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Isoladores (2050)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Saís Alta, Baxa Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Corrente - Sanda de Pico Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Distorção de Largura de Pulso (Máx) Tensão - Fornecimento de Sanda Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP385(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (grl-tpl, e 0,5400
RFQ
 ECAD 3612 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP701(TOJS-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701 (TOJS-TP, F) -
RFQ
 ECAD 7911 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP701 Acoplamento ptico CSA, CUL, UL, VDE 1 Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP701 (TOJS-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 600mA, 600mA 600mA 50ns, 50ns 1.55V 20 MA 5000VRMS 10kV/µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP2530(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (F) 1.7600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP2530 DC 2 Transistor 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 - - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 7% a 16mA - 300ns, 500ns -
TLP388(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (TPR, e 0,8000
RFQ
 ECAD 6169 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP388 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP290(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (SE 0,5100
RFQ
 ECAD 5250 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP121(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GR-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 6997 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (GR-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4GB-TR, e 0,7800
RFQ
 ECAD 7489 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP388 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP371(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 2803 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota TLP371 DC 1 Darlington Com Base 6-SMD download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 150mA 40µs, 15µs 300V 1.15V 60 MA 5000VRMS 1000% A 1MA - 50µs, 15µs 1.2V
TLP2601(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 3893 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 0 ° C ~ 70 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP2601 DC 1 ColeCionador Aberto, Schottky Apertuado 4.5V ~ 5,5V 8-SMD download Rohs Compatível Não Aplicável TLP2601 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50 10MBD 30ns, 30ns 1.65V 20mA 2500VRMS 1/0 1kV/µs 75ns, 75ns
TLP292-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (v4lgb, e 1.7900
RFQ
 ECAD 2917 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP628MF(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF (GB, e 0,9200
RFQ
 ECAD 8466 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP628 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5,5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 10µs, 10µs 400mv
TLP2761(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (D4-TP4, e -
RFQ
 ECAD 1286 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2761 AC, DC 1 2.7V ~ 5,5V 6-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2761 (D4-TP4E Ear99 8541.49.8000 1.500 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP781(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 4864 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Tlp781blf 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP185(GB-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB-TPL, SE 0,6100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP291-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (GB-TP, E) 1.4600
RFQ
 ECAD 4285 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 2500VRMS 100% a 5mA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP732(D4-NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-NEMIC, F) -
RFQ
 ECAD 5116 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimito) 264-TLP732 (D4-NEMICF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2662(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662 (D4-TP1, F) 1.8800
RFQ
 ECAD 5134 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP2662 DC 2 ColeCionador Aberto 2.7V ~ 5,5V 8-SMD download Rohs Compatível Não Aplicável Ear99 8541.49.8000 1.500 25 MA 10MBD 12ns, 3ns 1.55V 20mA 5000VRMS 2/0 20kV/µs 75ns, 75ns
TLP2200(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 5811 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP2200 DC 1 Tri-State 4.5V ~ 20V 8-SMD download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 25 MA 2.5MBD 35ns, 20ns 1.55V 10mA 2500VRMS 1/0 1kV/µs 400ns, 400ns
TLP250(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-TP4, F) -
RFQ
 ECAD 9894 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP250 - 1 (ilimito) 264-TLP250 (D4-TP4F) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP385(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (y, e 0,5500
RFQ
 ECAD 2132 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP385 (YE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP2631TP1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631TP1F -
RFQ
 ECAD 5085 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP2631 DC 2 ColeCionador Aberto, Schottky Apertuado 4.5V ~ 5,5V 8-SMD download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 16 MA 10MBD 30ns, 30ns 1.65V 20mA 2500VRMS 2/0 1kV/µs 75ns, 75ns
4N35(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (Curto, F) -
RFQ
 ECAD 2000 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4n35 DC 1 Transistor Com base 6-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 40% a 10mA - 3µs, 3µs 300mv
TLP265J(V4T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4T7, e 0,8400
RFQ
 ECAD 1508 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP265 CQC, Curs, UR, VDE 1 Triac 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP265J (V4T7E Ear99 8541.49.8000 125 1.27V 50 MA 3750VRMS 600 v 70 MA 1MA (Typ) Não 500V/µs (Typ) 7ma 20µs
TLP388(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (GB-TPL, e 0,8000
RFQ
 ECAD 4334 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP388 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP2105(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2105 (F) -
RFQ
 ECAD 224 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TLP2105 DC 2 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 20V 8-so download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2105F Ear99 8541.49.8000 100 25 MA 5Mbps 30ns, 30ns 1.65V 20mA 2500VRMS 2/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP124(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (BV, F) -
RFQ
 ECAD 8492 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP124 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP124 (BVF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs, 8 µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 200% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP292-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (v4latpe 1.7900
RFQ
 ECAD 8491 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP292-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LGB, e 1.7900
RFQ
 ECAD 6005 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP185(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (e) -
RFQ
 ECAD 8142 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 400% @ 5MA 9µs, 9 µs 300mv
TLP130GBF Toshiba Semiconductor and Storage TLP130GBF 0,7145
RFQ
 ECAD 8142 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP130 AC, DC 1 Transistor Com base 6-MFSOP, 5 LIDERANCA download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 150 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
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