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Isoladores (2050)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Saís Alta, Baxa Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Corrente - Sanda de Pico Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Distorção de Largura de Pulso (Máx) Tensão - Fornecimento de Sanda Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP291-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (GB, E) 1.4600
RFQ
 ECAD 2026 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 2500VRMS 100% a 5mA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP361J(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp361j (f) -
RFQ
 ECAD 8284 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP361 Ur 1 Triac 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 100 1.15V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 ma 600µA (Typ) Sim 200V/µs 10mA 30µs
TLP280-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP280-4 (GB-TP, J, F. -
RFQ
 ECAD 6888 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Fita de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) TLP280 AC, DC 4 Transistor 16-SOP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 2500VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP385(D4GL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GL-TL, e 0,5600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP131(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (F) -
RFQ
 ECAD 6869 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP131 DC 1 Transistor Com base 6-MFSOP, 5 LIDERANCA download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP131F Ear99 8541.49.8000 150 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP754(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 6092 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP754 DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 30V 8-DIP download Rohs Compatível Não Aplicável TLP754 (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1.500 15 MA - - 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 400ns, 550ns
TLP2361(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (TPR, e 1.0200
RFQ
 ECAD 7264 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2361 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10mA 3750VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP532(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (BLL, F) -
RFQ
 ECAD 3873 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP532 - 1 (ilimito) 264-TLP532 (BLLF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP350F(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp350f (d4, z, f) -
RFQ
 ECAD 9353 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP350 - 1 (ilimito) 264-TLP350F (D4ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5222(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5222 (e 7.0100
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5222 Acoplamento ptico CQC, CSA, Cul, UL, VDE 1 16-SO download 1 (ilimito) 264-TLP5222 (e Ear99 8541.49.8000 50 2a, 2a 2.5a 58ns, 57ns 1.67V 25 MA 5000VRMS 25kV/µs 250ns, 250ns 50ns 15V ~ 30V
TLP734(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4-C174, F) -
RFQ
 ECAD 4043 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP734 DC 1 Transistor 6-DIP - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP734 (D4-C174F) Ear99 8541.49.8000 1.500 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 60 MA 4000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP785(GR-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GR-TP6, F) 0,6400
RFQ
 ECAD 71 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP785 DC 1 Transistor 4-SMD download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP731(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (GB-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 4510 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimito) 264-TLP731 (GB-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
4N35(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (Curto, F) -
RFQ
 ECAD 2000 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4n35 DC 1 Transistor Com base 6-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 40% a 10mA - 3µs, 3µs 300mv
TLP385(D4BLLTR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4blltr, e 0,5600
RFQ
 ECAD 7685 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4GB-TR, e 0,7800
RFQ
 ECAD 7489 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP388 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP121(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (gr, f) -
RFQ
 ECAD 9097 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (GRF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLX9291(TOJ2TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (TOJ2TL, F (O -
RFQ
 ECAD 1059 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLX9291 (TOJ2TLF (o Ear99 8541.49.8000 1
TLP2767(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767 (TP, e 2.5900
RFQ
 ECAD 5296 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2767 DC 1 Push-pull 2.7V ~ 5,5V 6-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 10 MA 50MBD 2ns, 1ns 1.6V 15m 5000VRMS 1/0 25kV/µs 20ns, 20ns
TLP121(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 8069 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (BLF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP750(PPA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (PPA, F) -
RFQ
 ECAD 1617 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP750 DC 1 Transistor Com base 8-DIP - 264-TLP750 (PPAF) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 10% A 16MA - - -
TLP781(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 3381 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP781GBF 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP184(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB, E) -
RFQ
 ECAD 9774 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 400% @ 5MA 9µs, 9 µs 300mv
TLP293-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (v4lgb, e 1.6400
RFQ
 ECAD 9035 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP624F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624F -
RFQ
 ECAD 9727 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP624 DC 1 Transistor 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP550(HITNA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Hitna, F) -
RFQ
 ECAD 2750 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimito) 264-TLP550 (Hitnaf) Ear99 8541.49.8000 50
TLP120(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (HO-GB, F) -
RFQ
 ECAD 4907 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP120 - 1 (ilimito) 264-TLP120 (HO-GBF) Ear99 8541.49.8000 150
TLP759(IGM-LF5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM-LF5, J, F. -
RFQ
 ECAD 9136 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP759 DC 1 Transistor Com base 8-SMD download 264-TLP759 (IGM-LF5JF Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 25% a 10mA 75% a 10mA - -
TLP250(D4-SIEM,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-SIEM, F) -
RFQ
 ECAD 3089 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (ilimito) 264-TLP250 (D4-SIEMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2710(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (LF4, e 1.6200
RFQ
 ECAD 9051 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2710 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 5MBD 11ns, 13ns 1.9V (Máximoo) 8Ma 5000VRMS 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

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