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Isoladores (2050)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Saís Alta, Baxa Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Corrente - Sanda de Pico Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Distorção de Largura de Pulso (Máx) Tensão - Fornecimento de Sanda Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
4N30(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N30 (Curto, F) -
RFQ
 ECAD 6210 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N30 DC 1 Darlington Com Base 6-DIP - Rohs Compatível 1 (ilimito) 4N30 (Curto) Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 80 MA 2500VRMS - - 5µs, 40µs (Máximo) 1v
TLP701F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp701f (f) -
RFQ
 ECAD 2459 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP701 Acoplamento ptico - 1 Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP701F (F) Ear99 8541.49.8000 1 - 600mA - - 5000VRMS 10kV/µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP385(D4GR-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GR-TL, e 0,5600
RFQ
 ECAD 4079 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP3062A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3062A (f 1.6100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 leads TLP3062 CQC, cur, ur 1 Triac 6-DIP download Rohs Compatível Não Aplicável Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 ma 600µA (Typ) Sim 2kV/µs (Typ) 10mA -
TLP631(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (BL-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9698 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP631 - 1 (ilimito) 264-TLP631 (BL-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP182(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (GB-TPL, e 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP291(YH-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (YH-TP, SE 0,4300
RFQ
 ECAD 7296 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 75% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP185(BLL-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (BLL-TPR, E) -
RFQ
 ECAD 4214 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível TLP185 (BLL-TPRE) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 9µs, 9 µs 300mv
TLP785(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (f 0,2172
RFQ
 ECAD 3380 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. TLP785 DC 1 Transistor download 1 (ilimito) 264-TLP785 (f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP627F-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627F-2 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 3173 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP627 - 1 (ilimito) 264-TLP627F-2 (D4F) Ear99 8541.49.8000 50
4N35(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (TP5 CURTO, F) -
RFQ
 ECAD 6380 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto 4n35 - 1 (ilimito) 264-4N35 (TP5F) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP161J(IFT7,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp161j (ift7, u, c, f -
RFQ
 ECAD 5879 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimito) 264-TLP161J (IFT7UCFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP731(D4-GB-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-GB-LF1, F. -
RFQ
 ECAD 4468 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimito) 264-TLP731 (D4-GB-LF1F Ear99 8541.49.8000 50
TLP250(D4MBSINV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4MBSINV, F) -
RFQ
 ECAD 4766 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (ilimito) 264-TLP250 (D4MBSINVF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP732(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-G, F) -
RFQ
 ECAD 4784 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimito) 264-TLP732 (D4-GRF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP350F(D4-TP4,Z,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp350f (d4-tp4, z, f -
RFQ
 ECAD 4855 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP350 - 1 (ilimito) 264-TLP350F (D4-TP4ZFTR Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP550(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 1425 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimito) 264-TLP550 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP250F(INV-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F (Inv-Tp4, F) -
RFQ
 ECAD 5846 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP250F - 1 (ilimito) 264-TLP250F (INV-TP4F) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP250(TOJS-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (TOJS-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 9181 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP250 - 1 (ilimito) 264-TLP250 (TOJS-TP1F) tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP160G(IFT7,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp160g (ift7, u, f) -
RFQ
 ECAD 4588 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160G - 1 (ilimito) 264-TLP160G (IFT7UF) tr Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP250(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (FANUC, F) -
RFQ
 ECAD 1462 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (ilimito) 264-TLP250 (FANUCF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP734(D4GRTP5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4GRTP5, M, F -
RFQ
 ECAD 5336 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimito) 264-TLP734 (D4GRTP5MF Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP266J(T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (T7, e -
RFQ
 ECAD 5852 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP266 CQC, CSA, Cul, UL, VDE 1 Triac 6-SOP - 1 (ilimito) 264-TLP266J (T7E Ear99 8541.49.8000 125 1.27V 50 MA 3750VRMS 600 v 70 MA 600µA Sim 200V/µs 10mA 30µs
TLP250(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-LF5, F) -
RFQ
 ECAD 3911 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (ilimito) 264-TLP250 (D4-LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627F-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627F-2 (F) -
RFQ
 ECAD 6318 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP627 - 1 (ilimito) 264-TLP627F-2 (F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BLL, f -
RFQ
 ECAD 1485 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (Bllf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP351(LF1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (LF1, Z, F) -
RFQ
 ECAD 6189 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP351 - 1 (ilimito) 264-TLP351 (LF1ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP250HF(LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF (LF4, F) -
RFQ
 ECAD 3827 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP250 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 8-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP250HF (LF4F) Ear99 8541.49.8000 50 2 a - 50ns, 50ns 1.57V 5mA 3750VRMS 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP750(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (F) -
RFQ
 ECAD 7129 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimito) 264-TLP750 (F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP160J(V4DMT7TR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (v4dmt7tr, f -
RFQ
 ECAD 8342 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160 - 1 (ilimito) 264-TLP160J (V4DMT7TRFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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