BLE Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
6N138F Toshiba Semiconductor and Storage 6N138F -
RFQ
 ECAD 4239 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 6N138 DC 1 Darlington Com Base 8-DIP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 60mA - 18V 1.65V 20 MA 2500VRMS 300% A 1,6mA - 1 µs, 4 µs -
TLP5751(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 (TP, e 0,9645
RFQ
 ECAD 6141 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5751 Acoplamento ptico CQC, CSA, Cul, UL 1 6-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 1a, 1a 1a 15ns, 8ns 1.55V 20 MA 5000VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP620-4(GB-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (GB-LF5, F) -
RFQ
 ECAD 6109 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 4 Transistor 16-DIP download 264-TLP620-4 (GB-LF5F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP2770(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 (D4-TP, e 2.2400
RFQ
 ECAD 5019 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2770 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 10 MA 20MBD 1.3ns, 1ns 1.5V 8Ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP2362(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (TPR, e 1.0500
RFQ
 ECAD 8277 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2362 DC 1 ColeCionador Aberto 2.7V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 25 MA 10MBD 30ns, 30ns 1.55V 25Ma 3750VRMS 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP9104A(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (HNE-TL, F) -
RFQ
 ECAD 6741 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9104A (HNE-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP632(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (GR-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 5520 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP632 - 1 (ilimito) 264-TLP632 (GR-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (F) 0,6400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP785 (f (c Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP2404(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2404 (F) -
RFQ
 ECAD 4058 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TLP2404 DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 30V 8-so download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2404F Ear99 8541.49.8000 100 15 MA 1Mbps - 1.57V 25Ma 3750VRMS 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP781(BL-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (BL-LF6, F) -
RFQ
 ECAD 8061 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781 (BL-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP183(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (BL, E. 0,5100
RFQ
 ECAD 4755 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP183 (BLE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP785F(GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (grl, f -
RFQ
 ECAD 9716 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (GRLF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP626(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (BV, F) -
RFQ
 ECAD 2360 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP160G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (F) -
RFQ
 ECAD 5680 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160 - 1 (ilimito) 264-TLP160G (F) Tr Ear99 8541.49.8000 150
TLP2631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 2200 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP2631 DC 2 ColeCionador Aberto, Schottky Apertuado 4.5V ~ 5,5V 8-SMD download Rohs Compatível Não Aplicável TLP2631 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50 16 MA 10MBD 30ns, 30ns 1.65V 20mA 2500VRMS 2/0 1kV/µs 75ns, 75ns
TLP131(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (GB-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 8616 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Fita de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP131 DC 1 Transistor Com base 6-MFSOP, 5 LIDERANCA download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP781F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4, F) -
RFQ
 ECAD 6927 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP781(YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (YH, F) -
RFQ
 ECAD 6831 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781 (YHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP185(Y,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (Y, SE -
RFQ
 ECAD 5524 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor Com base 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP185 (YSE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP127(ITO-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (ITO-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 6544 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Chumbo - 1 (ilimito) 264-TLP127 (ITO-TPRF) tr Ear99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1.15V 50 MA 2500VRMS 1000% A 1MA - 50µs, 15µs 1.2V
TLP552(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 7024 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP552 - 1 (ilimito) 264-TLP552 (TP1F) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP785(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785 (gr, f) 0,6400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP781F(D4GB-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4gb-lf7, f -
RFQ
 ECAD 1224 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4GB-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
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